Maydonli tranzistorlar

 
1. Emitter tokining o’tkazish koeffitsienti. 
э
k
J
J




agarda 
const
U
k

bo’lsa. (2.4) 
Odatda α
 
– koeffitsient UB sxema ulanishda tranzistorning tok bo’yicha 
kuchaytirish koeffitsienti deb ham ataladi. Uning qiymati doimo birdan kichik 
bo’lib, yassi tranzistorlarda 0,99ga etadi. 
2. Baza tokining o’tkazish koeffitsienti. Baza tokining o’tkazish koeffitsienti 
deb, kollektor toki o’zgarishini baza toki o’zgarishi nisbatiga teng kattalikka 
aytiladi. 

---

const
U
э
k
k
J
J





Ko’pincha 

- parametr UE sxemasida baza tokini 
o’tkazish koeffitsienti yoki tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti deb ham ataladi. 

va 

parametrlar o’zaro quyidagicha bog’langan: 





1
(2.5) 

ning qiymati hamma vaqt birdan katta bo’ladi. 

va 

larning qiymatini 
tranzistor xarakteristikalaridan topish mumkin. Shuningdek ularning qiymatlari 
maʻlumotlarda ham berilgan bo’ladi. 
3. UE sxemaning kuchlanish bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti. 
кир
H
б
k
u
R
R
U
U
К





(2.6) 
UK – ulanish sxemasi uchun esa
кир
H
б
э
u
R
R
U
U
K





bo’ladi. 
UE sxemaning kirish qarshiligi chiqish qarshiligidan kichik (R
kir
< R
chik
) ammo 
UB sxemaning kirish qarshiligidan kattaroq bo’ladi. Shuning uchun UE sxema 
kuchlanishni kuchaytirish xususiyatiga ega. UK sxemada esa kirish qarshiligi 
chiqish qarshiligidan katta bo’ladi. R
H
– qarshilik chiqish qarshiligi tartibida 
bo’lgani uchun u kuchlanish bo’yicha kuchaytirish xususiyatiga ega emas. Shunday 
qilib, UE sxema ham tok, ham kuchlanish bo’yicha kuchaytirish xususiyatiga ega. 
Shuning uchun bu sxemada quvvat bo’yicha eng katta kuchaytirishga erishiladi. 
Tranzistorlarning uch xil ulanishi uchun H, Y va R parametrlar deb ataldigan 
parametrlar haqida maxsus adabiyotlardan muhim maʻlumotlar olish mumkin. 
Bunday parametrlardan foydalanib tranzistor ish rejimlari aniqlanadi va 
tranzistorlarning ko’pgina xususiyatlari o’rganiladi.
 
Maydon tranzistorlari ko’pincha unipolyar tranzistorlar deb ataladi. Maydon 
tranzistorlarida elektr toki bir xil tok tashuvchilar hisobiga hosil bo’ladi. Ularda 
chiqish toki boshqaruvchi elektrodning kuchlanishi hosil qiladigan elektr maydon 
orqali 
boshqariladi. 
Maydon 
tranzistorining 
ishlash 
tamoyili 
bipolyar 
tranzistorlardan farqli o’laroq, elektrovakuumli lampa – triodning ishlashiga 
o’xshash bo’ladi. 

---

Maydon tranzistorining tuzilishi, elektr sxemaga ulanishi va radiosxemada 
belgilanishi 9.1-rasmda keltirilgan. Rasmda chap tomondagi elektrod oqim 
boshlanishi – istok deb, o’ngdagi elektrod esa oqim quyilishi – stok deb, o’rtadagi 
boshqaruvchi elektrod zatvor deb ataladi. Istok bilan stok oraligidagi qatlam kanal 
deb yuritiladi. Uning o’tkazuvchanligi n yoki r-tipli bo’lishi mumkin. Agar asos 
(plastinka) Yarim o’tkazgich n-tipli bo’lsa, zatvor qatlami r-tipli bo’lsa, zatvor 
qatlami n-tipli – Yarim o’tkazgichli materialidan qilinadi. Rasmda ko’rsatilgan 
tranzistorda asos qatlam n-tipli Yarim o’tkazgichdan iborat. Shuning uchun stoka 
istoka nisbatan musbat kuchlanish berilsa asosiy tok tashuvchilar, yaʻni elektronlar 
stoka tomon kanal bo’ylab harakat qiladi. Zatvorga kuchlanishi hamma vaqt teskari 
ulanishda beriladi. Chunki bunda p - n o’tish yopilishi kerak. Ko’riladigan holda 
zatvorga istoka nisbatan, manfiy kuchlanish berilgan. Shuning uchun p - n o’tish 
qatlami kengayib kanalni toraytiradi, yaʻni E
3
–zatvor kuchlanishning o’zgarishi 
hisobiga kanalning kesimi o’zgaradi. Bu esa stok tokining boshqarilishiga olib 
keladi.
Maydon 
tranzistorlarining 
yana 
bir 
turi 
zatvori 
himoyalangan 
(izolyatsiyalangan) tranzistor deb yuritiladi. Ularda metaldan yasalgan zatvor, asos 
qatlam – kanaldan dielektrik modda bilan ajratilgan bo’ladi. Shuning uchun bunday 
tranzistorlar MDYA (metal-dielektrik, Yarim o’tkazgich) turdagi maydon 
tranzistorlari deb ham ataladi. Ko’pincha dielektrik sifatida oksid materiallar 
ishlatiladi. Masalan, kremniy oksidi SiO
2
. Bu holda tranzistor MOYA (metal – 
oksid – yarim o’tkazgich) turdagi tranzistor deyiladi. MDYA turdagi tranzistor-ning 
tuzilishi 9.2-rasmda ko’rsatilgan. Zatvor bilan asos yarim o’tkazgich orasida elektr 
maydon hosil qilinganda maydon kuchlanganligi yo’nalishiga qarab asosiy tok 
tashuvchilar yo asos yarim o’tkazgichning sirtiga yo hajmiga tortiladi. 

---

Agar asosiy tok tashuvchilar asos yarim o’tkazgichning sirtiga tortilsa, sirt
qatlam – o’tkazuvchanlik kanalining o’tkazuvchanligi ortadi, hajm ichiga 
tortilganda esa, u kamayadi. MDYA turdagi tranzistorlarning ishlash printsipi 
murakkab bo’lib, unda stok tokining kattaligi va uning xarakteristikalari asos yarim 
o’tkazgich materialiga, tok tashuvchialr kontsentratsiyasiga va yasalish 
texnologiyasiga bog’liq bo’ladi. Shunga ko’ra bu tranzistorlar ikki turga: kanali 
induktsiyalanuvchi va kanali hosil qilingan tranzistorlarga bo’linadi . 
2-jadvalda maydon tranzistorlarining sxemada belgilanishi ko’rsatilgan. 
Maydon tranzistorining stok toki ikkita zatvor va stok kuchlanishlarining 
funktsiyasidir. 
)
,
(
3