Ўзбекистон алоқа ва ахборотлаштириш агентлиги


Laboratoriya ishini bajarish tartibi



Yüklə 4,04 Mb.
səhifə24/30
tarix20.11.2023
ölçüsü4,04 Mb.
#165325
1   ...   20   21   22   23   24   25   26   27   ...   30
Ўзбекистон ало а ва ахборотлаштириш агентлиги

2. Laboratoriya ishini bajarish tartibi:
2.1. MT da yasalgan kalit uzatish xarakteristikasiga yuklama qarshiligining ta’sirini UChIQ=f(UKIR) tadqiq etish.
n- turdagi kanali induksiyalangan MDYa tranzistorda bajarilgan kalit sxemasi 13.2- rasmda keltirilgan. Sxema Ye2 = 9V manbadan ta’minlanadi. Kirish kuchlanishi UKIR rostlanuvchi Ye1 kuchlanish manbaidan beriladi. Chiqish kuchlanishi UChIQ va iste’mol qilinayotgan tokni o‘lchash uchun raqamli voltmetr va ampermetrlardan foydalaning. VT1 sifatida K176LP1 mikrosxemadagi n-kanalli tranzistorlarning birini oling. Ishlash qulay bo‘lishi uchun ilovada keltirilgan mikrosxema prinsipial sxemasini chizib oling va elektrodlari raqamlarini belgilab oling.
Tajribani quyidagi tartibda olib borish tavsiya etiladi:

  • n - MDYa tranzistorlarda yasalgan kalit uzatish xarakteristikasini tadqiq etish;


13.2 – rasm. . n -MDYa tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemasi.





  • MDYa tranzistor stok zanjiriga chiziqli rezistor R=51 kOm ni ulang;

  • kuchlanish manbai qiymatini E2 =9 V qilib o‘rnating;

  • kirish kuchlanishini 0 ÷9V gacha o‘zgartirib borib, UChIQ = f(UKIR) va IIST=f(UKIR) bog‘liqligini o‘lchang;

  • qarshilikning R=10 kOm va 3,5 kOm qiymatlari uchun o‘lchashlarni takrorlang;

  • tajriba natijalaridan foydalanib UChIQ=f(UKIR) bog‘liqlik grafiklarini chizing.

Olingan natijalarni 13.1 – jadvalga kiriting.
13.1 – jadval

Ukir, V

0

0,5

1

1,5

2

3

4

5

6

7

8

9

Uchiq, V





































Iist, mA







































3. Tajribada olingan natijalarni ishlash.
3.1. 2- bandda olingan uzatish xarakteristikalarini chizing.
3.2. Har bir kalit uchun mantiqiy signal U0 va U1 sathlari va mantiqiy signallar sathlar farqi ΛU = U1 – U0 ni aniqlang. Olingan natijalarni 13.2 – jadvalga kiriting.
13.2 – jadval

Parametr
Yuklama turi

U0, V

U1, V

ΛU, V

PO‘RT, mV

Qarshilikli yuklama













Ryu=51kOm













Ryu=10kOm













Ryu=3,5kOm













n – MDYa (p-MDYa) tranzistorli kalit













3.3. Mantiqiy nol va mantiqiy bir holatlarida manbadan iste’mol qilinayotgan quvvatning o‘rtacha qiymatini aniqlang:


; .
4. Hisobot mazmuni:

  • o‘lchash sxemalari;

  • olingan bog‘liqliklar jadvallari va grafiklari;

  • o‘lchash va hisob natijalarining tahlili.

5. Nazorat savollari.


1. Tranzistorli kalit, qo‘llanish sohasi.
2. Yuklama sifatida qarshilik ulangan kalit parametrlarining yuklamadagi qarshilik qiymatiga bog‘liqligini tushuntiring.
3. Tranzistorli kalitni ishlash prinsipini tushintiring
4. Vaqt diagrammasi asosida tranzistorli kalitda o‘tish jarayonlarini tushuntiring.


14– LABORATORIYA ISHI
TTM integral sxemasini tadqiq etish


Ishning maqsadi: Tranzistor – tranzistor mantiq integral sxemasi elektr parametrlarini tadqiq etish
1. Nazariy ma’lumotlar:
Bu ishni bajarishda mantiqiy mikrosxemalar asosiy elektr parametrlarining fizik ma’nosiga va o‘lchash uslublariga, hamda tranzistor – tranzistorli mantiq (TTM) ning sxemotexnik xossalariga e’tibor qaratish kerak. Statik parametrlar uzatish xarakteristikasi (Uchiq=f(Ukir)) grafigi yordamida (14.2 - rasm) aniqlanishi mumkin.
Avval uzatish xarakteristikasidan (14.1 - rasm) mantiqiy nol U0 va mantiqiy bir U1 sathlari (uning ko‘zguli aksi bilan tutashgan A va V nuqtalaridan aniqlanadi), so‘ngra 14.2 – rasmdagi grafikdan I0kir i I1kir aniqlanib olinadi.


14.1 – rasm. TTM mantiqiy elementini uzatish xarakteristikasi.

14.2 – rasm. Uzatish xarakteristikasidan I0KIR i I1KIR qiymatlarini aniqlash.

Grafik yordamida (14.1 – rasm) IMS statik shovqinlarga bardoshligi Un=min (U+n,Un ) aniqlanadi. (S va D nuqtalarda urinma 45° burchak ostida o‘tishini eslatib o‘tamiz).


Mikrosxema tezkorligi signal tarqalishining o‘rtacha vaqti bilan aniqlanadi:
,
bu yerda t0,1kech va t1,0kech – impuls amplitudasining 0,5 darajasida o‘lchanadigan, impuls oldi va orqa frontlarining o‘rtacha kechikish vaqti.
Mikrosxema tejamkorligi o‘rtacha iste’mol quvvati (nol va bir holatlarda) bilan baholanadi:
.
Laboratoriya ishida tarkibida 4 ta 2YoKI–EMAS sxemasi bo‘lgan K155LAZ yoki K555LAZ mikrosxemasi qo‘llaniladi. Tadqiq etilayotgan mikrosxema prinsipial sxemasi, chiqishlarning joylashishi va asosiy elektr parametrlari ilovada keltirilgan.
Ishni bajarishga tayyorgarlik ko‘rish jarayonida ilovada keltirilgan IMS sxemasi va parametrlari hisobotga kiritilishi lozim.



Yüklə 4,04 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   20   21   22   23   24   25   26   27   ...   30




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin