P–n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor



Yüklə 58,95 Kb.
səhifə11/15
tarix24.12.2023
ölçüsü58,95 Kb.
#191657
1   ...   7   8   9   10   11   12   13   14   15
Mavzu mdya-tranzistorlarning volt-amper xarakteristikalari va p-fayllar.org

A rejimda sokinlik rejimida ishchi nuqta uzatish xarakteristikasi kvazichiziq soha o‗rtasida joylashadi (41 - rasm).


a) b)
  1. - rasm

Kirish signalining ikkala yarim davri uzatish xarakteristikasining kvazichiziq sohasida joylashganligi sababli nochiziqli buzilishlar eng kichik (KG 1%) bo‗ladi. Rasmdan ko‗rinib turibdiki, agar



UЧИК .m
1 E
2 М
; IЧИК.m I


ЎРТ
bo‗lsa, u holda (3.22)ni o‗rniga qo‗yib, quyidagini

olamiz



  1 , (ya‘ni 25 %).
4



V rejimda sokinlik rejimidagi ishchi nuqta tranzistorning berk holatiga mos keluvchi kvazichiziq soha chegarasida joylashadi. Tranzistor faqat musbat yarim davr mobaynida ochiq holatda bo‗ladi (42 – rasm).

V rejimda KG 70 % atrofida bo‗ladi. (3.22) ifodaga YeM va


qo‗yib, quyidagini hosil qilamiz
IЎРТ
2 I

ЧИК .m
larni

 


4
(ya‘ni 78 %).

V rejimda nochiziqli buzilishlarni kamaytirish maqsadida musbat yarim davrni, ikkinchisi – manfiy yarim davrni kuchaytiradigan, ikkita kuchaytirgichdan tashkil topgan ikki taktli sxema qo‗llaniladi.





  1. b)
  1. – rasm.




Yüklə 58,95 Kb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   7   8   9   10   11   12   13   14   15




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin