X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. Alimova elektronika

IV BOB. Bipolyar tranzistorlar
4.1. Umumiy ma’lumotlar………………………...............................	28
4.2. BT ulanish sxemalari…….……….............................................	29
4.3. BT statik xarakteristikalari ...…….………………………...	32
4.4. BT fizik parametrlari.... ………………………………………	34
V BOB. Maydoniy tranzistorlar
5.1. Umumiy ma’lumotlar...………….………………………………	37
5.2. MT statik xarakteristikalari...……………………………….	39
5.3. MT asosiy parametrlari..........………………………………….	40
5.4. Kanali induksiyalangan MDYA – tranzistor ......….……………	41
5.5. Kanali qurilgan MDYA - tranzistor .......………………………	42
VI BOB. Keng polosali kuchaytirgichlar
6.1. BTda yasalgan kuchaytirgich bosqichi……………………………..	45
6.2. MTda yasalgan kuchaytirgich bosqichi …………………………...	50
6.3. Ko’p bosqichli kuchaytirgichlar…………………………………..	51
6.4. Analog integral mikrosxemalarning chiqish bosqichlari (quvvat kuchaytirgichlari)…………………………………………….	52
6.5. Emitter qaytargich............………………………………………..	54
VII BOB. Integral mikrosxemalar
7.1. IMS haqida umumiy ma’lumotlar..…………………................	57
7.2. Pardali va gibrid IMSlar...…………………………………..	58
7.3. YArim o’tkazgichli IMSlar ………………………………………	58
VIII BOB. Kuchaytirgich qurilmalari sxemotexnikasi
8.1.Kuchaytirgichlarning asosiy parametrlari va xarakteristikalari..............................................................................	63
8.2. Komplementar emitter qaytargich...................………………….	66
8.3. Balans sxemalar asosidagi kuchaytirgich.....................................	67
8.4. Barqaror tok generatori.....…………………………….……….	68
8.5. O’zgarmas kuchlanish sathini siljitish qurilmasi……………	69
8.6. Differensial kuchaytirgichlar………………………………….	70
8.7. Operatsion kuchaytirgichlar……………………………………..	73
IX BOB. YArim o’tkazgichli statik raqamli integral mikrosxemalar sxemotexnikasi
9.1. Raqamli texnika asoslari..……………………………………..	81
9.2. Mantiqiy IMS parametrlari……....…………………………	83
9.3. Bipolyar tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalar ……………	84
9.4. Maydoniy tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalar …………	86
9.5. Mantiqiy integral mikrosxemalarning negiz elementlari....	89
X BOB. Laboratoriya ishlari
1 – laboratoriya ishi. YArim o’tkazgichli diod xarakteristika va parametrlarini tadqiq etish..............................................................	97
2 – laboratoriya ishi. Bipolyar tranzistor statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish.......................
3 – laboratoriya ishi. Maydoniy tranzistorni tadqiq etish….......	101
4 – laboratoriya ishi. Operatsion kuchaytirgich parametrlarini tadqiq etish............................................................................................	106
5 – laboratoriya ishi. Maydoniy tranzistorda bajarilgan kalit sxemalarni tadqiq etish......................................................................	112
6 – laboratoriya ishi. Tranzistor – tranzistorli mantiq integral mxemalarini tadqiq etish...................................................	117
7 – laboratoriya ishi. Integral optronlarni tadqiq etish.............	119
Ilova..........……………………………………………………………	123
Foydalanilgan adabiyotlar ……… ....................................................	129

O’quv nashri
2007-2008 o’quv yili

Xayrulla Kabilovich Aripov

Axmed Mallaevich Abdullaev

Nodira Batirdjanovna Alimova


ELEKTRONIKA

VA

SXEMOTEXNIKA
5521900 “Informatika va axborot texnologiyasi”
5523600 “Elektron tijorat”
5523500 “Axborot xavfsizligi”
5522200 “Telekommunikatsiya”
5522100 “Televidenie, radioaloqa va radioeshittirish”
5522000 “Radiotexnika”
5140900 “Kasb ta’limi” (telekommunikatsiya)
5521900 “Kasb ta’limi” (informatika va axborot texnologiyalari)
yo’nalishlarida ta’lim olayotgan bakalavrlar uchun
o’quv qo’llanma

Nashrga ruxsat berildi Ofset qog’ozi. Buyurtma № Bosma. Tiraj nusxa

Toshkent axborot texnologiyalari universiteti
(TATU Ilmiy – uslubiy kengashining
dagi № - sonli bayonnomasi)

tomonidan nashrga tavsiya etilgan

javobgar muxarrir
http://hozir.org