Qarshi muhandislik-iqtisodiyot instituti elektronika va avtomatika fakulteti texnologik jarayonlarni avtomatlashtirish va boshqaruv kafedrasi

Metall-yarimо‘tgazgich kontakti bilan boshqariladigan maydonli tranzistor parametrlarini hisoblash. Modulyatsiyali legirlangan maydonli tranzistor parametrlarini hisoblash.


Ishdan maqsad:. Izolyatsiyalangan tambali maydonli tranzistorlar о‘rganish.

Izolyatsiyalangan tambali maydonli tranzistorlarda tamba yarim о‘tkazgichli kanaldan yupqa dielektirik qatlam bilan ajratilgan. Bunday asboblar boshqacha MDP ( metall- dielektrik-yarim о‘tkazgich) tranzistorlar deb ataladi. MDP – tranzistorlar kremniydan tayorlanadi. Dielektrik sifatida kremniy oksidi Si qullaniladi, shuning uchun uni MOP ( metall-oksid-yarim о‘tkazgich) tranzistorlar deb ham ataladi.

Dielektrikning bо‘lishi kirish qarshiligi juda yuqori ( )bо‘lishini taminlaydi.
MDP-tranzistorlarning ishlashi kо‘ndalang elektr maydon tasirida dielektrik bilan chegaradosh bо‘lgan yarim о‘tkazgich qatlamining sirt qismi о‘tkazuvchanligi о‘zgarishi effektiga asoslangan. Yarim о‘tkazgichning sirt qismi qatlami tok о‘tkazuvchi kanal hisoblanadi.


Kiritilgan kanalli MDP-tranzistorlar
Kiritilgan kanalli MDP-tranzistorning strukturasi va ulanish sxemasi 8.1-rasmda keltirilgan.
Taglik deb ataluvchi toza yoki kuchsiz legirlangan kremniy (p-tipdagi) plastinkada kirish, kanal va n-tipdagi kirish bilan ulanadi. Tranzistor tambasiga boshqaruvchi kuchlanish berilib, uning strukturasida hosil bо‘lgan elektr maydon hisobiga kirish toki qiymatini boshqarish amalga oshiriladi.

8.1-rasm. Kiritilgan MDP-tranzistorning ulanish sxemasi

Kiritilgan kanalli MDP-tranzistorning xarakteristikalarini kо‘raylik. Izolyatsiyalangan tambali maydon tranzistorlarining volt-amper xarakteristikalari boshqariluvchi p-n о‘tishli tranzistorlar xarakteristikalariga о‘xshash bо‘ladi. Tranzistorlarning chiqish xarakteristikalari , bо‘lganda , 8.2- rasmda keltirilgan.

Izolyatsiyalangan tamba tranzistorni tamba-kirish kuchlanishi ning musbat qiymatlari sohasida ishlatadi.
8.2-rasmda kirish xarakteristikalari uchta oilasi kuchlanish ning qiymatlariga bog‘liq holda kо‘rsatilgan.
Xarakteristikaning birinchi oilasi ( ). Chiqish toki kanalning dastlabki о‘tkazuvchanligi bilan aniqlanadi. Kuchlanish ning kichik qiymatlarida bu kuchlanish kanal о‘tkazuvchanligiga kam ta’sir kо‘rsatadi, kirish yaqinlashgan sari potensial osha boradi va berkituvchi qatlam (modulyatsiya) ortadi. Kuchlanish qiymati ortgan chog‘da kanal qisqaradi, natijada tok kamayadi. Xarakteristikaning b nuqtasida kanal
minimal qisqarish holatida bо‘ladi.

8.2-rasm. Kirgizma kanalli MDP tranzistorning
kirish xarakteristikalari

Xarakteristikaning ikkinchi oilasi ).Kuchlanish qiymati bо‘lganda elektr maydon elektronlarni siqib chiqaradi, natijada kanalda elektronlar konsentratsiyasi kamayib ketadi va kanal о‘tkazuvchanligi susayadi. Bu rejim kanalning “kambag‘allashish” rejimi deb ataladi.

Xarakteristikaning uchinchi oilasi ).Kuchlanish qiymati bо‘lganda elektr maydon elektronlarni r sohadan tortib oladi, ularning konsentratsiyasi ortadi va kanalning о‘tkazuvchanligi kuchayadi.Bu kanalning zaryad tashuvchilar bilan boyish rejimi deb ataladi.
Tranzistorning chiqish-tamba (uzatish) xarakteristikasi , bо‘lganda 8.3 - rasmda keltirilgan.

8.3-rasm. Kirgizma kanalli MDP tranzistorning
kirish-tamba (uzatish) xarakteristikasi
Tamba – kirish kuchlanish qutbini va qiymatini о‘zgartirib kanal о‘tkazuvchanligini о‘zgartirish mumkin va demak, kirish – kirish kuchlanish ning doimiy qiymatida chiqish toki ni ham о‘zgartirish mumkin. Boshqariluvchi p-n о‘tishli maydonli tranzistorlardan farqli о‘laroq, bunda kanal kesimi yuzaga emas, balki asosiy zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi о‘zgaradi.