Asosiy qism I. Bob yarimo’tkazgichli yorug’lik manbalari va qabul qilgichlari



Yüklə 0,61 Mb.
səhifə25/25
tarix21.12.2023
ölçüsü0,61 Mb.
#188559
1   ...   17   18   19   20   21   22   23   24   25
Dissertatsiya(Fotopryomniklar)100%

Барабан

Ток I (А)

I/Io

λ (мкм)

E (eV)

J, mA/cm2

Темновой

9,28E-09













1000

5,35E-08

3

3,88

0,32

1,67E-07

1100

6,52E-08

3,553

3,44

0,36

2,04E-07

1200

8,46E-08

4,611

3,02

0,41

2,64E-07

1300

1,15E-07

6,267

2,64

0,47

3,59E-07

1400

1,61E-07

8,774

2,25

0,55

5,03E-07

1500

2,42E-07

13,188

1,85

0,67

7,56E-07

1550

3,16E-07

17,221

1,63

0,76

9,88E-07

1600

4,64E-07

25,286

1,43

0,87

1,45E-06

1610

5,14E-07

28,011

1,38

0,9

1,61E-06

1620

6,03E-07

32,861

1,34

0,93

1,88E-06

1630

9,85E-07

53,678

1,29

0,96

3,08E-06

1640

2,64E-06

143,869

1,25

1

8,25E-06

1650

6,39E-06

348,2

1,20

1,03

2,00E-05

1660

1,49E-05

814,2

1,15

1,08

4,67E-05

1670

3,03E-05

1651,8

1,09

1,14

9,47E-05

1680

5,86E-05

3190,7

1,05

1,18

1,83E-04

1690

9,95E-05

5424,0

1,02

1,21

3,11E-04

1700

1,57E-04

8555,9

1,00

1,24

4,91E-04

1705

1,86E-04

10136,2

0,98

1,26

5,81E-04

1710

2,21E-04

12043,6

0,98

1,27

6,91E-04

1715

2,54E-04

13842,0

0,97

1,28

7,94E-04

1720

2,85E-04

15531,3

0,96

1,29

8,91E-04

1725

3,17E-04

17275,2

0,95

1,31

9,91E-04

1730

3,44E-04

18746,6

0,94

1,33

1,08E-03

1735

3,71E-04

20218,0

0,93

1,34

1,16E-03

1740

3,94E-04

21471,4

0,92

1,35

1,23E-03

1750

4,27E-04

23269,8

0,86

1,44

1,33E-03

1760

4,46E-04

24305,2

0,78

1,59

1,39E-03

1770

4,53E-04

24686,6

0,73

1,7

1,42E-03

1780

4,48E-04

24414,2

0,68

1,82

1,40E-03

1800

4,07E-04

22179,8

0,60

2,07

1,27E-03

1850

1,99E-04

10844,7

0,50

2,48

6,22E-04

1900

5,74E-05

3128,1

0,47

2,64

1,79E-04

1950

1,31E-05

714,4

0,45

2,76

4,10E-05

2000

2,76E-06

150,4

0,43

2,88

8,63E-06






















3.9-rasm Si( Zn) ning T=7000C haroratda t=1 soat davomida tok zichligining energiyaga bog’liqligi





3.10-rasm Si( Zn) ning T=7000C haroratda t=1 soat davomida tok zichligining


to’lqin uzunligiga bog’liqligi



Барабан

Ток I (А)

I/Io

λ (мкм)

E (eV)

J, mA/cm2

Темновой

3,80E-10













1000

1,26E-07

7

3,88

0,32

3,94E-07

1100

1,55E-07

8,447

3,44

0,36

4,84E-07

1200

2,01E-07

10,954

3,02

0,41

6,28E-07

1300

2,71E-07

14,768

2,64

0,47

8,47E-07

1400

4,16E-07

22,670

2,25

0,55

1,30E-06

1500

1,51E-06

82,289

1,85

0,67

4,72E-06

1550

3,18E-06

173,297

1,63

0,76

9,94E-06

1600

7,02E-06

382,561

1,43

0,87

2,19E-05

1610

8,45E-06

460,490

1,38

0,9

2,64E-05

1620

1,03E-05

560,218

1,34

0,93

3,21E-05

1630

1,47E-05

802,725

1,29

0,96

4,60E-05

1640

3,31E-05

1803,815

1,25

1

1,03E-04

1650

6,69E-05

3646,3

1,20

1,03

2,09E-04

1660

1,30E-04

7084,5

1,15

1,08

4,06E-04

1670

2,37E-04

12915,5

1,09

1,14

7,41E-04

1680

4,08E-04

22234,3

1,05

1,18

1,28E-03

1690

6,03E-04

32861,0

1,02

1,21

1,88E-03

1700

8,11E-04

44196,2

1,00

1,24

2,53E-03

1705

9,11E-04

49645,8

0,98

1,26

2,85E-03

1710

1,00E-03

54495,9

0,98

1,27

3,13E-03

1715

1,07E-03

58310,6

0,97

1,28

3,34E-03

1720

1,12E-03

61035,4

0,96

1,29

3,50E-03

1725

1,16E-03

63215,3

0,95

1,31

3,63E-03

1730

1,17E-03

63760,2

0,94

1,33

3,66E-03

1735

1,15E-03

62670,3

0,93

1,34

3,59E-03

1740

1,12E-03

61035,4

0,92

1,35

3,50E-03

1750

1,00E-03

54495,9

0,86

1,44

3,13E-03

1760

8,50E-04

46321,5

0,78

1,59

2,66E-03

1770

6,96E-04

37929,2

0,73

1,7

2,18E-03

1780

5,58E-04

30408,7

0,68

1,82

1,74E-03

1800

3,62E-04

19727,5

0,60

2,07

1,13E-03

1850

1,13E-04

6158,0

0,50

2,48

3,53E-04

1900

2,95E-05

1607,6

0,47

2,64

9,22E-05

1950

7,96E-06

433,8

0,45

2,76

2,49E-05

2000

2,20E-06

119,9

0,43

2,88

6,88E-06


3.11-rasm Si( Se) ning T=7000C haroratda t=1 soat davomida tok zichligining energiyaga bog’liqligi





3.12-rasm Si( Se) ning T=7000C haroratda t=1 soat davomida tok zichligining


to’lqin uzunligiga bog’liqligi
Yuqorida keltirilgan IKS-12 spektrometridan olingan natijalardan kelib chiqib Infraqizil sohada to’lqin uzunligi 1.5-3 mkm atrofida sezadigan kremniy materiali asosida tayyorlangan AII BVI binar birikmalari asosida olingan namunalarimizdan eng muqobili RuxSelen(ZnSe) kremniy T=12000C haroratda 2 soat davomida olingan namunamiz eng yaxshisi bo’lib chiqdi.

Quyidagi grafikda shu natijamiz ya’ni ZnSe ni Se dan farqli grafigi tasvirlangan:










XULOSA
Xulosa qilib aytganda kremniy tarkibida hosil qilingan AIIBVI binar birikmalarni konsentrastiyasi, holati va shakllanishiga haroratning, diffuziya vaqtining, sovutish tezligining, dastlabki material tipi va konstentratstiyasining hamda qo’shimcha past haroratli ishlov berishning ta’siri o’rganildi. Klasterlar tarkibiy qismi o’rganilganda uning asosiy qismi kremniydan iboratligi aniqlandi, undagi AIIBVI binar birikmalar miqdori 1-2% ni tashkil etadi. Diffuziya harorati, sovutish tezligi, past haroratli ishlov berish vaqtini o’zgarishi bilan AIIBVI binar birikmalar zichligi, o’lchami va taqsimotini boshqarish mumkinligi ko’rsatildi.
Hozirgi kunda ishlatiladigan Infraqizil (IQ) nurlarni sezadigan fotopryomniklarda ishlatiladigan materiallar ta’qiqlangan soxasi kichik bo‘lgan yarimo‘tkazgichlar asosida olinadi. Ta’qiqlangan soxaning kamayib borishi issiqlik energiyasi kT ga yaqinlashganda materialning IQ soxadagi nurlarni qayd qilish imkoniyati yo‘qoladi. Kremniy materiali asosida 1 mkm dan katta bo‘lgan to‘lqin uzunlikdagi nurlanishni qayd qilish imkoni yo‘q. Shuning uchun kremniy kristal panjarasida nanoklasterlarni xosil qilish bilan IQ datchiklarni yaratish ilmiy va amaliy jixatdan katta axamiyatga ega.
Bizga ma’lumki shu paytgacha IQ fotodatchiklarini yaratishda yupqa qatlamli materiallardan foydalanilgan. Hozirda biz IQ fotodatchiklarini kristall shaklida olmoqdamiz.
IQ fotodatchiklarimiz to‘lqin uzunligi λ=1,5-3 mkm to‘lqin uzunlikdagi IQ nurlarni sezmoqda.


Foydalanilgan adabiyotlar


1. Baxadirxanov M.K., Kobilin G.O., Tachilin S.A. Fizika i texnologiya solnechnix elementov.
Uchebnoe posobie 1 i 2 chast`. –T.: NISIM, 2007.-149s.
2. Akramov H., Zaynabiddinov C., Teshaboyev A. Yarim o’tkazgichlarda fotoelektrik hodisalar. О'quv qo'llanma. -T.: O’zbekiston, 1994. – 134 b.
3. Baxodirxonov M.K., Iliev X.M., Xolmatov A.A., Yarim utkazgichlar fizikasi asoslari darslik.
-T.: ToshDTU, 2014. - 186 b.
4. Teshaboev A. T., Zaynabbidinov S.Z., Ismoilov K.A., Ermatov SH.A., Abduazimov V.A.
Nanozarralar fizikasi, kimyosi va texnologiyalari. O'quv qo'llanma. T.: Kamalak pres, 2014. - 368 b.
5. Teshaboyev A., Zaynobidinov S., Musayev E.A., Yarim o`tkazgichlar va yarimo`tkazgichli asboblar texnologiyasi.O’quv qo’llanma - T.: Talqin - Qaldirg`och, 2006. - 336 b.
6. Normurodov M.T., Umirzoqov B.YE., Parmonqulov I.P. Elektron texnika materiallari va qurilmalari texnologiyasi. Darslik. - T.: Mehnat, 2004. – 362 b.[35]
7. Parmonqulov I.P., Umirzoqov B.YE., Shahobiddinov Z.N., Risbaev A.S., Elektron asboblar va qurilmalar ishlab chiqarish texnologiyasi. O'quv qo'llanma. - T.: TDTU, 2002. – 136 b.
8. Parmonqulov I.P, Umirzoqov B.Ye., Elektron texnika mahsulotlarini yig’ish texnologiyasi. O’quv qo’llanma. –T.: Voris-nashriyot, 2006. - 272b.
9. Iliev X.M. Yarim o'tkazgichli asboblar va integral sxemalar texnologiyasi. Ma'ruzalar to'plami. -T.: TDTU, 1999. – 90 b.
10. Baxodirxonov M.S., Ibroximov N., Zikrillaev N.F., Iliev X.M. Yarim o'tkazgichli asboblar va integral sxemalar texnologiyasi kursiga oid atamalar. -T.: TDTU, 1999. -30 b.
11. Mamadalimov A.T., Tursunov M.N., Yarim o'tkazgichli quyosh elemen-tlari fizikasi va texnologiyasi. O'quv qo'llanma. -T.: O'zMU, 2003.-104 b.[48]
12. Teshaboyev A.T., Zaynabiddinov C.Z., Ermatov Sh, Qattiq jism fizikasi. Darslik. –T.: Moliya, 2001. – 164 b.
13. Iliev X.M., Koveshnikov S.V., Usenkon YU. Al`ternativnie istochniki energii. Uchebnoe posobie. -T.: Sayoxat, 2007.-146b.
14. Pul-ml.CH., Ouens F. Nanotexnologii. Uchebnoe posobie. –M.: Texnosfera, 2010.-336s
15. Martines-Duart Dj.M., Martin-Palma R.Dj., Fchullo-Rueda F. Nanotexnologii dlya mikro- i optoelektroniki. Uchebnoe posobie. –M.: Texnosfera, 2007.-368s16. Bahodirxonov М.К., Qurbonova O’. H, Isayev F.M., Muradagayeva М.V., Nanoelektronikaning fizik tushunchalari bo’yicha izohli lug’at. –T.: Meriyus, 2010.-136b.
17. Zikirillayev N.F., Begimqulova К.Q., Noananaviy qayta tiklanuvchi energiya manbalaridan izohli lug’at. -T.: Meriyus, 2010.-145b.
18. Bahodirxonov M.K., Iliyev Х.М., Isayev F.М., Karimov R.A., Elektronika fanidan asosiy tushunchalar izohli lug’at. –T.: Meriyus, 2008.-134b.


Internet saytlari:

  1. http://avnsite.narod.ru/physic/pp/index.htm

  2. http://elanina.narod.ru/lanina/index.files/student/tehnology/text/gaas.htm

  3. http://www.ad.ugatu.ac.ru/knbase/conten.htm

  4. http://solbaat.narod.ru/index.htm

  5. http://www.ioffe.rssi.ru/journals/ftp/

  6. http://www.intersolar.ru

  7. http://www.courier.com.ru/energy

  8. http://solarenergy.iatp.org.ua/index.htm

  9. http://esco-escosys.narod.ru/2003_5/index.htm




Yüklə 0,61 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   17   18   19   20   21   22   23   24   25




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin