P–n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor

planar – epitaksial texnologiyada yasaladi.
Planar texnologiyada n-p–n tranzistor tuzilmasini yasashda p–turdagi yarim o‗tkazgichli plastinaning alohida sohalariga teshiklari mavjud bo‗lgan maxsus maskalar orqali mahalliy legirlash amalga oshiriladi. Maska rolini plastina sirtini egallovchi kremniy ikki oksidi SiO₂ o‗ynaydi. Bu pardada maxsus usullar (fotolitografiya) yordamida darcha deb ataluvchi teshiklar shakllanadi. Kiritmalar yoki diffuziya (yuqori temperaturada ularning konsentratsiya gradienti ta‘sirida kiritma atomlarini yarim o‗tkazgichli asosga kiritish), yoki ionli legirlash yordamida amalga oshiriladi. Ionli legirlashda maxsus manbalardan olingan kiritma ionlari tezlashadi va elektr maydonda fokuslanadilar, asosga tushadilar va yarim o‗tkazgichning sirt qatlamiga singadilar.
Planar texnologiyada yasalgan yarim o‗tkazgichli bipolyar tuzilmali IMS namunasi va uning ekvivalent elektr sxemasi 44 a, b - rasmda keltirilgan.
Diametri 76 mmli yagona asosda bir varakayiga usulda bir vaqtning o‗zida har biri 10 tadan 2000 ta element (tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar)dan
tashkil topgan 5000 mikrosxema yaratish mumkin. Diametri 120 mm bo‗lgan plastinada o‗nlab milliontagacha element joylashtirish mumkin.
Zamonaviy IMSlar qotishmali planar – epitaksial texnologiyada yasaladi. Bu texnologiya planar texnologiyadan shunisi bilan farq qiladiki, barcha elementlar p– turdagi asosda o‗stirilgan n–turdagi kremniy qatlamida hosil qilinadi. Epitaksiya deb kristall tuzilmasi asosnikidan bo‗lgan qatlam o‗stirishga aytiladi.
a) b)

42. – rasm.
    

Planar – epitaksial texnologiyada yasalgan tranzistorlar ancha tejamli, hamda planarliga nisbatan yaxshilangan parametr va xarateristikalarga ega.

Buning uchun asosga epitaksiyadan avval n⁺ - qatlam kiritiladi (45 - rasm). Bu holda tranzistor orqali tok kollektordagi yuqoriomli rezitordan emas, balki kichikomli n⁺ - qatlam orqali oqib o‗tadi.

42. – rasm.
    

Mikrosxema turli elementlarini elektr jihatdan birlashtirish uchun metllizatsiyalash qo‗llaniladi. Metallizatsiyalash jarayonida oltin, kumush, xrom yoki alyuminiydan yupqa metall pardalar hosil qilinadi. Kremniyli IMSlarda metallizatsiyalash uchun alyuminiydan keng foydalaniladi.

Sxemotexnik belgilariga ko‗ra mikrosxemalar ikki sinfga bo‗linadi.

IMS bajarayotgan asosiy vazifa – elektr signali (tok yoki kuchlanish) ni ko‗rinishida berilayotgan axborotni qayta ishlash hisoblanadi. Elektr signallari uzluksiz (analog) yoki diskret (raqamli) shaklda ifodalanishi mumkin.
Shu sababli, analog signallarni qayta ishlaydigan mikrosxemalar –