M.Ə. Ramazanov, A. Q. Həsənov

tegrator Delay (
izləmə sistemini qoşarkən skanedicinin 
qalxması üçün tələb olun vaxt) 1000 ms qədər böyütməli 
ki, yaxınlaşmanı ehtiyatlı aparmaq mümkün olsun. Am-
plitud Suppresion
 qiymətini təqribən 0,2 götürün. Bu 
ehtiyatlılıq iynənin ucunda və ya əymədə qarşılıqlı təsirin 
alınması üçün edilir və bu zaman izləyən sistemin işi 
dayanıqlı olmaya da bilər.  
4.7.  Run düyməsini sıxıb yaxınlaşmanı aparın. Qarşılıqlı  təsir 
alınandan sonar (OK düyməsi  əmələ  gəldikdə) qarşılıqlı 
təsirin qiymətini 0,1-ə  qədər azaltmaq.  Dəqiqləşdirmək 
lazımdır ki, Z azalmır.  
4.8. Skanetmə  pəncərəsini açın  menyuya daxil olub Scan 
düyməsini sıxmalı. Skanetmənin zəruri parametirlərini 

“Nanotexnologiyadan laboratoriya  işləri”. Dərs vəsaiti  
 
 
114
verin. TGT1 test nümunəsi üçün skanetmənin sürətini 
1000 nm/s-dən böyük olmaqla verilməsi məsləhət görülür. 
Skanetmənin addımını isə zondun iynəsinin ucunun 
əyrilik radiusunun gözlənilən qiymətlərindən kiçik olması 
məqsədəuyğundur (<100nm).  
4.9.  Nümunə  səthinin topografiyasını almalı. Alınmış SZM 
şəkillərini saxlamalı.  
4.10. Zondun nümunə  səthindən uzaqlaşmasını  əvvəlcə avto-
matik  Rising rejimində, sonra isə  əl ilə  təhlükəsiz mə-
safəyə  gətirməli.  
4.11.  NanoEductor cihazının ölçmə başlığının yuvasından 
zond çeviricisini  çıxarmalı.  
5.  Zondun elektrokimyəvi hazlanması   
Yuxarıda verilmiş üsula uyğun olaraq zondun elektrokim-
yəvi itilənməsi  və ya yenisinin elektrokimyəvi hazırlanma-
sını həyata keçirin.  
6.   Zondun  formalarının TGT1 test  qəfəsinə görə təkrar təyini  
6.1. İtiləmədən və ya yeni zondu hazırladıqdan sonra TGT1 test 
qəfəsinə görə formaların təkrar təyinini  şəkil  4-27 kimi hə-
yata keçirin.  
6.2. Bir qrafikdə zondun (itilənmədən əvvəl və sonra) xətlərin 
profilini qurun. Alınmış nəticələri müqayisə edin.  
6.3. Zondla 10, 100 və 300 nm pilləli hündürlükləri skanedər-
kən onun ayırdetməsini zondun kontaktının real və zahiri 
görünən pilləli nöqtələri arasındakı məsafəyə görə qiymət-
ləndirin (şəkil 4-15). Bu məsafə pilləli hündürlükdə  zondun 
diametrinə mütənasibdir.  
 
4.5. Yoxlama sualları  
1.  Düz və əks pyezoeffekt nədir?  Kvars misalında  pyezoelek-
trik  effekt anlayışını və pyezoelektrik mühərrikinin iş prin-
sipini aydınlaşdırın.  
2. Pyezokeramika tərəfindən mümkün olan artefaktları aydın-
laşdırın: qeyri-xəttilik, histeresiz, sürüşmə, temperatur 
Skanedici zond mikroskopiyasında təhriflər 
 
 
115
dreyfi. Bunları hansı üsullarla azaltmaq olar? 
3.  Hansı növ skanedicilər tanıyırsız?  SZM şəkillərində skan-
edicilərin əmələ gətirdiyi təhriflərin adlarını deyin.  
4.  SZM-də istifadə olunan zondların  əsas növləri və onların 
hazırlanması üsullarını sadalayın. 
5.  İdeal SZM zondunu təsvir edin. Səthlərin müxtəlif xüsu-
siyyətlərinin təsvirləri zamanı zondlar nə kimi təhriflər 
əmələ gətirir? 
6.  NanoEducator  cihazı üçün SZM zondlarının hazırlanması 
qurğularını  təsvir edin. Elektrokimyəvi itiləmə üsulu haq-
qında danışın.  
 

“Nanotexnologiyadan laboratoriya  işləri”. Dərs vəsaiti  
 
 
116
 
Laboratoriya işi №  5
 
 
Skanedici zond litoqrafiyası 
 
 
 
 
5.1. İşin məqsədi ……..................………………….............117 
5.2. İşin məzmunu ……..…….………..................................117 
5.3. Metodik göstərişlər ......….…..............……….......…....130 
5.4. Tapşırıq  ………………………… ……………............130 
5.5. Yoxlama sualları .....……………… ……......................134 
Skanedici zond litoqrafiyası 
 
117
5.1. İşin məqsədi 
1.  Zond nanotexnologiyasının fiziki əsaslarinin oyrənilməsi.   
2. Skanedici zond mikroskopunun köməyi ilə müxtəlif 
litoqrafiyaların yerinə yetirilməsinin öyrənilməsi.  
3. Dinamik qüvvə litoqrafiyasının yerinə yetirilməsinin təcrübi 
vərdişlərinin alınması. 
Ləvazimat:  Skanedici zond mikroskopu(Model SZMU-L5),  
zond, NanoEducator proqramı və kompüter.  
Tədqiqat üçün nümunə: Qoruyucu təbəqəsi çıxarılmış məlu-
mat yazısı olmayan kompakt disk fraqmenti. 
İş iki hissədən ibarət olub və hər bir tələbə tərəfindən fərdi 
yerinə yetirilir. İşin zəruri təcrübə hissəsi bir dərsdə yerinə 
yetirilir və 4 saat davam edir. 
İşə başlamazdan qabaq hər tələbə üçün zond seçmək zəru-
ridir və cihazların birində test şəkili üçün litoqrafiyanı yerinə 
yetirmək lazımdır.  
 
5.2. İşin məzmunu 
   Zond  nanotexnologiyasının fiziki əsasları. Skanedici zond 
litoqrafiyasının növlərinin öyrənilməsi. Dinamik qüvvə litoqra-
fiya rejimində litoqrafiyanın optimal şərtlərinin seçilməsi və 
polimer səthə test şəklinin (samples\litho\nanoworld) yazıl-
ması (köçürülməsi).  
Müəlliflik şəkili üçün litoqrafiyanın yerinə yetirilməsi (tələ-
bənin arzusunu nəzərə almaqla). 
Giriş  
Hal-hazırda dünyada elm tutumlu sənaye sahələrinin konku-
riyent qabiliyyətliliyini təyin edən, elm və texnikanın bir sıra 
“kritik” istiqamətləri formalaşmışdır. Mikroeletronika və mik-
rotexnologiya, yəni yüksək minatürlü elektron cihazlar və onla-
rın mikro səviyyədə reallaşması üsulları, XX əsrin ikinci ya-
rısından başlayaraq elmi-texniki tərəqqinin inkişafı  təminində 
əsas  rol oynadı.  

“Nanotexnologiyadan laboratoriya  işləri”. Dərs vəsaiti  
 
 
118
Mikrosxem elementlərinin xətti ölçülərinin kiçilməsi məsə-
ləsi  mikroelektronikada əsas problemlərdən biridir. Hal-hazır-
da bu sahədə texnologiyanın inkişaf səviyyəsi submikron ölçü-
lərə çatıb və artıq nano səviyyəyə keçmişdir. Elementlərin işlə-
mə fizikası  dəyişmişdir. Hazırda bu tamamilə kvant mexa-
nikasına əsaslanır [19].  
İnteqral nanoelektron kvant sxemlərinin yaradılması nano-
texnologiyanın son məqsədidir [20]. Beləliklə, nanotexnolo-
giyanı  bərk cisimlərin səthində nanometr ölçülü funksional 
elementlərin yaradılması üsulları, tətbiqləri, eyni zamanda ayrı-
ca molekul və atomlardan yaradılması, onların vizual görünüşü 
və nəzarətin olması imkanları kimi təyin etmək olar.  
Yarımkeçirici təbəqənın səthində örtüklərin yaradılmasının 
ənənəvi tətbiqi üsulu daha yüksək ayırdetməyə malik müxtəlif 
mikrolitoqrafiyanın tətbiq olunması, həmçinin rentgen-elektron 
və ya ion litoqrafiyaları, nanometr eninə ölçüləri olan element-
ləri yaratmağa imkan verir. Bəzən ayrıca bir molekul və 
atomlara  əsaslanan elementlərin yaradılması  ənənəvi yollarla 
mümkün olmur. 
1981-ci ildə Q.Bininq və X.Rorer skanedici tunel mikrosko-
punu (STM) kəşf etdilər, bu hər şeydən əvvəl keçirici material-
ların tədqiq olunmasını-onu zədələmədən 0,01nm ölçüyə qədər 
yeni ayirdetmə üsul idi. Yeni yüksək imkanlar atom-qüvvə 
mikroskopunun (AQM) yaradılması kəşfi ilə mümkün oldu ki, 
bu da nəinki keçiricilər, həmçinin dielektrik materialların relye-
fini öyrənməyə imkan verdi. 
Skanedici zond mikroskopunun (SZM) yaradıcıları  təklif 
etdilər ki, SZM nümunə səthinin modifikasiyası üçün alət kimi 
istifadə oluna bilər. Həqiqətən, zondun nümunənin səthi ilə 
lokal kontakt hissəsində kifayət qədər böyük qüvvələr, elektrik 
sahəsinin intensivliyi və elektrik cərəyanının sıxlığı yarana bi-
lər. Ayrıca və birlikdə bu faktlar nümunə səthinin lokal modi-
fikasiyasına səbəb olar. Yəni zond və nümunə arasındakı qarşı-
lıqlı təsirin səviyyəsini dəyişməklə tədqiq olunan nümunə səthi 
Skanedici zond litoqrafiyası 
 
119
sıfır və ya minimal səviyyədə  zədələməklə SZM-in ölçmə  iş 
rejimindən litoqrafiya rejiminə, nanometr səviyyədə fəza ölçülü 
ayırdetmə ilə qabaqcadan verilmiş strukturu nümunənin 
səthində yaratmağa imkan verir. Beləliklə? yeni istiqamət-zond 
nanotexnologiyası kəşf olundu.  
Bu vaxta kimi zond nanotexnologiyasının köməyilə diskret 
nanoelektronika qurğuları yaradılmışdır. Bu qurğular ayrıca 
funksional elementlər  şəklində olub (MOM diodu, bir elek-
tronlu tranzistor) [21] yüksək sıxlıqlı  məlumat yazan yad-daş 
qurğularıdır. Bu zaman bütünlüklə molekulyar elektronika 
ideyası  həyata keçə bilər [23] və ayrıca molekulların istifadə 
olunması və modifikasiyası mümkündür. 
Zond   nanotexnologiyasının fiziki əsasları [23, 24] 
Skanedici tunel mikroskopunda zond və nümunə arasında 
məsafə 0,5 nm, elektrodlara tətbiq olunan gərginlik 5V atom-
daxili elektrik sahə intensivliyi ilə müqayisə olunan 10
8 
V/sm-ə 
yaxın elektrik sahəsi yaranır. Belə sahələrin lokal xarakterli ol-
ması, zondun iti uclu, tətbiq olunan gərginliyin aşağı olması, 
elektrodlar arası aralıqda molekulların və atom-ların ionlaşma-
sını yarada bilməz. Belə sahələrdə cərəyanın sıxlığının elektron 
emissiyasının qiyməti 10
8
 A/sm
2 
-ə  qədər mümkündür, bunu 
Fauler-Nordheym düsturlarına görə qiymət-ləndirmək olar: 
⎟
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎜
⎝
⎛
ΘΦ
⋅
−
⋅
=
−
E
E
j
2
3
7
2
6
10
836
,
6
exp
10
55
,
1
φ
, 
2
8
10
79
,
10
935
,
0
φ
θ
E
−
⋅
−
=
 
burada E-elektrik sahəsinin intensivliyi (V/sm), 
φ-elektrik 
sahəsinə  tətbiq olan gərginlik hesabına (V) elektronların, 
elektroddan çıxış  işidir.  İynə  şəkilli elektroddan çıxan yüksək 
sıxlıqlı elektronlar dəstəsi, altlığın qızmasına səbəb ola bilər. 
İzotrop nümunə altlıqlar üçün dəstələr oxundan səth boyunca r 
radiusu üzrə lokal temperatur artmasını 

“Nanotexnologiyadan laboratoriya  işləri”. Dərs vəsaiti  
 
 
120
( )
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
−
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
−
=
−
−
l
r
l
r
e
e
r
l
kl
UI
r
T
1
2
4
π
δ
, 
düsturu ilə qiymətləndirmək olar. Burada U-elektrodlara tətbiq 
olunan gərginlik,  I - tunel cərəyanı,  k - altlığın istilik keçirmə 
əmsalı,  ℓ-altlıqda elektronların qeyri-elastiki səpilməsinin 
uzunluğudur. 
Elektrostatik sahə  həmçinin elektrodların səthinə normal 
istiqamətdə mexaniki gərginlik yaradır: 
2
0
2
1
E
εε
σ
=
, burada 
ε - elektrodlararası mühitin dielektrik nüfuzluluğu, 
0
ε
- vaku-
umda dielektrik keçiriciliyidir. 
Bu sahə metal elektrodların səthlərində lokal elastiki və 
plastik deformasiyalarının yaranması üçün kifayət edir. 
Məsələn, havada E>E
0
 (E
0
- elektrostatik deformasiyanın yuxarı 
həddi olan elektrik sahəsi), burada E=2,1
.
10
3
τ
½ 
V⁄sm (τ - plastik 
deformasiya zamanı müşahidə olunan mexaniki gərgin-lik, Па) 
nümunə metal altlığın lokal plastik deformasiyasının 
formasının  şiş  şəklində olmasıdır. Bu zaman daha sərt iynə 
formalı elektrod ola bilsin dəyişməz qalsın.    
Elektrodlar arası aralıqda güclü elektrik sahəsinin köməyi 
ilə mühitdə molekulların polyarlaşması  və onların düzümü 
mümkündür. Molekulların və qatışıqların dipol - dipol qarşılıq-
lı təsiri hesabına elektrodların adsorbsiyasından və ya elektrod-
lar arası aralıqda yerləşən maye dielektrik fazada elektrod 
keçirici molekulyar körpücüklər əmələ gəlməsi mümkündür. 
STM və AQM zondların köməyilə altlığa birbaşa mexani-ki 
təsir mümkündür. Onda lokal cizgilər və ya zondun boş 
hərəkəti altlığın plastik deformasiyasının yuxarı  həddinin qiy-
mətindən aşması, mexaniki deformasiyasının baş verməsinin   
qarşısı alınmazdır. 
Beləliklə, nanotexnologiya proseslərini təyin edən  əsas 
faktlar bunlardır: molekuldaxili və atomdaxili sahələr müqayisə 
Skanedici zond litoqrafiyası 
 
121
olunan lokal elektrik sahəsi;  böyük cərəyan sıxlığı  və bunun 
elektrodinamik təsiri; keçən cərəyan tərəfindən yaradılan 
yüksək sıxlıqlı lokal istilik seli; lokal mexaniki deformasiyalar. 
Skanedici zond litoqrafiyanın növləri 
      SZM zondun səthlə lokal qarşılıqlı təsirinin növlərinə uyğun 
olaraq zond litoqrafiyanın aşağıdakı növləri  vardır: 
-  STM litoqrafiya; 
-  AQM anod-oksid litoqrafiya; 
-  AQM qüvvə litoqrafiya; 
- Başqa spesifik növləri (elektrostatik yük litoqrafiyası, yaxın 
sahə optik mikroskopun köməyi ilə litoqrafiya və i.a.). 
STM litoqrafiya 
      Çoxlu müxtəlif növlü STM litoqrafiyalar mövcuddur. STM-
in köməyi ilə  səthin modifikasiyasının  ən sadə üsulu STM-in 
səthlə bilavasitə kontaktı zamanı STM zondun səthə təsirindən 
ibarətdir. Bu səthdə çuxurların əmələ gəlməsinə səbəb olur, bu 
zaman zondun özü də zədələnə bilər.  
Nümunə  səthinə  təsir üsulu nümunəyə yüksək sıxlıqlı 
cərəyan impulsu və ya yüksək gərginlikli elektrik sahəsinin 
verilməsindən ibarətdir. STM zondun nümunə  səthinə  təsiri 
nəticəsində nümunə  əriyə  və ya buxarlana (şəkil 5-1) bilər. 
STM zondu nümunə səthi üzrə materialın hissəciklərinin yerini 
dəyişdirə və ya onu oradan çıxara bilər, çoxlu sayda molekullar 
və həmçinin atomlarla manipulyasiya edə bilər (şəkil 5-2). 
Lokal anod oksidləşmə 
      Bu  növ  litoqrafiyada  nümunənin nəinki relyefi, həm də 
səthin lokal elektrofiziki xassələri dəyişir. Məsələn, AQM ke-
çirici zonduna verilən gərginlik nümunə  səthində elektrokim-
yəvi prosesin başlanmasına səbəb olur, metallik təbəqə zondun 
təsirindən oksidləşir. Bu üsul havada istifadə olunur, bu zaman 
zond və nümunə materialının səthi nazik adsorbsiya təbəqə ilə 
örtülmüş olur. Nümunə  səthinə zond kifayət qədər yaxınlaş-
dıqda, bu nazik adsorbsiya təbəqəyə zond toxunur və kapillyar 
effektin təsirindən iynənin ucu ilə nümunə arasında su səddi 

“Nanotexnologiyadan laboratoriya  işləri”. Dərs vəsaiti  
 
 
122
(aralığı) yaranır. Beləliklə, verilən gərginlik su mühitində zond 
və nümunə  səthi arasında elektrokimyəvi reaksiyanın baş ver-
məsinə  səbəb olur. Əgər səth müsbət yükə malikdirsə, iynə 
mənfi yüklüdürsə onda bunlar uyğun olaraq anod və katod kimi 
elektrokimyəvi qarşılıqlı təsirdə olacaq və bilavasitə iynənin tə-
siri nəticəsində oksidləşmə  təbəqəsi artmış olacaqdır (şəkil 5-
3). 
 Qeyd 
etmək zəruridir ki, yarım hündürlükdə ölçülmüş ok-
sidləşmiş nanohissəciklərin diametri 8-10 nm təşkil edir. Yaz-
maq elementi kimi belə nanohissəciklərin istifadə  olunması  
məlumatın  effektiv  yazı  sıxlığı 1T bayt/düyüm
2
 təşkil edir. 
Səthin nanomodifikasiya zamanı nöqtələrin səthdə forma-
laşması ilə  məhdudlaşmır. Uyğun proqram təminatını istifadə 
edərək zondun verilmiş vektorlar üzrə yerdəyişməsini və daha 
mürəkkəb obyektlərin xətlərinin nümunə  səthində formasını 
almaq olar. 
                          a)    
 
 
 
 
                  b) 
Şəkil 5-1. SZM litoqrafiyaya misal. Üç monotəbəqəli Lenqmür-
Blodjet (b) keçirici təbəqənin STM şəkilləri(skanetmənin 
ölçüsü 256x256nm
2
 olan ). Lokal  gərginliyin üç impulsu 
tətbiqindən sonra bir monotəbəqədə kraterə oxşar dərin 
defektlərin görünüşü. 
Skanedici zond litoqrafiyası 
 
123
 
 
 
 
Şəkil 5-2. STM  2D (solda) və 3D (sağda) litoqrafiya şəkilləri. 

“Nanotexnologiyadan laboratoriya  işləri”. Dərs vəsaiti  
 
 
124
 
     a)    
 
 
 
 
       b) 
Şəkil 5-3. AQM keçirici zondun köməyilə anod oksidləşməsinin 
lokal prosesinin sxemi. Silisium (Si) səthində 
titanın çox nazik təbəqəsinin verilmiş nöqtələrdə 
oksidləşməsi şəkli (skanetmə ölçüsü 200x200 nm
2
 
olan). 
 
Qüvvə litoqrafiya 
SZM zondu vasitəsi ilə bilavasitə nümunə səthinə qüvvə ilə 
təsir etməyə imkan verir. Bunu iki üsulla-statistik təsirlə (nano-
cızıq çəkməklə  və ya həkketmə) və dinamik təsirlə (nanozərb 
etmə) aparmaq olar. 
Həkketmə prosesi yaxşı  məlum olan vasitə olub nümunə 
səthində  şəkillərin  əmələ  gəlməsi vasitəsidir. Skanedici zond 
mikroskopu üsulundan istifadə etməklə bu prosesin nanometr 
ayırdetmədə nanohəkketmə ilə reallaşmasına imkan verir. 
Nanohəkketməni həyata keçirərkən qüvvə mikroskopu zond 
üsulu ilə, zond nümunə  səthini kifayət qədər güclə  sıxaraq 
hərəkət edir, nümunə səthində (onda yerləşmiş təbəqə  rezistin-
də) dərin şəkil (cızıntılar) yaranır. Belə üsul yaratma prinsipin-
dən istifadə olunur: zondun ucunun forması ilə  təyin olunan 
xüsusi xarakterli kəsikli çuxurlar səthdə yaranaraq material 
altlıqdan çıxarılır. 
Aydındır ki, qüvvə litoqrafiyanın aparılması üçün zondun 
materialının möhkəmliyi nümunənin materialının möhkəmli-
yindən yuxarı olması  zəruridir. Bu zaman kantileverin yapış-
ması  və nümunə qoyulanın materialının hissəciklərinin zonda 
Skanedici zond litoqrafiyası 
 
125
yapışması baş verməməlidir. Nümunənin kələ-kötürlülüyü adə-
tən 1-10 nm-dən böyük olmamalıdır. Həmçinin nümunə  səthi 
təmiz olması  zəruridir. Qüvvə litoqrafiyasının həyata keçiril-
məsi üçün polikarbonat və polietilen polimer materiallar daha 
münasibdir. 
Belə nanolitoqrafiya texnologiyası kifayət qədər sadə  və 
ucuz olmaqla bərabər, bir sıra müəyyən çatışmamazlıqları 
vardır. Zondun statistik təsiri ilə nano çuxurların yaranması 
zamanı kantileverin təsadüfi torsion əyilməsi hesabına  şəkildə 
qeyri-bircinsliyinə  gətirib çıxarır. Bundan əlavə  bərk cismin 
səthi ilə  işləyərkən bu üsul zondun tez xarab olmasına gətirib 
çıxarır.  
Dinamik qüvvə litoqrafiyasının (nanozərbetmə) istifadə 
olunması zamanı  səthin modifikasiyası nümunə  səthi üzərində 
zondun rəqs etməsi hesabına dərinliyin yaranmasıdır (şəkil 5-
6). Belə nano litoqrafiya üsulu  torsion  təhriflərdən sərbəst 
olub, alınmış  şəkli nümunə  səthinə  və rezistə  təsir etmədən 
vüzualizasiya etməyə imkan verir. Səthin qısa müddətli iynə-
lənməsi zondun tez bir zamanda zədələnməsinin qarşısını alır. 
 
Şəkil 5-4.  Statistik qüvvə litoqrafiyası prosesinin sxematik şəkil (a) 
       
Alüminiumun səthinə cızıqlamaqla köçürülmüş şəkil (b) 
(skanetmənin ölçüsü  1,6x1,6 mkm² olan). 
 
 
 Dinamik 
litoqrafiyanı vektor və ya cızıqlamaqla skanetmə-
nin istifadə olunması ilə aparıla bilər. Vektor litoqrafiya qabaq-

“Nanotexnologiyadan laboratoriya  işləri”. Dərs vəsaiti  
 
 
126
cadan verilmiş  şəkil üzrə  həyata keçirilir. Bunun üstünlüyü 
nisbətən böyük sürətlə aparılması, bu zaman litoqrafiya prose-
sində  təsir etmə qüvvəsinin nizamlanmasına imkan vermir. 
Cızılmaq litoqrafiyası  zəif sürətlə aparılır,  şəklin formalaşan 
bütün müstəvisi üzrə skanetmə zond vasitəsilə aparılır, buna 
baxmayaraq skanetməni səthə zondla müxtəlif təsir etmə 
qüvvəsinin köməyi ilə  (şəkil  şablonundan asılı olaraq) həyata 
keçirmək olar. 
Cızılmaqla litoqrafiyasında nanozərbetmədən istifadə olun-
ması zamanı yaxşı nəticələrin alınması, qabaqcadan qrafik-şab-
lon  şəklinin hazırlanması  əsas rol oynayır.  Şəkildə  ağ  rəng 
nümunəyə  təsirin olmadığını, qara rəng-təsir edən qüvvənin 
maksimal olduğunu göstərir. Şəkli hazırlayarkən ən əsas vacib 
detallar bunlardır:  şəkilin formasını qara-ağ götürmək, qara 
rəng hissəsini kifayət qədər yaxşı  rəngləmək, bu zaman elə 
etmək lazımdır ki, kiçik ağ sahələr növbələşməsi olmasın, fon 
və digər lazımsız detallar ağ  rənglə  rənglənsin. Bəzi hallarda 
şəklin kontrastlığının artırılması daha faydalıdır. 
 
 
 
Şəkil 5-5. Vektor dinamik qüvvə litoqrafiyası (a) ( skanetmə ölçüsü 
220x220 nm² ) requlyar dərinə massiv şəklində  və 
cızılmaqla litoqrafiyası (skanetmə ölçüsü 2,5x2,6 mkm² 
olan). 
 
Skanedici zond litoqrafiyası 
 
127
NanoEducator cihazında cızıqlamaqla dinamik qüvvə 
litoqrafiyasının yerinə yetirilməsi 
 Litoqrafiyaya 
başlamazdan  əvvəl litoqrafiyası olunacaq 
şəkil üçün nümunə  səthinin skan edilməsi zəruridir. Litoqrafi-
yanın müvəffəqiyyətlə aparılması üçün nümunə  səthinin kifa-
yət qədər hamar və  səth üzərində qüsur  və çirk olmaması 
zəruridir. Buna görə  də birinci olaraq litoqrafiyası olunacaq 
şəkil sahəsindən böyük nümunə  səthi seçilərək skanetməni 
yerinə yetirməli. Bu əlverişli səthin seçilməsini tez tapmağa 
imkan verir. İşçi sahənin skan olunacaq səth sahəsinin orta  
hissəsində seçilməsi məqsədə uyğun hesab edilir.  
Bundan sonra litoqrafiya aparılması üçün işçi sahənin skan 
edilməsinə başlanılır.  Şəkil  şablonun tərəflərinin münasibətinə 
uyğun sahənin seçilməsi məqsədəuyğun hesab olunur, bunun 
üçün  şəkil  şablonda pikselin miqdarına uyğun olaraq X, Y 
istiqamətlərində skanetmə nöqtələrinin sayını vermək lazımdır.  
Cızıqlamaqla litoqrafiya prosesi kifayət qədər çox vaxt 
aparır, skanedicinin kənara çıxmaları hesabına seçilmiş  səthin 
sahəsindən kənara yerdəyişməsi ola bilər. Bu zaman şablona 
əsasən formalaşan səth relyefi güclü təhrif olunmuş ola bilər. 
Bunun üçün işçi səthin bir neçə dəfə skan edilməsi vacibdir ki, 
təhriflərin olmadığına əmin olduqdan sonra litoqrafiya prosesi-
ni aparılsın. 
NanoEducator
 cihazında nümunə  səthində  şəklin zərb ilə 
alınması təyin olunmuş sahənin cızılmaqla skan edilmə aparılır 
və bu zaman şablon-şəklə uyğun işıqlıq piksellərindən asılı 
olaraq verilmiş nöqtələrdə qüvvə ilə nümunəyə təsir edilir. 
Təsirin maksimal dərinliyinin təyin olunması üçün spek-
rposkopiya prosedurasını yerinə yetirmək və zond-nümunə 
arasındakı aralıq məsafəyə və asılılıq əyrisinə (şəkil 5-6) əsasən 
zondun rəqs amplitudunu qiymətləndirmək olar.