Ii bob. Yarimo'tkazgichlarda kontakt hodisalar

II BOB. YARIMO'TKAZGICHLARDA KONTAKT HODISALAR

Qattiq jism o'tkazuvchanlik turi bilan farqlanuvchi yoki o'tkazuvchanlik turi bil xii bo'lib, solishtirma qarshiligi bilan farqlanuvchi sohalari orasidagi kontakt natijasida hosil bo'ladigan o'tkinchi qatlam elektr o'tish deb ataladi. Yarimo'tkazgich asboblarda elektron-kovak o'tish yoki p - n o'tish deb ataluvchi elektr o"tishdan keng foydalaniladi.
Taqiqlangan zonalari kengligi teng, ya'ni kimyoviy jihatdan bir xii yarimo'tkazgich materiallar (masalan, Si yoki GaAs) asosidagi elektr o"tishlar gomoo'tish, taqiqlangan zonalari qiymati bir-biridan farqlanuvchi yarimo'tkazgichlar asosidagi o'tishlar esa geteroo'tish deb ataladi.
Metallarda taqiqlangan zona bo'lmagani sababli geteroo'tishlarning xususiy holiga mos, metal/ - yarimo'tkazgich deb ataluvchi elektr o'tishlar ham elektronikada keng qo'llaniladi.
Ko"p yarimo'tkazgich asboblar va integral mikrosxemalarning ishlash prinsipi elektr o'tishlarning xususiyatlariga asoslanadi.

1. Muvozanat holatda p-n o'tish

a P
Yarimo'tkazgich asboblarning aksariyati bir jinsli bo'lmagan yarimo'tkazgichlar asosida yaratiladi. Xususiy holda, bir jinsli bo'lmagan yarimo'tkazgich monokristalning ma'lum sohasi p - turli, boshqa sohasi n - turli o'tkazuvchanlikni namoyon etadi. Yarimo'tkazgichning p - va n - sohalari chegarasidan ikki tomonda hajmiy zaryad sohasida elektron-kovak o'tish yoki p-n o'tish hosil bo'ladi. Uning ishlash mexanizmini oydinlashtirish uchun 11 - sohadagi elektronlar va p - sohadagi kovaklar soni bir-biriga teng va har bir sohada oz miqdorda noasosiy zaryad tashuvchilar mavjud deb hisoblaymiz. Xona temperaturasida p - turli yarimo'tkazgichda akseptor kirishmalar rnanfiy ionlari konsentratsiyasi N -, kovaklar konsentratsiyasi p ga, n - turli yarimo'tkazgichda esa, donor kiritmalar musbat ionlari konsentratsiyasi
N.,+, elektronlar konsentratsiyasi nn ga teng. p - va n - sohalar
chegarasida kovaklar va elektronlar konsentratsiyasi gradiyenti mavjud bo'lganligi sababli elektronlarning p - sohaga, kovaklarning n - sohaga diffuziyasi boshlanadi.

DitTuziya natijasida chegara yaqinidagi n - sohada elektronlar konsentratsiyasi qo'zg'almas musbat donor ionlari konsentratsiyasidan kamayadi va bu qatlam musbat zaryadlana boshlaydi. Bir vaqtning o'zida chegaradosh p - sohada kovaklar konsentratsiyasi ham qo'zg'almas manfiy akseptor ionlari konsentratsiyasidan kamayadi va bu qatlam manfiy zaryad ola boshlaydi (2.1, a-rasm). Natijada, chegaradan ikki tomonda qo'sh elektr qatlam hosil bo'ladi. Rasmda
a)