Mühazir Arxitektura anlayışı. Fon Neyman prinsipləri. Ehm-lərin inkişаf tаriхi və nəsilləri
Yüklə 3,92 Mb. Pdf görüntüsü
|
- Bu səhifədəki naviqasiya:
- Keşləmə
- Keş yaddaşlari • L1 keş yaddaşı
- FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)
- EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)
- BEDO DRAM (Burst EDO DRAM)
- SDRAM (Synchronous DRAM)
- DDR-SDRAM (Double Data Rate SDRAM)
|
4. Mikrokompüterlərin yaddaşı. “Saygus" şirkəti "CES 2015" sərgisində 320 Qb tutumunda rekord daxili yaddaşa malik smartfonunu təqdim edib. 3 Qb əməli yaddaş, "V2" aparatında daxili fləş daşıyıcısının həcmi 64 Qb təşkil edir. 128 QB-dək tutumda kartlardan istifadəyə imkan verən iki ədəd "Micro SD" slotunun hesabına maksimal yaddaşın tutumu 320 Qb təşkil edir. Ə DƏBİYYAT 1. Ə.Abbasov, M.Əlizadə və s. İnformatika və kompüterləşmənin əsasları. Dərslik. Bakı, 2006. 2. О.А.Аkulоv, N.B.Medvedev. Infоrmаtikа. Bазоvыy kurs. Mоskvа, 2007 3.S.Simonoviч, Q.Evseev, A.Alekseev.Speцialьnaə informatika. Uчebnoe posobie. Moskva, AST Press, 2002 4.Informatika. Baзovыy kurs: Uчebnik dlə vuзov. /Pod red.S.V.Simonoviчa. –SPb: Piter, 1999. – 648 s. 5. O.Gündüz, Q.Əfəndiyev, N.Rüstəmov. Kompüter və İKT-nin əsasları. Bakı, 2006. Mühazirə 9 Daxili elektron yaddaş qurğuları Bir bit informasiyanı yadda saxlamaq üçün elektron yaddaş elementi kimi triggerdən istifadə olunur. Kompüterin elekron yaddaşı onun əsas yaddaşıdır. Əsas yaddaş əməli yaddaşdan (RAM) və daimi yaddaşdan (ROM) təşkil olunub. Əsas yaddaş hər xanası 1 trigger olan registrlərdən təşkil olunub. Trigger, tərkibində bir stabil downloaded from KitabYurdu.org 56 yaddaş elementi və idarəedici sxemi olan iki dayanıqlı vəziyyətə malık elementdir və giriş siqnallardan asılı olaraq bir dayanıqlı vəziyyətdən digər vəziyyətə keçir. Müasir kompüterlərdə yaddaş qurğuların üç əsas tipi istifadə olunur: ROM, DRAM, SRAM. Əməli yaddaş tezişləyən, enerjidən asılı olan, yarımkeçirici əsasında hazırlanan yaddaşdır. Əməli yaddaşda iş prosesində istifadə olunan verilənlər və proqramlar saxlanılır. Yəni, diskdə yerləşən hər hansı bir kompüter proqramını işə saldıqda, onun nüsxəsi əməli yaddaşa köçürülür və ondan sonra prosessor proqrama uyğun əmrləri yerinə yetirir. Prossesor yaddaşda ehtiva olunan əmrləri yerinə yetirir və onların nəticələrini saxlayır. Əməli yaddaş mətn redaktoru ilə iş zamanı sıxılmış düymələrin kodlarını, riyazi əməliyyatların qiymətlərini saxlayır. “Save” əmrini yerinə yetirən zaman əməli yaddaşın tərkibi sərt diskdə fayl şəklində saxlanılır. Əməli yaddaşın bir hissəsi ekranda cari təsvirə uyğun “videoyaddaş” adlanır. Kompüter söndürüldükdən sonra əməli yaddaş silinir. Kompüterin sürəti bilavasitə əməli yaddaşdan asıldıdır. Əməli yaddaş gurğusu informasiyanın həm yazılması, həm də oxunması üçün istifadə olunur. İş zamanı dəyişdirilməyə məruz qalmış verilənləri daimi yaddaş qurğusunda saxlamaq lazımdır.Əməli yaddaş qurğusunu hərdən ixtiyari müraciətli yaddaş qurğusu adlandırılır, yəni əməli yaddaşda saxlanılan verilənlərə müraciət onların orada yerləşdirilmə ardıcıllığından asılı deyil. Kompüterin yaddaşından danışanda adətən əməli yaddaşı nəzərdə tuturlar. Bir neçə il ərzində RAM(Random Access Memory) tərifi yaddaşın əsas iş mühitinin mənasını verən terminə çevrilib (dinamik əməli yaddaş mikrosxemləri ilə yaradılan DRAM-Dynamik RAM və prosessorla proqramın yerinə yetirilməsi üçün istifadə olunan). DRAM mikrosxemin əsas xüsusiyyətlərindən biri və nəticədə əməli yaddaşın bütövlükdə verilənlərin dinamik saxlanmasıdır, yəni informasiyanı əməli yaddaşa dəfələrlə yazmağa imkan verilməsi; verilənlərin daimi yeniləşməsi(yenidən yazılması). Verilənlərin daimi yeniləşməsni tələb etməyən statik əməli yaddaş mövcuddur – SRAM (Static RAM). DRAM və SRAM yaddaş verilənləri yalnız cərəyana qoşulu olanda saxlayır. Fləş – yaddaşda belə deyil və buna görə də fləş-yaddaş əsasında qurğu disk daşıyıcısı kimi tanınır (əməli yaddaş qurğusu kimi yox). downloaded from KitabYurdu.org 57 DRAM tipli yaddaşdan müasir FK-in ƏY sistemlərində istifadə olunur. Bu tip yaddaşın əsas üstünlüyü xanaların çox sıx yerləşdirilməsidir, yəni çox da böyük olmayan mikrosxemə çoxlu bit yerləşdirmək olara və onların əsasında böyük həcmli yaddaş qurmaq olar. DRAM qurğularında bir bitin saxlanması üçün bir tranzistor və bir cüt kondensator istifadə olunur. Məhz belə (yüklərin olması və ya olmaması) bitlər kodlaşdirilir. Əsas problem yaddaşın dinamik olması, çünki daimi regenerasiya olunmasıdır, əks halda kondensatorlarda elektrik yüklərin “axını” baş verəcək və verilənlərin itkisi olacaqdır. Sistemin yaddaş kontrolleri qısa “fasilə” götürür və yaddaşın mikrosxemlərində verilənlərin bütün sətirlərinə müraciət edir, bu zaman regenerasiya baş verir. Yaddaşın regenerasiyası – hər sikli MP-un bir neçə siklini alır. Bəzi sistemlərdə regenerasiya parametrlərin sazlama proqramı CMOS(Complimentary Metal-Oxside Semiconductor) köməyi ilə dəyişməyə imkan verir. Sikllər arası yenilənmə intervalı Tref (Refreshing) adlanır və millisaniyə ilə deyil taktla verilir. Qeyd etmək lazımdır ki, sikllər arası yenilənmə intervalın artması ixtiyari səhvlərə gətirib çıxara bilər (verilənlərin emalı səhvi). Böyük həcmli DRAM mikrosxemlərində 1 mlrd-dan çox tranzistor var. Əgər kondensator yüklənibsə xanada 1, əks halda 0 yazılıb. Kondensatordan yüklər daim “axır” və buna görə də yaddaş daim regenerasiya olunmalıdır. Ani şəkildə enerjinin kəsilməsi və ya hər hansı bir regenerasiya siklində nasazlıq DRAM xanasında yüklərin itkisinə gətirib çıxaracaq və nəticədə verilənlərin itkisi baş verəcək. Texnoloji proses baha başa gəlmir, mikrosxemlər sıx yerləşdirilir, böyük tutumlu yaddaş qurğuları çox yer tutmur. Prosesorla müqaisədə dəfələrlə ləngdir. Bu xarakteristikanı yaxşılaşdırmaq üçün DRAM-ın müxtəlif tipləri mövcuddur. Digər yaddaşlardan fərglənən SRAM tipli yaddaş mövcuddur. Bu tip yaddaşda regenerasiya tələb olunmur. DRAM-dan tezliyi ilə fərqlənir və prosessorun tezliyində işləyə bilir. Hər bitin SRAM konstruksiyasında saxlanması üçün 6 tranzistordan ibarət klaster (cluster) istifadə olunur. Kondensator yoxdursa yük itkisi baş vermir. DRAM-la müqayisədə SRAM daha tezişləyən, amma aşağı sıxlığa malikdir (DRAM – 64 Mbayt = SRAM 2 Mbayta), qiymət baxımından bahadır. İstehsalçılar SRAM tipli yaddaşı FK-də downloaded from KitabYurdu.org 58 effektivliyinin artırılmasında istifadə edirlər. Yüksək qiymətin olması kiçik tutumlu yüksək sürətli SRAM tipli yaddaş quraşdırılır və keş yaddaş kimi istifadə olunur. Keş yaddaş (ingiliscə cache) - prosessorla əsas yaddaş arasında yerləşən kiçik tutuma və yüksək işləmə sürətinə malik yaddaşdır. Əməli yaddaşa müraciəti sürətləndirmək, kompüterin məhsuldarlığını artırmaqüçün onlarda xüsusi hazırlanmış yaddaşdan - keş yaddaşdan istifadə edilir. Bütün əsas yaddaşın sürətlə işləyən keş- yaddaş kimi hazırlanması texnoloji cəhətdən çox baha başa gələrdi. Odur ki, iqtisadi cəhətdən kiçik tutuma malik yaddaş sahəsinin sürətinin artırılması əlverişlidir. Kompüterin yaddaşına müraciət edən zaman verilənlər keş-yaddaşdan axtarılır. Buna əsas səbəb odur ki, keş-yaddaşa verilənləri axtarmaq üçün edilən müraciət vaxtı əməli yaddaşa edilən müraciət vaxtından bir neçə dəfə azdır. Keş-yaddaşın tutumu artdıqca kompüterin işləmə sürəti də artmış olur. Keş-yaddaşa müraciət vaxtı 50-60 nanosaniyə olur. Keş-yaddaşın məlumat tutumu 128-1024 Kbayt həcmində olur. Keş-yaddaşın özü əsasən iki səviyyəli olur. I-ci səviyyəli keş-yaddaş Level 1 adlanır və mikroprosessorun içərisində olur. II-ci səviyyəli keş-yaddaş Level 2 adlanır və mikroprosessorla əməli yaddaş arasında ana plata üzərində yerləşir. Ana plata üzərində yerləşən CMOS (Complimentary Metal Oxide Semiconductor – metal - oksid - yarımkeçirici) mikrosxemi fərdi kompüterin konfiqurasiyasını, zamanı və tarixi yadda saxlamaq funksiyasını həyata keçirir. Keşləmə - tələb olunma ehtimalı daha çox olan informasiyaların surətlərinin çıxarılması və xüsusi qovluqlarda yaddaşda saxlanması deməkdir. RAM (Random-Access Memory)- İxtiyari Müraciətli Yaddaş, kompüterin işləməsi zamanı mikroprosessor və giriş-çıxış qurğularının uyğunluq şəraitində işləyə bilməsi məqsədilə istifadə edilir. İş sürəti mikroprosessorun sürətinə çatmayacaq qədər aşağıdır. Mikroprosessorun istədiyi məlumatları vaxt itirmədən giriş qurğularından ala bilməsi məqsədilə RAM -dan istifadə edilir. Ana yaddaş olaraq istifadə edilən bu tip yaddaşlara ixtiyari müraciətli yaddaşlar deyilməsinin səbəbi, hər hansı bir hücrəsində olan məlumata birbaşa müraciət olunmasıdır. RAM -ın tam mənası ilə qarşılığı olan yaddaşlar, SAM -lardır ( Serial Access Memory – Ardıcıl Müraciətli Yaddaş). Bu tip yaddaşlarda məlumata müraciət müəyyən downloaded from KitabYurdu.org 59 ardıcıllıq gözlənilərək edilir. Müasir dövrdə istifadə olunan kompüterlər dörd əsas RAM istifadə edirlər. Bunlar: L1 , L2 , L3 keş yaddaşları və ana sistem yaddaşıdır. SRAM (Static RAM) Keş yaddaşı olaraq istifadə edilən L1 , L2 və L3 üçün SRAM Texnologiyası istifadə edilir. SRAM Texnologiyası tranzistor istifadə edən, çox sürətli işləyən, lakin bir qədər bahalı olan texnologiyadır. SRAM Texnologiyası asinxron , sinxron və pipe-line burst adları altında üç bölməyə ayrılır. Asinxron SRAM sistem saat tezliyindən asılı olmadan işləyən və L2 keş yaddaşı olaraq istifadə edilən köhnə bir SRAM Texnologiyasıdır. Sinxron SRAM sistem saatı ilə uyğun olaraq işləyən, daha sürətli və daha bahalı bir SRAM Texnologiyasıdır. Pipe-line Burst SRAM hazırda geniş istifadə edilən, bir dəfəyə ana yaddaşa daha sürətli məlumat göndərə bilən bir SRAM Texnologiyasıdır. Mikroprosessorun bütün əməliyyatlar üçün RAM ilə əlaqə qurması əməliyyat müddətinin artmasına səbəb olur. Buna görə də əməliyyat prosesində tez- tez icra edilən əmrlərin mikroprosessor tərəfindən rahat alına biləcəyi bir yer olan ana yaddaş ilə mikroprosessor arasına keş ( cache ) yaddaşı qoyulmuşdur. Keş yaddaşının əsas funksiyası mikroprosessor ilə ana yaddaş arasındakı sürət fərqinin mənasız təsirini aşağı salıb, mikroprosessorun gözləmə zamanını minimuma endirməkdir (Şəkil 1.). Şəkil 1. Mikroprosessor, keş yaddaşı və ana yaddaşın qarşılıqlı əlaqəsi Keş yaddaşı L1 (daxili) və L2 (xarici) olmaqla iki şəkildə istifadə edilir. downloaded from KitabYurdu.org 60 Xarici keş yaddaşı ( L2 ) anakart üzərində yerləşir. Hər iki keşdən aktiv istifadə etmək üçün BIOS Setup -da Level1 Cache və Level2 Cache parametrlərinin aktiv olmasına diqqət edilməlidir. Passiv qalmaları halında mövcud keş yaddaşı fiziki olaraq mövcud olmasına baxmayaraq sistem tərəfindən istifadə edilə bilməz. Bəzi sistemlərdə L1 (daxili) keş yaddaşı olmasa da, bu parametrlərin hər ikisinin də aktiv olması sistemin məhsuldarlığını aşağı salmamalıdır. Keş yaddaşlari • L1 keş yaddaşı – mikroprosessor üzərində yerləşir. Tez-tez istifadə olunan əmr və funksiyaların saxlandığı yaddaşdır. Ən sürətli keş yaddaşı L1 -dir. Əsasən 64 Kb -ə qədər həcmə malikdir; • L2 keş yaddaşı – köməkçi keş yaddaşıdır. Anakart, ya da mikroprosessor üzərində ola bilər. Əsas funksiyası tez-tez istifadə olunan əmr və funksiyaları özündə saxlayaraq, təkrar eyni əmrlər mikroprosessordan gəldiyində, əməliyyatı daha sürətli reallaşdıraraq məhsuldarlığın artmasını təmin etməkdir. Hazırda istifadə olunan kompüterlərdə L2 keş yaddaşının həcmi əsasən 128 Kb ilə 1024 Kb arasında dəyişir. L2 keş yaddaşı üçün bir çox müxtəlif SRAM texnologiyaları inkişaf etdirilir və müraciət sürəti getdikcə artırılaraq müraciət vaxtının azalması təmin edilir; • L3 keş yaddaşı – çox istifadə olunmur. Həm mikroprosessor, həm də anakart üzərində L2 keş yaddaşı olarsa, anakart üzərindəki L2 keş yaddaşı, L3 olaraq təyin edilir. Funksiyası L2 ilə eynidir. Əsasən 512 Kb həcmində istifadə edilir. DRAM (Dynamic RAM) DRAM (Dinamik İxtiyari Müraciətli Yaddaş) kompüterlərdə ana yaddaş olaraq istifadə edilən bir yaddaş modelidir. Dəyişən və inkişaf edən RAM Texnologiyası sayəsində hər il yeni DRAM çeşidləri istehsal olunur. DRAM Texnologiyasında kondensator və tranzistor birlikdə istifadə edilmişdir. Məlumatlar kondensatorda saxlanarkən, açarlama işləri üçün tranzistor istifadə edilir. DRAM daxilində mövcud olan kondensatorlar, üzərində məlumatın saxlanması üçün saniyədə minlərcə dəfə dolub boşalır. Dinamik RAM adını bu xüsusiyyətlərinə görə almışlar. DRAM ların SRAM -dan aşağı sürətlə işləmələrininən böyük səbəbi də budur. downloaded from KitabYurdu.org 61 FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM) - (Sürətli Səhifə Rejimli Dinamik İxtiyari Müraciətli Yaddaş) EDO DRAM -dan əvvəl istifadə edilən kompüterlərin ana yaddaşlarıdır (Şəkil 2.). Şəkil 2. EDO/FPM DRAM yaddaşı Hazırda istifadə edilən sistem şinləri ilə ayaqlaşmayacaq qədər aşağı sürətlidir. Yerini EDO DRAM -a verən bir DRAM yaddaş tipidir. FPM DRAM 60 və 70 nsan. sürətilə işləyir. Yaddaş idarəedicisinin yaddaşa müraciəti üçün, o ünvanın tam olaraq verilməsi lazımdır. Normal RAM -da ünvan ardıcıl olaraq hər əməliyyatdan sonra yenidən tələb edilir və yeni bir əməliyyat aparılır. FPM DRAM -da isə əmrin ilk icrası vaxtı məlumatın tam ünvanı tapılır və sonradan yerinə yetirilən əməliyyatlar üçün yenidən ünvanı təyin etmək yerinə məlumatın davamına baxılır, lakin 33 MHz -dən daha sürətli mikroprosessorlarda məlumatlar çox sürətli bir şəkildə tələb edildiyi üçün FPM DRAM sağlam işləyə bilməz. EDO DRAM (Extended Data Out DRAM) - Genişləndirilmiş Məlumat Çıxışlı Dinamik İxtiyari Müraciətli Yaddaş, FPM DRAM -ın çatışmayan cəhətlərini aradan qaldırmaq məqsədilə məhsuldarlığı 30% nisbətində artırılaraq hazırlanmışdır. İnformasiya şini 66 MHz -dən yuxarı sürətlərdə işləmirlər. Yaddaş sürətləri ümumilikdə 70 , 60 və 50 nsan. -dir. Anakrat üzərində SIMM yuvalarını istifadə edirlər. İş görmə zamanı, ilk olaraq icra olunan əmr tamamlandıqdan sonrakı işləri başlaya bilirlər. Sürət baxımından FPM DRAM -a görə 5% daha sürətlidir. BEDO DRAM (Burst EDO DRAM) - Dağınıq Genişləndirilmiş Məlumat Çıxışlı Dinamik İxtiyari Müraciətli Yaddaş) EDO RAM -ın təkmilləşdirilməsi ilə ortaya çıxan bir DRAM yaddaş tipidir. BEDO DRAM bir dəfəyə daha çox və daha sürətlə məlumat paketi göndərə bilmə xüsusiyyəti ilə ön plana çıxmışdır. 66 MHz downloaded from KitabYurdu.org 62 sürətindəki informasiya şini ilə istifadə edilə bilir, lakin ondan yuxarı sürətləri dəstəkləmir. SDRAM (Synchronous DRAM)- Sinxronlaşdırılan Dinamik İxtiyari Müraciətli Şəkil 3. SDRAM yaddaşları Yaddaş EDO DRAM -dan sonra inkişaf etdirilən və hələ də bir çox kompüterlərdə istifadə olunan DRAM tipidir (Şəkil 3.). 100 MHz sistem sürəti ilə sinxron olaraq işləyə bilən, ilk dəfə Pentium II seriyalı mikroprosessorlarda istifadə edilmişdir. Asinxron interfeysdə mikroprosessor yaddaşından məlumat almaq üçün gözləmək məcburiyyətindəndi. Bu səbəbdən də müraciət zamanı 50 - 60 nsan .-dir. Sinxron nəzarət sayəsində məlumat mübadiləsi sistem saatına əsasənaparılaraq mikroprosessorun lazımsız gözləmə vaxtı ortadan qaldırılmış və məlumata daha sürətli müraciət təmin edilmişdir. Anakartın informasiya şini, sürət və texnologiyanın inkişafı ilə PC100 və PC133 standartlarında hazırlanmışdır. PC133 SDRAM 1.6 Gbps -dən artıq məlumat mübadiləsi sürətinə sahibdir. 800 Mbps sürətində mübadilə apara bilən əvvəlki nəsil DRAM yaddaş tiplərinə görə bu çox üstün bir xüsusiyyət olaraq qiymətləndirilmişdir. PC133 SDRAM -ın tam həcmilə istifadə edilməsi üçün bu sürəti dəstəkləyən bir ana kart seçilməlidir. PC133 ilə ilk dəfə 10 nsan. -ə qədər müraciət vaxtı təmin edilmişdir. DDR-SDRAM (Double Data Rate SDRAM) - İkiqat Məlumat Sürətli Sinxronlaşdırılan Dinamik İxtiyari Müraciətli Yaddaş, ötürmə genişliyi daha çox olması xaricində, SDRAM -a çox oxşadığını söyləmək olar (Şəkil 4.). Şəkil 4. DDR-SDRAM yaddaşları downloaded from KitabYurdu.org 63 DDR-SDRAM SDRAM -a nisbətən ən azı iki dəfə artıq sürətlə işlədiyi üçün artıq SDRAM -ın yerini tutmağa başlamışdır. DDR-SDRAM lar PC1600 , PC1200 , PC2400 , PC2700 və PC3200 olaraq müxtəlif seriyalarda istehsal edilmişdir. YADDAŞ MODULLARI Yuxarıda şərh edilən yaddaşlar ayrıldıqları qruplar etibarilə forma və çıxışlarının sayı baxımından da bir-birindən fərqlənirlər. Buna görə də yaddaşları sadəcə xüsusiyyətlərilə deyil, forma etibarilə də tanımaq çox vacibdir. Əsas olaraq yaddaş modullarını üç ana qrupa bölmək olar. Bunlar: SIMM , DIMM və RIMM modullardır. Bu modulları istifadə edən yaddaşları tipinə görə rəsmlərilə birlikdə şərh etmək daha məqsədəuyğundur. SIMM Module (Single In-Line Memory Module) - Birtərəfli Yaddaş Modulu, 30 və 72 çıxışdan ibarət olan yaddaşlar üçün istifadə edilən bir moduldur. 30 çıxışlı modullar Intel 286 və Intel 386 zamanı anakartlarda istifadə edilirdi. 72 çıxışlı modullar isə Intel 486 zamanından başlayaraq Pentium II zamanına qədər istifadə edilmişdir. O zaman ən geniş istifadə edilən EDO RAM -lar 72 çıxışlı idi. 32 bit mikroprosessor və informasiya şinilə uyğun olaraq işləyirdi. SIMM modulu istifadə edən yaddaşlar 256 Kb , 1 Mb , 4 Mb , 8 Mb , 16Mb , 32 Mb və 64 Mb həcmli olaraq hazırlanırdılar. SIMM modullarının böyük əksəriyyəti mikrosxemlərdən ( RAM mikrosxemindən) təşkil olunur. DIMM Module (Dual In-Line Memory Module) - 168 çıxışdan ibarət olan İkitərəfli Yaddaş Modulu, istifadə edən yaddaşlar SIMM modullarını istifadədən çıxarmışlar. Çıxışlarının sayının çox olması bu tip yaddaşlarda bir dəfəyə daha çox məlumat mübadiləsinə imkan yaratmışdır. 168 çıxışdan ibarət olan DIMM modulu 64 bit informasiya mübadiləsi aparmağa imkan verir (Şəkil 5.). SIMM modullarında isə bu qiymət 16 bit və ya son olaraq 32 bit -dən çox deyildir. Şəkil 5. DIMM modulu downloaded from KitabYurdu.org 64 DIMM və SIMM modulları yaddaşların yerləşdirilməsi baxımından da fərqlənirlər. SIMM yaddaşları yaddaş yuvasına bəlli bir bucaq altında yerləşdirilir. DIMM yaddaşları isə yaddaş yuvasına şaquli olaraq yerləşdirilir. DIMM yaddaşlarının cüt olaraq işləmə məcburiyyəti yoxdur. Portativ kompüterlərdə istifadə edilən DIMM modulu yaddaşın görünüşü və çıxış sayı etibarilə daha fərqlidir. Bu modula So-DIMM adı verilmişdir. RIMM Module (Rambus Inline Memory Module) - RIMM modulu ilk olaraq RDRAM ilə birlikdə ortaya çıxan bir yaddaş moduludur (Şəkil 6.). RIMM modulu ilə Şəkil 6. RIMM modulu DIMM modulu eyni oyuq ( socket ) xüsusiyyətlərini istifadə edirlər, lakin RIMM modulu 168 çıxış yerinə 184 çıxışlı olur. BIOS və anakart üzərində olan mikrosxem dəstini dəstəkləməklə eyni anakart üzərində hər iki modul da ola bilər. Mühazirə 10 Yüklə 3,92 Mb. Dostları ilə paylaş:
|