FPM DRAM, EDO DRAM va Synchronous DRAM uchun parametlarni belgilaydi. AUTOCONFIGURATION (avtomatik konfiguratsiya) – 3 belgiga mazmunga ega: 60 ns – tez ta‘sir etuvchi 60 nsli DRAM ga kirish parametrlarini belgilaydi. 70 ns- tez ta‘sir etuvchi 70 nsli xotira uchun parametrni belgilaydi;
DISABLED(taqiqlangan) – DRAM xotirasiga kirish mumkin bo’lgan barcha parametrlarini belgilash imkonini beradi.
DRAM RAS# PRECHARGE TIME (RAS bo’yicha avvaldan zaryadlash vaqti) – bu funksiya RAS signalini shakllantirish uchun tizimli shinaning taktlarini sonini aniqlash imkonini beradi. Bu ifodaning kamaytirilishi tez ta‘sir etishni orttiradi, ammo aniq xotira uchun haddan tashqari kamaytirish ma‘lumotlarning yo’qolishiga olib kelishi mumkin. Quyidagi ifodalarni qabul qiladi: 3 yoki 4.
DRAM R/W Leadoff Timing(O’qish- yozish operatsiyalarini bajarishga tayyorlashdagi taktlar soni) – DRAM bilan barcha operatsiyalarni bajarishgacha shinadagi taktlar sonini belgilaydi. Parametr quyidagi ifodalarni (ma‘nolarni) qabul qilishi mumkin:
8/7 – O’qish uchun 8 takt va yozish uchun 7 takt; 7/5 - O’qish uchun 7 takt va yozish uchun 5 takt;
DRAM RAS to CAS delay(RAs va CAS orasidagi to’xtam) – xotiraga kirish vaqtida ustunlar va qatorlarga yurish bir-biridan alohida bajariladi. Bu parametr bir signalning boshqasidan ma‘lum masofada bo’lishini aniqlaydi. Parametr quyidagi ifodalarni qabul qilishi mumkin:
3- 3 takt to’xtam;
2- 2 takt to’xtam; Bu ma‘noni (ifodani) kamaytirish tez ta‘sir etishni orttiradi. 1
1 DRAMREADBURST Timing (xotirani paketli o’qish vaqti) – O’qish va yozishga talab protsessor yordamida 4 ta alohida fazoda yuzaga keltirliladi. 1 fazoda xotiraning ma‘lum sohasiga murojat etishga xarakat qilinadi, qolganlarida asosan ma‘lumotlarni o’qish ro’y beradi. Parametr quyidagi ifodalarni qabul qilishi mumkin:
X 2222- 2 takt ushlab turish;
X 3333- 3 takt ushlab turish;
X 4444- 4 takt ushlab turish.
Taktlarni umumiy miqdorini kamaytirish tez harakatlanishni orttiradi .
