Ito’g’ cheg, mA
|
Utesk cheg, V
|
fmax, kGs
| | | | |
tikl., mks
| | | | | |
D2 ye
|
Ge, nuqtaviy
|
16
|
50
|
|
3
| |
D2 J
|
Ge, nuqtaviy
|
8
|
150
|
|
3
| |
D7 G
|
Ge, qotishmali
|
300
|
200
|
2,4
|
| |
D7 J
|
Ge, qotishmali
|
300
|
400
|
2,4
|
| |
D9 ye
|
Ge, nuqtaviy
|
20
|
30
|
|
3
| |
D104
|
Si, mikroqotishmali
|
30
|
100
|
150
|
0,5
| |
D226
|
Si, qotishmali
|
300
|
200
|
1,0
|
| |
KD503 A
|
Si, planar -epitaksial
|
20
|
30
|
|
0,01
| |
D312
|
Ge, diffuzion
|
50
|
75
|
|
0,7
|
I2. Stabilitronlar va stabistorlar
|
Diod
turi
|
Tuzilishi
|
Ust, V
|
Ict min, mA
|
Ict max, mA
|
rD, Om
| |
D814 B
|
Si, qotishmali
|
8...9,5
|
3
|
36
|
10
| |
D814 D
|
Si, qotishmali
|
11,5...14,0
|
3
|
24
|
18
| |
KS156 T
|
Si, diffuzion-qotishmali
|
5,6
|
1
|
22,4
|
100
| |
D219 C
|
Si, mikroqotishmali stabistor
|
0,57
|
1
|
50
|
| |
KC113 A
|
Si, diffuzion-qotishmali stabistor
|
1,17...1,8
|
1
|
100
|
80
|
I3. Bipolyar tranzistorlar
|
Tranz. turi
|
Tuzilishi
|
h21E
|
fh21E(fT), MGs
|
Ik.cheg, mA
|
Uk.cheg, V
|
Rk cheg, mVt
|
k, mks
|
Sk
(10V), pF
| |
MP37B
|
n-r-n, Ge, qotishmali
|
20-50
|
1,0
|
20
|
15
|
150
|
|
40
| |
MP39B
|
r-n-r, Ge, qotishmali
|
20-50
|
0,5 1,5
|
20
|
20
|
150
|
|
40
| |
KT315B
|
n-r-n, Si, planar -epitaksial
|
50-350
|
(250)
|
100
|
20
|
150
|
0,5
|
7
| |
KT361B
|
r-n-r, Si, planar -epitaksial
|
50-350
|
(250)
|
50
|
20
|
150
|
0,5
|
9
|
(TR 2) MP 37 (TR 27) KT 315
MP 39 KT 361
I4. Maydoniy tranzistorlar
|
Tranz. turi
|
Tuzilishi
|
Ic cheg
(Ic boshl.)
|
Usi cheg,
V
|
Rs cheg, mVt
|
Szi, pF
|
Szs, pF
|
Ssi, pF
|
rk,
Om
|
Uberk, V
| |
KP103I
|
n-r o’tishli
r-kanalli
|
(0,8-1,8)
|
12
|
21
|
20
|
8
|
-
|
30
|
0,8-3
| |
KP103E
|
n-r o’tishli
r-kanalli
|
(0,4-1,5)
|
10
|
7
|
20
|
8
|
-
|
50
|
0,4-1,5
| |
KP103M
|
n-r o’tishli
r-kanalli
|
(5-7,5)
|
10
|
120
|
20
|
8
|
-
|
60
|
3-5
| |
KP301B
|
r-MDYA, kanali
indutsiyalangan
|
15
|
20
|
200
|
3,5
|
1
|
3,5
|
100
|
-4
| |
KP305D
|
n-MDYA, kanali qurilgan
|
15
|
15
|
150
|
5
|
0,8
|
5
|
80
|
-6
|
(TR 67) KP 103 (TR 69) KP 305 (TR 71) KP 301
I5. Integral mikrosxemalar
Laboratoriya ishlarida tadqiq etilayotgan barcha mikrosxemalar 201.14.1-201.14.9 turdagi 14 chiqishli 2 qator qilib joylashtirilgan to’g’ri burchakli plastmassa yoki sopol qobiqda bajarilgan (maxsus belgisi 1-chiqish yaqinida nuqta ko’rinishida bajarilishi mumkin).
201.14.1-201.14.9 korpus (yuqoridan ko’rinishi)
K140UD20. Ikkilangan operatsion kuchaytirgich
1 (7) – OK inverslovchi kirishi
2 (6) – OK inverslamaydigan kirishi
4 – “-Up” manba ulash uchun chiqish
12 (10) – OK chiqishi
13 (9) - “QUp” manba ulash uchun chiqish
(Qavs ichidagi raqamlar shu kristallda
joylashtirilgan ikkinchi OKga
tegishli)
K553UD2; KR1408UD1 Operatsion kuchaytirgichlar
Laboratoriya ishlarida tadqiq etilayotgan OK asosiy parametrlari
|
OK turi
|
Kyv 103
|
Usm, mV
|
Ikir, mkA
|
Ikir, mkA
|
f1, MGs
|
Ucheg.chiq, vG’mks
|
Kta sf dB
|
Ukir, V
|
Ukir sf, V
|
Um, V
|
|
K553UD2
|
20
|
7,5
|
1,5
|
0,5
|
1
|
0,5
|
70
|
10
|
10
|
Q(6-15)
|
|
K140UD20
|
50
|
5
|
0,2
|
0,05
|
0,55
|
0,3
|
70
|
12
|
11
|
Q(6-15)
|
K176LP1 KMDYA tuzilishli universal mantiqiy element (mos keluvchi kommutatsiyada uchta EMAS elementi, katta tarmoqlanish koeffitsientiga ega bo’lgan EMAS elementi, 3HAM-EMAS elementi, 3YOKI-EMAS elementi va triggerli yacheyka sifatida qo’llanilishi mumkin).
Asosiy elektr parametrlari
Kuchlanish manbai Umq9VQ5%,
Mantiqiy signal sathlari U0ChIQ 0,3V; U1ChIQ 8,2V;
iste’mol qilinayotgan tok: 0,3 mA dan katta emas;
signal tarqalishining o’rtacha kechikish vaqti 200 ns
Ishlash qobiliyati manba kuchlanishi 5Vgacha pasayguncha saqlanadi. Kirish signallarining ruxsat etilgan diapazoni (0dan Um gacha).
FOYDALANILGAN ADABIYOTLAR
1. A.G. Morozov. Elektrotexnika, elektronika i impulsnaya texnika. – M.: Vo’sshaya shkola, 1987.
2. A.G, Aleksenko, I.I. Shagurin. Mikrosxemotexnika. – M.: Radio i svyaz, 1990.
3. D.V. Igumnov, G.V. Korolev, I.S. Gromov. Osnovo’ mikroelektroniki. – M.: Vo’sshaya shkola, 1991.
4. YU.F. Opadchiy, O.P. Gludkin, A.I. Gurov. Analogovaya i sifrovaya elektronika. – M.: Goryachaya liniya – Telekom, 2003.
5. Stepanenko I.P. Osnovo’ mikroelektroniki: Uchebnoe posobie dlya vuzov. – 2-e izd., pererab. i dop.- M.: Laboratoriya Bazovo’x Znaniy, 2001.
6. YU.L. Bobrovskiy, S.A. Kornilov, I.A. Kratirov i dr.; Pod red. prof. N.F. Fedorova. Elektronno’ye, kvantovo’ye priboro’ i mikroelektronika: Uchebnoe posobie dlya vuzov.- M.: Radio i svyaz, 2002.
MUNDARIJA
Kirish....................................................................................................
|
3
|
I BOB. YArim o’tkazgichli asboblar
|
| |
1.1. Energetik zonalar.....……………………………….....................
|
5
| |
1.2. Xususiy elektr o’tkazuvchanlik.....…………….. .........................
|
6
| |
1.3. Kiritmali elektr o’tkazuvchanlik................................................
|
8
|
|
|
II BOB. Elektron – kovak o’tish
|
| |
2.1. p-n o’tishning hosil bo’lishi........................................................
|
13
| |
2.2. p-n o’tishning to’g’ri ulanishi..... ……………………….………
|
15
| |
2.3. p-n o’tishning teskari ulanishi ………………….....…….........
|
16
| |
2.4. p-n o’tishning volt – ampernaya xarakteristikasi (VAX) …..
|
17
| |
2.5. r – n o’tish teshilish turlari...............………………………….
|
20
|
|
|
III BOB. YArim o’tkazgichli diodlar.
|
| |
3.1. To’g’rilovchi diodlar.......…………..…….....................................
|
21
| |
3.2. Stabilitronlar…………………….............................................
|
22
| |
3.3. Varikaplar….…………………………………………………….
|
23
| |
3.4. Tunnel diodlari………………………………………………
|
23
| |
3.5. Generator diodlari……..…………….......................................
|
24
| |
3.6. Optoelektronika diodlari.......…….............................................
|
24
| |
3.7. Optronlar………………………………………………………..
|
26
|
|
|
|
Dostları ilə paylaş: |
