Asosiy qism I. Bob yarimo’tkazgichli yorug’lik manbalari va qabul qilgichlari

Fototranzistorlar asosidagi fotopriyomniklar

Fototranzistor – strukturasi bo’yicha tranzistorga o’xshash va signalni ichki kuchayishini taminlovchi fotosezgir yario’tkazgichli nurlagich qabul qilgich.Uni fotodiod va fototranzistordan tashkil topgan deb tassavur qilish mumkin. Fotodiod bo’lib baza – kollektor o’tishni yoritilgan qismi, transistor bo’lib emitter ostiga to’g’ridan to’g’ri joylashgan strukturani bir qismi hisoblanadi. Chunki, fotodiod va tranzistoni kollektor o’tish konstktuv birlashgan, shu sababli fototok kollektor tok bilan jamlashadi. Ta’minot kuchlanishi shunday beriladiki, kollektor o’tish yopiq,emmiter o’tish esa ochiq bo’ladi. Baza uzulgan bo’lishi mumkin. Bazani yoritish bilan unda elektron – kovak juftlik hosil bo’ladi. Fotodiodda hosil bo’lgan juftliklar diffuziya natijasida kollektor o’tishga etib o’tish maydonni ajralib, asosiy bo’lmagan tashuvchilar bazadan kollektor tomon harakatlanadi, bunda uni toki oshadi.Asosiy tashuvchilar bazada qoladi,emmiterga nisbatan uni potensiali kamayadi. Bunda emitter o’tishda qo’shimcha to’g’ri kuchlanish faydo bo’ladi, natijada emitterdan bazaga qoshimcha injeksiya keltirib chiqaradi va mos kollektor toki oshadi.[21]

5.6 – rasm. Qo’shqutbli n- p- n strukturali fototranzistorni ulanish sxemasi (a) va chiqish xarakteristikasi(b).
Masalan , bazasi uzilgan sxemaga umumiy emitterli ulangan fototranzistorni ishlashini ko’ramiz(5.6 - rasm). Kollektor o’tish fototoki kollektor teskari tok bilan jamlangan bo’ladi, shuning uchun transistor toki uchun Iko o’rniga Iko+if ni qoyish kerak bo’ladi.


IК0>> IФ bo’lsa

Ya’ni fototranzistorni fototoki fotodiod tokiga nisbatan β marta kuchayadi.Mos ravshda sezgirlik ham β marta oshadi.Tok 1000 marta sezgirligidah ko’p marta katta. Biroq kuchayish koeffisientini chastota kengligiga ko’paytmasi o’zgarmas kattalik bo’lib, unda chegara chastota β marta kamayadi . Diffuzjiyani mavjudligi asbob inertligi T = 10-5 …10-6 s. ancha egaligini bildiradi. [22]

Fototranzistorlarni konstruksiyasi bo’yicha ikki xil: ko’ndalang va bo’ylama ko’rinishlari mavjud (2.5.7 - rasm). Bo’ylama tranzistorlar konstruksiyasi va texnologiyasi ancha soda bo’lib, integral sxemalar uchun qulay, biroq o’zini funksional parametrlari bo’yicha pastroqdir.

5.7 – rasm. Ko’dalang va bo’ylama konstruksiyali fototranzistor.
Fototranzistorlarni afzalligi: ichki kuchayish mexanizimini mavjudligi, ya’ni yuqori fotosezgirlik,uchiinchi elektrod bog’liq bo’lgan sxemotexnik egiluvchanlik.
Asosiy kamchiliklari: tezkorligini chegaralanganligi va parametrlarni temperaturaga bog’liqligi.