1. Yarim o‘tkazgichlarning elektr xususiyatlari. Tuzilishi va hu
Ko‘p holatlarda YO’D simmetrik n-p o‘tishdan farq qilishi shundaki, diodning p-xududiga (nosimmetrik n-p-o‘tish) qaraganda, n-xududi ancha ko‘p miqdorda aralashmalarga ega, ya’ni Nn>>Np. Bunday holatda p-xududi diod bazasi deb nomlanadi. Bunday o‘tishga teskari kuchlanish berilganda to‘yinish toki bazan n-xududiga faqat teshiklar oqimidan iborat bo‘ladi va simmetrik o‘tish uchun qaraganda kam miqdorga ega bo‘ladi. To‘g‘ri kuchlanish berilganda to‘g‘ri tok xam n-xududidan bazaga to‘liq teshiklar oqimidan iborat bo‘ladi va endi uncha katta bo‘lmagan to‘g‘ri kuchlanishlarda eksponensial shaklida oshib boradi (n-p o‘tishni volt-amper tavsifini tenglamasi quyidagi ko‘rinishga ega bo‘ladi.
Ko‘p holatlarda YO’D simmetrik n-p o‘tishdan farq qilishi shundaki, diodning p-xududiga (nosimmetrik n-p-o‘tish) qaraganda, n-xududi ancha ko‘p miqdorda aralashmalarga ega, ya’ni Nn>>Np. Bunday holatda p-xududi diod bazasi deb nomlanadi. Bunday o‘tishga teskari kuchlanish berilganda to‘yinish toki bazan n-xududiga faqat teshiklar oqimidan iborat bo‘ladi va simmetrik o‘tish uchun qaraganda kam miqdorga ega bo‘ladi. To‘g‘ri kuchlanish berilganda to‘g‘ri tok xam n-xududidan bazaga to‘liq teshiklar oqimidan iborat bo‘ladi va endi uncha katta bo‘lmagan to‘g‘ri kuchlanishlarda eksponensial shaklida oshib boradi (n-p o‘tishni volt-amper tavsifini tenglamasi quyidagi ko‘rinishga ega bo‘ladi.
