M.Ə. Ramazanov, A. Q. Həsənov



Yüklə 4.53 Kb.
PDF просмотр
səhifə4/16
tarix02.12.2016
ölçüsü4.53 Kb.
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   16

Şəkil 2-3. Sabit cərəyan rejimi (a) və sabit hündürlük rejimi (b).  
 
 Nümunə səthinin hər hansı r
0
 nöqtəsində elektronların kva-
zikəsilməz spektr yaxınlaşmasında tunel cərəyanının ifadəsi 
aşağıdakı kimi təyin olunur [4]: 
             
(
)

eV
E
r
D
E
r
s
E
dE
V
r
T
0
)
,
0
(
)
,
0
(
)
(
~
,
0
ρ
ρ
            (3) 
burada  D(r
0
,E)-çəpərin  şəffaflığı;
)
(E
T
ρ
-zondla  əlaqəli hal-
ların sıxlığı; 
(
)
E
r
S
,
0
ρ
-r
0
 nöqtəsində nümunənin hallarının 
sıxlığı. Beləliklə, tunel cərəyanı zond və nümunə hallarının sıx-
lıqlarının spektri kimi təsvir olunur. Spektrdə nümunənin halı 
əsas rol oynayır. Aşağı temperaturlarda sadə düzbucaqlı çəpər-
də Fermi səviyyəsi yaxınlığında zondun hallar sıxlığı    sabit 
qalarsa (3) düsturundan cərəyanın ifadəsini  
( )

eV
dE
E
r
s
E
r
I
0
)
,
0
(
~
,
0
ρ
 
şəklində yazmaq olar.               
Bu halda tunel cərəyanının gərginlikdən asılılığı nümunənin 
Skanedici tunel mikroskopu vasitəsilə bərk cisim səthinin tədqiqi 
 
 
45
energetik spektrində hal sıxlığına əsasən təyin olunur. 
Təcrübədə
)
,
( 0 E
r
S
ρ
kəmiyyəti tunel cərəyanının gərginliyə 
görə törəməsi kimi qiymətləndirilir: 
( )
V
I
eV
S


~
ρ

 
İynənin materialının hal sıxlığının xüsusiyyətləri keçiricilik-
də də özünü göstərir. Bəzi hallarda, məsələn, yarımkeçirici-vol-
fram cütü üçün spektrində  ən maraqlı xüsusiyyət, yarımkeçi-
ricinin həcm və ya səthin hallarının ~ 
eV
E
F
2
1

=
 enerjisinə 
yaxın qiymətləri intervalında yerləşir, burada volframın hal 
sıxlığı vəziyyəti xüsusi əhəmiyyət kəsb etmir.  
 Yarımkeçirici nümunələrdə elektronların energetik spektri 
mürəkkəb struktura malikdirlər. Yarımkeçirici materialların 
spektrində qadağan zonaların və  aşqar səviyyələrin olması 
metal-yarımkeçirici tunel kontaktının  VAX xarakteristikasını 
qeyri-xətli edir (səkil 2-4a). Tunel cərəyanına səthin vəziyyət-
ləri və  həmçinin səthdə adsorbsiya olunmuş başqa atomlarla 
əlaqəli enerji səviyyələri mühüm əlavələr edir. Buna görə  də 
yarımkeçirici materialların lokal tunel spektrlərinin tədqiqi 
yüksək vakuum şəraitində aparılmalıdır.  
 Tunel 
spektrləri keçiricilik zonasının sərhədinin vəziyyətini 
və    Fermi  səviyyəsinə  nəzərən valent zonasını  təyin etməyə, 
həmçinin yarımkeçiricilərin qadağan zonaları daxilində  aşqar 
spektral piklərini təyin  etməyə imkan verir.  
 
Səthin STM-də alınmış  şəkilləri tunel kontaktın tətbiq 
olunan gərginliyin qiyməti və istiqamətindən asılıdır. Bu elek-
tronların iynədən nümunənin sərbəst hallarına (Free states) və 
ya nümunənin  dolmuş hallarından (Filled states) iynəyə (şəkil 
2-4b) tunelləşməsi xüsusiyyətləri ilə əlaqədardır. 
 Tunel kontaktında tətbiq olunan gərginliyin müxtəlif 
qiymətlərində CD ROM diskinin səthinin STM şəkilləri şəkil 2-
5 də göstərilmişdir. 

“Nanotexnologiyadan laboratoriya  işləri”. Dərs vəsaiti  
 
46 
 
 
Şəkil 2-4.  a) Metal-yarımkeçirici tunel kontaktın VAX-nin  
sxematik şəkli; 
b) elektronların tunelləşməsinin istiqamətinin təsiri. 
   
 
 
 
 
 
a)   
 
 
 
 
 
 
 
b) 
Şəkil 2-5. Nümunədə səthin 2D və 3D STM şəkilləri: a) 2D;    b) 3D. 
 
V-modulyasiya 
  V-modulyasiya üsulunda sabit gərginlik  V
=
  həm də tunel  
kontaktında kiçik dəyişən V
~
 gərginlik tətbiq olunur. Bu zaman 
tunel cərəyanının  dəyişən hissəsi üçün 
 
 
)
,
,
,
(
~
~
V
e
E f
y
x
dV
dI
I
=
+
=
ρ
 olar. 
 Bu 
zaman 
əks  əlaqə sabit siqnalda saxlanılır, tunel cərə-
yanın dəyişən hissəsi spektroskopik şəklin alınması zamanı 
istifadə olunur. Beləliklə, topoqrafiyanın ölçülməsi (alınması) 
ilə lokal hal sıxlığının topoqrafiyasının alınması  eyni zamanda 
Skanedici tunel mikroskopu vasitəsilə bərk cisim səthinin tədqiqi 
 
 
47
mümkündür.  
Z-modulyasiya
 
Səthin STM şəkillərini sabit tunel cərəyan rejimində alar-
kən, çıxış işinin variasiyası, ümumiyyətlə, şəkildə təhriflərə gə-
tirib çıxarar. Doğrusu bu təhriflər çox kiçikdir və V gərginliyin 
qiymətləri 2
÷ 5eV intervalında dəyişərkən bir neçə anqstrem 
tərtibində olar, bunları 
)
,
(
γ
ϕ
x
asılılığında nəzərə almaq və eyni 
bir təcrübədə ölçmək lazımdır. Bunun üçün iynənin ucu ilə 
nümunə arasındakı məsafəni 
δ  kiçik kəmiyyətinə modulyasiya 
edərək  
  
ϕ
δ
δ
m
h
IT
dz
IT
d
IT
I
2
2
~
=
=
  kimi təyin olunan tunel 
cərəyanın dəyişən komponentini ölçmək lazımdır.  
Beləliklə, nəinki topoqrafiyanı ölçmək mümkündür, həm də 
nümunə  səthinin çıxış  işlərinin qiymətləri ilə  fərqlənən müx-
təlif  tərkibə bölüb ölçmələr aparmaq olar.  
STM şəkillərinin keyfiyyətinə təsir edən faktorlar
  
      Skanedici zond mikroskopu səthin bütün X, Y və Z istiqa-
mətlərində böyüdülmüş şəklini almağa imkan verir, həm də hər 
bir ox istiqamətində maksimal ayırdetmə qabiliyyəti ayrı-ayrı 
faktorlarla təyin olunur.  
     Z  oxu  üzrə ayırdetmə, birincisi sensorun həssaslığı  və 
ikincisi zondun nümunə  səthinə  nəzərən rəqs amplitudu ilə 
məhdudlaşdırılır. Mikroskopun konstruksiyası elə olmalıdır ki, 
belə titrəmələrin amplitudunun anqstrem səviyyəsində kiçilmə-
sini təmin etsin.  
    Nümunə  səthinin normalı istiqamətində STM-in ayırdet-
məsi atom ölçülü-hamar səthlər üçün əlverişli hallarda 0,01 
anqstremə çatır. Tunel cərəyanın  I(z)  kəskin asılı olması, 
aparatın elektron səsi, tunel cərəyanının nisbi səsi və başqa 
buna oxşar təsirlər nəticələrə zəif təsir edirlər. Bəzən çirkli səth 
üçün Z koordinatı üzrə  səs ciddi artmış olur və mikrometrin 
hissələrinə çatmış olur.  
     X-Y  müstəvisində maksimal ayırdetmə  ən  əvvəl zondun 

“Nanotexnologiyadan laboratoriya  işləri”. Dərs vəsaiti  
 
48 
 
dəqiq skanetməsi ilə  təyin olunur. Zondun ucunun həndəsi 
ölçülərinin quruluşu xüsusi əhəmiyyət  kəsb edir. İdeal hamar 
müstəvi (atom-müstəvi) səthlərin skanedilməsi ayırdetmə iynə-
nin ucundakı atomun diametri ilə  məhdudlaşdırılır (sonuncu 
atomun effekti, şəkil 2-6). Beləliklə, yüksək ayırdetməni qiy-
mətləndirmək üçün hesab etmək olar ki, tunelləşdirmə (90%-ə 
qədər cərəyan) eyni bir atomda baş verməsini qəbul etmək olar. 
Zondun makroskopik həndəsi ölçüləri atom tərtibində ayırd-
etmə üçün  həlledici deyildir.  
 
    
Şəkil  2-6.  İynə ucunun nümunə ilə qarşılıqlı təsirinin  
sxematik şəkli. 
      
Böyük həndəsi detallarının müqayisəli araşdırılması zamanı 
şəklin keyfiyyətcə alınması zondun iynəsinin ucunun itiliyi ilə 
müəyyən olunur. Aşağıdakı parametrlər kritik ola bilər: İynənin 
ucunun radiusu r və baxış münasibəti 
W
L
Ar
/
=
(zondun hün-
dürlüyünün zondun oturacağının diametrinə olan nisbəti  şəkil 
2-7).  
NanoEducator skanedici zond mikroskopun tunel cərəyan 
çeviricisinin konstruksiyası 
     NanoEducator cihazında tunel cərəyanının və qarşılıqlı 
təsir qüvvəsinin universal çeviricisi istifadə olunur. Çevirici - 
Skanedici tunel mikroskopu vasitəsilə bərk cisim səthinin tədqiqi 
 
 
49
uzunluğu  l=7 mm, diametri d=1,2 mm və divarının qalınlığı 
h=0,25 mm olan bir tərəfi möhkəm bərkidilmiş pyezokeramik 
boru  şəklində hazırlanmışdır. Borunun sərbəst ucuna diametri 
100 mkm olan volfram naqil bərkidilmişdir. Naqilin sərbəst ucu 
zond kimi istifadə olunur, zondun ucunun diametri 0,2-0,05 
mkm olub və elektrokimyəvi üsulla itilənmişdir. Borunun daxili 
divarlarında gövdəsi ilə birlikdə yerə birləşdirilmiş keçirici 
elektrod yerləşir. Zond borunun daxili elektrodları ilə elektrik 
kontaktına malikdir. Tunel cərəyanını ölçərkən pyezo-boru sərt 
passiv konsol rolunu oynayır. Yerə birləşdirilmiş zonda nəzərən 
nümunəyə dəyişən elektrik gərginliyi tətbiq olunur (şəkil  2-8). 
Şəkildə təsvir olunan çevrici 
T
U
-elektrik gərginliyini yaradaraq 
bu tunel cərəyanının yaranmasına səbəb olur və elektron bloka 
bu cərəyana mütənasib olan U- gərgin-liyi verir. 
 
skanetmənin istiqaməti 
 
   
Şəkil 2-7. Baxış münasibətinin və iynə ucunun əyrilik 
radiusunun sonlu  qiymətlərinin nəticəsində 
səthin profilinin şəklinin təhrif olunması. 
 
İki U1 və U2 əməliyyat gücləndiricisi  əsasında yığılan 
cərəyan-gərginlik çeviricisi elektrik sxemdə  (şəkil 2-9) gös-
tərilmişdir. Çeviricinin iş prosesində R1 rezistorunda yerlə-şən 
mənfi əks əlaqəyə görə ƏAÇ (ədədi analoq çevricisi) tərəfindən 
verilən dayaq gərginlik  hesabına 1 nöqtəsindəki potensial 2 
nöqtəsindəki potensiala bərabər saxlanılır (bax şəkil 2-9). Tunel 
cərəyanı U1 potensialının hesabına yaranır. Cərəyanın keçməsi 

“Nanotexnologiyadan laboratoriya  işləri”. Dərs vəsaiti  
 
50 
 
yolu belədir: nümunə-iynənin ucu - «yer»-Rout-R
1
, burada 
Rout -U1 əməliyyat gücləndiricisinin çıxış müqavimətidir. 
Sxemdən aydındır ki,  
 
I
R
V
V
1
1
3
=

 
 
Yəni  əmələ  gələn tunel cərəyanının qiyməti gərginliklərin 
V
V
1
3 −
fərqi ilə mütənasibdir.  
 
Şəkil 2-8.  Tunel cərəyanının qeydiyyatı prinsipi. 
 
Şəkil 2-9.  NanoEducator cihazının cərəyan - gərginlik 
çeviricisinin elektrik sxemi. 
 
Skanedici tunel mikroskopu vasitəsilə bərk cisim səthinin tədqiqi 
 
 
51
U2  əməliyyat gücləndiricisində diferensialların müqavimətləri  
gücləndiricidə yerləşir və o, rezistor eyni olduqda 
 
R
R
R
R
6
5
4
3
=
=
=
və 
I
R
V
V
V
V
V
=

=

=
1
1
3
2
3
6
 gərgin-
liyini əmələ gətirir. 
 Beləliklə, cərəyanın gərginliyə çevrilmə əmsalını 
                                 
R
I
V
K
1
6 =
=
      
düsturu vasitəsilə hesablamaq olar.  
    R
2
 tənzimləyici rezistoru U
1
 gücləndiricisinin çıxışında sıfır 
siqnalını almaq üçün istifadə olunur və ya yerin potensialına 
nəzərən 3 nöqtəsində dəyişdirilməsi zəruridir. İdeal halda tunel 
cərəyanı olmadıqda (zond və nümunə arasında məsafə çox 
böyükdür). 3 nöqtəsindəki potensial yerə birləşdirilmiş zonda 
nəzərən nümunədəki sürüşmə  gərginliyinə  bərabərdir. Bu 
gərginlik dəyişməsini kompüterlə idarə olunan ƏAÇ verir. Real 
halda isə ölçülən dövrədə tunel cərəyanı (10
-10
-10
-11
A) qiymət-
lərinə  bərabər cərəyanın itməsi mümkündür. Bu ona gətirib 
çıxarır ki, tunel cərəyanı olmadıqda belə 3 nöqtəsindəki 
potensial ƏAÇ verilən potensialdan R
1
I (burada I- itən cərəyan) 
qiyməti qədər fərqlənəcəkdir. 2 nöqtəsində ölçülən sxemin 
çıxışında itən cərəyana mütənasib olan potensial yaranmış olar. 
Tunel cərəyanının hesablanmasına itən cərəyanın təsirini ara-
dan qaldırmaq üçün R
2
  tənzimləyici müqavimətindən istifadə 
olunur.  Bunun köməyilə 3 nöqtəsində potensial elə dəyişir  ki, 
zond və nümunə arasında böyük məsafə aralığında 3 nöq-
təsindəki potensial 2 nöqtəsindəki potensiala bərabər və çıxışda 
U
6  
gərginliyi sıfıra bərabər olur.  
 Beləliklə, cərəyan-gərginlik çeviricisinin K-çevirmə əmsalı  
I
V
K
6
=
   
 
 
 
 
 
 
 
(4) 
düsturu ilə təyin olunur.  
Ölçülən cərəyanın minimum qiymətinə prinsipial məh-
dudiyyət elektronun  yükünün diskretliyi ilə  əlaqədar olan  

“Nanotexnologiyadan laboratoriya  işləri”. Dərs vəsaiti  
 
52 
 
I
2
=2eI

  f fluktasiyalar və istilik küyləri ilə bağlı olan 
R
f
kT
I
1
4
2

=
 “Naykvist” fluktasiyalar ilə  əlaqədardır. 
burada  e - elektronun yükü, T-temperatur, k - Bolsman sabiti,  
∆ f  - ölçülən cərəyanın tezlik zolağıdır.   
Təcrübədə cərəyan küyünün səviyyəsi, əsasən mexaniki və 
akustik küylərin təsirindən zond və nümunə arasındakı 
məsafənin təsadüfi dəyişmələri ilə müəyyən olunur.  
 
NanoEducator
 skanedici zond mikroskopunda işləməyə 
başlamazdan əvvəl cihazın istifadəçilərə rəhbərlik və həmçinin  
Oscilloscope
 proqramının istifadəçilərə rəhbərlik dərs vəsaitlə-
rini  öyrənmək zəruridir.  
Cihaz 220V gərginlikdə  işləyir.  NanoEducator skanedici 
zond mikroskopunun istismarı 220V qədər gərginlik  tələb edən 
elektrik qurğularının TİG və TTG-ə  uyğun aparılır. 
 
2.3. Metodik göstərişlər 
NanoEducator
 skanedici zond mikroskopunda işləməyə 
başlamazdan  əvvəl cihazın istifadəçilərə  rəhbərlik sənədini 
öyrənmək zəruridir.  
 
2.4. Tapşırıq 
1.  Cərəyan-gərginlik çeviricisinin (CGÇ) K-çevirici əmsalının 
ölçülməsi 
1) NanoEducator cihazının (şəkil 2-10) ölçü başlığının yuva-
sındakı qarşılıqlı təsir çeviricisinin əvəzinə etalon rezistoru 
saxlayıcıya yerləşdirməli. Yüksək müqavimətli etalon re-
zistordan keçən cərəyan tunel cərəyanını imitasiya edir. 
Etalon rezistor pyezoboru əvəzinə qarşılıqlı  təsir çeviricisi 
altlığına bərkidilir. Rezistorun ucu yerlə birləş-dirilir, ikinci 
tərəfi sürüşmə gərginliyinə qoşmaq üçün nəzərdə tutulub və 
buna görə onu altlığa birləşdirmək zəruridir. 
2) Qabaqcadan korpus üzərində göstərilmiş nominal rezistora 
baxmaq və ya meqometrin köməyilə etalon rezistorun 
Skanedici tunel mikroskopu vasitəsilə bərk cisim səthinin tədqiqi 
 
 
53
müqavimətini ölçmək. Rezistorun ayaqlarını elə əymək la-
zımdır ki, altlığın aralığına pinset vasitəsilə yerləşdirmək 
mümkün olsun. 
3) Rezistoru qoyarkən diqqətli olmaq lazımdır. Çünki altlığa 
əlavə təzyiq skanedicinin sıradan çıxmasına səbəb ola bilər. 
 
                       Şəkil 2-10. Etalon rezistorun qoşulma sxemi/ 
 
4) NanoEducator proqramının idarəetmə panelində T  
      düyməsini sıxaraq tunel  mikroskopu rejimini işə salmaq. 
5) Landing menyusuna daxil olmaq üçün cihazın panelindəki   
    
 düyməsini sıxmalı. Bias voltage gərginliyin 
       
mv
V
100
~
 qiymətini daxil etməli. Keçən cərəyanın qiy-
mətini  I=V/R düsturu ilə hesablamalı (burada R-etalon 
rezistorun müqavimətidir),  Landing  pəncərəsində  (Tunel 
current
) tunel cərəyanın qiymət göstəricisindəki rezistor-
dan keçən tunel cərəyanın real qiymətinə baxmaq olar. On-
ların  müxtəlifliyi halında mümkün səbəblərini izah etməyə 
çalışın.        
6) Cihazın panelində 
 düyməsini sıxaraq virtual 
osilloqrafı  işlətmək və ya NanoEducator olan qovluqdan 
oscilloscope.exe
 faylını  işlətməklə osilloqrafın hər hansı  
bir kanalından ADC-Current-mV siqnalı dəqiqləşdirməli.  
7) CGÇ-nin çıxışında gərginliyin qiymətini virtual  osilloqrafa 
görə  təyin etməli. (4) düsturunun köməyilə çevirici əmsalı 
hesablamalı.  

“Nanotexnologiyadan laboratoriya  işləri”. Dərs vəsaiti  
 
54 
 
2.  Maksimal ölçülən cərəyanın təyini 
1) Bu məqsədlə Volt-Amper  xarakteristikasını almaq lazımdır 
(Rezistordan keçən cərəyanın tətbiq olunan gərginlikdən 
asılılığını təyin etmək)–Spectrescopy I(v). Bu proseduraya 
keçmək üçün Landing  pəncərəsində  Cancel düyməsini 
sıxaraq və  Scanning menyusuna daxil olub cihazın pa-
nelində   
düyməsini sıxmaq (proqram zond - 
nümunə qarşılıqlı təsirinin olmadığı  haqqında qabaqcadan 
məlumat verir, yəni yaxınlaşma baş verməyib) lazımdır. 
Qabaqcadan 5 xətdən az olmayaraq skanetməni aparmaq, 
skanetmə sona çatdırdıqdan sonra alınmış formanı bağ-
lamaq (bu işdə lazım deyil) lazımdır. 
2)  Spectroscopy prosedurasına keçib Scanning  pəncərəsində 
yuxarı sahədə uyğun düyməni seçməklə  Scanning  pəncə-
rəsində sağ yuxarı hissəsinə kursoru qoyub mausu sıxmaq, 
nöqtələri proqrama göstərib Volt-Amper xarakte-ristikasını 
almalı. İki nöqtə seçin. 
3)  RUN düyməsini sıxmalı. Bu zaman Spectroscopy rejiminin  
idarəedici pəncərəsi açılacaqdır. Volt-Amper xarakteristi-
kanı almaq üçün gərginliyin başlanğıc və son qiymətlərini 
daxil etmək:  Start V Final V (-5000 mv, 5000 mv) bir 
qrafikdə ölçmə nöqtələrin sayını - Points (məsələn, 200) və 
Graphycs
 (məsələn, 5) bir  fəza nöqtəsində qrafiklərin sayı, 
ölçmələrdə nöqtələrarası  Delay(1ms) dayanmaların olduğu   
kimi saxlamalı.   
4)  Spektroskopiya idarəetmə  pəncərəsindəki  RUN düyməsini 
sıxmalı. Gərginliyin hər bir 10mV qiymətindən bir olmaqla 
200 nöqtədə etalon rezistorundan keçən tunel cərəyanının 
ölçülməsi baş verir. Proqram I(V) asılılığının qrafikini  qu-
rur. Alınan qrafik birbaşa Om qanununu təsvir edir. Hər iki 
nöqtədə ölçülmüş qiymətlər qrafiklərdə üst-üstə düşür. 
Bunlardan birini saxlayaraq hesabatda verməli. 
Skanedici tunel mikroskopu vasitəsilə bərk cisim səthinin tədqiqi 
 
 
55
5)
 
Düzgün nizamlanmış aparatla və elektrik itkisinin 
olmadığına görə  qrafik koordinat başlanğıcından keçəcək-
dir. Bu gərginlik olmadıqda  rezistordan keçən cərəyanın 
sıfıra bərabər olduğunu göstərir.  
6)
 
Alınmış qrafikdə məhdud ölçmə sxemi qalıbsa orada üfüqi 
sahələr olacaqdır. Qrafikə görə cihaz tərəfindən ölçülən 
maksimal cərəyanı təyin edin.  
 
 
 
3. Cihazda ölçülən minimal cərəyanı təyin edin.  
1) Altlıqdan etalon rezistoru ayırın. Ölçən başlıqda etalon rezis-
toru saxlayıcı ilə birlikdə  çıxarın. Ölçən başlığın qapağını 
bağlamaq lazımdır ki, elektrik təsirlər olmasın. Bu zaman 
CGÇ itən cərəyanı ölçəcəkdir. 
2)
 
Ossilloqrafın kanallarından birində ADC-Current siqnalını 
verməli.  Şaquli istiqamətdə ossiloqrafın maştabını artır-
maqla səs izlərinin yaranmasına nail olmalı. Səs izlərinin 
alınması  pəncərəsini hesabatda təsvir etmək üçün saxla-
malı. 
3) ADC-Current güclü səs izləri siqnalının Amplitud miqya-
sında  ölçülən cərəyanın minimal qiymətinin təyini. Ölçülən 

“Nanotexnologiyadan laboratoriya  işləri”. Dərs vəsaiti  
 
56 
 
cərəyanın minimal qiyməti aparatın səsinin qiyməti ilə təyin 
edilir.  
4. Sabit tunel cərəyanı rejimində  səthin topoqrafiyasının alın-
ması.  
1)   Tədqiq olunan nümunəni   altlıqda yerləşdirmək.  
2)  NanoEducator cihazın ölçən başlığın yuvasına zond çevi-
ricini  yerləşdirmək.  
3) Cihazın  NanoEducator idarəetmə proqramını  işə salmaq. 
SQM Skanedici qüvvə mikroskopu rejimini seçmək. Açıq 
şəraitdə  işləyərkən qarşılıqlı  təsirin alınması üçün 
NanoEducator
 cihazında qarşılıqlı  təsir qüvvə rejimini 
seçmək yaxşı olardı. Bu ehtiyatlılıq  əlaqə zamanı zondu 
zədələməmək üçün zəruridir, yəni STM - də tədqiq olunan 
nümunə  havada qismən turşulaşır. 
4) Zond çeviricinin amplitud-tezlik xarakteristikasını  təyin 
etməli və işçi tezliyini daxil etməli.  
5) Zondun nümunə ilə yaxınlaşmasını 1mm məsafəyə  əllə 
işləyən gətirmə  burğunun köməyilə yerinə yetirməli. 
6)  SQM rejimində qarşılıqlı təsirin alınmasını yerinə yetirməli. 
7)  Landing  pəncərəsinin bağlamalı. Tunel mikroskopu reji-
minə  NanoEducator proqramının idarəetmə panelində  T  
sıxmaqla keçmək.  
8) Landinq düyməsini sıxın. Tunel mikroskopu rejimində 
qarşılıqlı  təsirin alınmasını  aşağıdakı parametrlər  əsasında 
həyata keçirməli (əgər bir rejimdən digər rejimə keçərkən 
qarşılıqlı təsir itibsə) 
          Set point    
 
 
 
 
 
 
 
 
0,5 nA; 
          Inteqrator delay (Options menyusunda)  1000 ms; 
          Feed Back Loop Gain   
 
 
 
 
 
3; 
          Bias Voltage      
 
 
 
 
 
 
 
0,2 V. 
9) Skanetmə pəncərəsini açmalı. Nümunə haqqında qabaqcadan 
verilmiş məlumatlar əsasında skanetmənin zəruri parametr-
lərini verməli. Sabit tunel cərəyan rejimində səthin topoqra-
fiyasını ölçməyə başlamalı. 
Skanedici tunel mikroskopu vasitəsilə bərk cisim səthinin tədqiqi 
 
 
57
10) Əgər alınmış şəkildə skanetmənin təhrifi varsa (tunel kon-
taktın qeyri-dayanaqlığı hesabına  əks  əlaqədən kənarlaşma 
əmələ gəlir, qonşu xətlər skanetmədə təkrar olunmur) skan-
edicini saxlayın və kontaktın alınması üçün aşağıdakı para-
metrlərin qiymətlərini dəyişməklə kontaktı stabilləşdirməyə 
çalışın.  
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   16


Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2016
rəhbərliyinə müraciət

    Ana səhifə