P–n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor

Mavzu: mdya-tranzistorlarning volt-amper xarakteristikalari va parametrlarining ish rejimlariga hamda temperaturaga bog‘liqligi

623-21 guruh talabasi Maxmudova Zarina

“Elektronika va sxemalar”
Fanidan
Mustaqil ish
Mavzu:MDYa-tranzistorlarning volt-amper xarakteristikalari va parametrlarining ish rejimlariga hamda temperaturaga bog‘liqligi.
Reja:
1.Maydoniy transistorlar

2. Maydoniy tranzistorni statik xarakteristikalari va asosiy parametrlari.

3. Kanali induksiyalangan MDYa – tranzistor

4. Maydoniy tranzistorlarda yasalgan kuchaytirgichlar

5.Xulosa

Maydoniy transistor. Maydoniy tranzistor (MT) deb, tok kuchi qiymatini boshqarish ychun o’tkazuvchi kanaldagi elektr o’tkazuvchanligikni o’zgartirish hisobiga elektr maydon o’zgarishi bilan boshqariladigan yarim o’tkazgichli aktiv asbobga aytiladi.
Maydoniy tranzistorlar turli elektr signallar va quvvatni kuchaytirish uchun mo’ljallangan. Maydoniy tranzistorlarda bipolyar tranzistorlardan farqli ravishda tok tashkil bo’lishida faqat bir turdagi zaryad tashuvchilar ishtirok etadi: yoki elektronlar, yoki kovaklar. Shuning uchun ular yana unipolyar tranzistorlar deb ham ataladi.
Maydoniy tranzistorlarning tuzilishi va kanal o‗tkazuvchanligiga ko‗ra ikki turi mavjud: p–n o‗tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor hamda metall – dielektrik – yarim o‗tkazgichli (MDYa) tuzilishga ega bo‗lgan zatvori izolyatsiyalangan maydoniy tranzistorlar. Ular MDYa- tranzistorlar deb ham ataladilar.
p–n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor. 27 – rasmda n– kanalli p–n o‗tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorning tuzilishining qirqimi (a) va uning shartli belgisi (b) keltirilgan.

1. 
   
   b)
   

27. – rasm.
    

n–turdagi soha kanal deb ataladi. Kanalga zaryad tashuvchilar kiritiladigan kontakt istok (I); zaryad tashuvchilar chiqib ketadigan kontakt stok (S) deb ataladi. Zatvor (Z) boshqaruvchi elektrod hisoblanadi. Zatvor va istok oralig‗iga kuchlanish berilganda yuzaga keladigan elektr maydoni kanal o’tkazuvchanligini, natijada kanaldan oqib o’tayotgan tokni o’zgartiradi. Zatvor sifatida kanalga nisbatan o’tkazuvchanligi teskari turdagi soha qo’llaniladi. Ishchi rejimda u teskari ulangan bo’lib kanal bilan p – n o’tish hosil qiladi.

Kanalning o’tkazuvchanligi uning qarshiligi bilan aniqlanadi

R   ^l
S
, bu

yerda ^ - kanal materialining solishtirma qarshiligi, l- uzunligi, S – kanalning ko‗ndalang kesim yuzasi. Tashqi kuchlanish mavjud bo‗lmaganda kanal uzunligi bo‗ylab zatvor ostidagi kanalning ko‗ndalang kesim yuzasi bir xil bo‗ladi. Berilgan qutblanishda zatvor va istok oralig‗iga tashqi kuchlanish berilsa U_ZI p–n o‗tish teskari yo‗nalishda siljiydi, kanal tomonga kengayadi, natijada kanal uzunligi bo‗ylab kanalning ko‗ndalang kesim yuzasi bir tekis torayadi. Kanal qarshiligi ortadi, lekin chiqish toki I_S = 0 bo‗ladi, chunki U_SI=0 (28 a - rasm).

Agar istok va stok oralig‗iga kuchlanish manbai ulansa, u holda kanal bo‗ylab istokdan stok tomonga elektronlar dreyfi boshlanadi, ya‘ni kanal orqali stok toki I_S oqib o‗ta boshlaydi. Kuchlanish manbai U_SI ning ulanishi p–n o‗tish kengligiga ham ta‘sir ko‗rsatadi, chunki o‗tish kuchlanishi kanal uzunligi bo‗ylab turlicha bo‗ladi. Kanal potensiali uning uzunligi bo‗ylab o‗zgaradi: istok potensiali nolga teng bo‗lib, stok tomonga ortib boradi, stok potensiali esa U_SI ga teng

bo‗ladi. P–n o‗tishdagi teskari kuchlanish istok yaqinida

^U ЗИ
ga, stok yaqinida esa

^UЗИ
U_СИ
teng bo‗ladi. Natijada o‗tish kengligi stok tomonda kattaroq bo‗lib,

kanal kesimi stok tomoga kamayib boradi (28. b -rasm).

a) b)

27. –rasm.
    

Shunday qilib, kanal orqali oqib o‗tayotgan tokni U_ZI kuchlanish qiymatini (kanal kesimini o‗zgartiradi) hamda U_SI kuchlanish qiymatini (tok va kanal uzunligi bo‗ylab kesimni o‗zgartiradi) boshqarish mumkin. Istok tomonda kanal kengligi berilgan U_ZI qiymati bilan, stok tomonda esa U_ZI+ U_SI yig‗indi qiymati bilan aniqlanadi. U_SI qiymati qancha katta bo‗lsa, kanalning ponaligi (klinovidnost) va uning qarshiligi shuncha katta bo‗ladi.

Kanalning ko‗ndalang kesimi nolga teng bo‗ladigan vaqtdagi zatvor kuchlanishi berkilish kuchlanishi U_ZI.BERK. deb ataladi.

^UЗИ
 U_СИ.ТЎЙ. ^{kuchlanish berkilish kuchlanishiga UZI.BERK ga teng bo‗ladigan}

vaqtdagi stok kuchlanishi to‘yinish kuchlanishi U_SI.TO‘Y. deb ataladi.

Bu yerdan

^UСИ.ТЎЙ. ^{ UЗИ .БЕРК .}

• 
  
  U_ЗИ
  

(3.11)

^{UСИ  U}СИ.ТЎЙ.
vaqtidagi tranzistorning ishchi rejimi tekis o‘zgarish rejimi,

^{UСИ  U}СИ.ТЎЙ.
vaqtidagi tranzistorning ishchi rejimi esa to‘yinish rejimi deb

ataladi. To‗yinish rejimida U_SI kuchlanish qiymatining ortishiga qaramay I_C tokining ortishi deyarli to‗xtaydi. Bu holat bir vaqtning o‗zida zatvordagi U_ZI kuchlanishining ham ortishi bilan tushuntiriladi. Bu vaqtda kanal torayadi va I_C tokini kamayishiga olib keladi. Natijada I_C dreyfrli o‗zgarmaydi.

Biror uch elektrodli asbob kabi, maydoniy tranzistorlarni uch xil sxemada ulash mumkin: umumiy istok (UI), umumiy stok (US) va umumiy zatvor (UZ). UI sxema keng tarqalgan sxema hisoblanadi.