P–n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor

U
_{K } ^UЧИК
^UКИР
 SR_K
(3.18)

Masalan, agar R_K =5 kOm;

K_U=-200.
^_Т =25 mV; I_K k=1 mA; S= 40 mA/V, u holda

Kollektor toki faqat U_BE kuchlanishiga emas, balki U_KE kuchlanishiga ham bog‗liq bo‗ladi. Bu bog‗liqlik differensial chiqish qarshiligi bilan xarakterlanadi

r  ^{dU КЭ}  ^UE
U_BE = const bo‗lganda,

K

K
^КЭ dI I
Bu yerda proporsionallik koeffisienti U_E Erli kuchlanishi. U_E ning qiymatlari kremniyli n-p-n tranzistorlar uchun 80-200 V atrofida bo‗ladi. r_KE hisobiga

K_U  S(R_K // r_КЭ )
(3.19) .

Signal manbaiga nisbatan kuchaytirish bosqichi uchun kirish qarshiligi katta rol o‗ynaydi. Uning qiymati qancha katta bo‗lsa, signal manbai shuncha kam yuklanadi va shunchalik yaxshi kirish bosqichiga uzatiladi. Kirish zanjirini yuklamaga ulangan kuchlanish manbai ko‗rinishida ifodalash uchun differensial kirish qarshiligi kattaligi kiritiladi

^rКИР
 r_БЭ
 dU _БЭ
dI
U_KE = const bo‗lganda.

Б
Kirish qarshiligi r_BE va tiklik S orasida quyidagi bog‗liqlik mavjud

^rБЭ
_  _,
S

bu yerda ^ - tok uzatish differensial koeffisienti. Amaliy hisoblar uchun quyidagi nisbatdan foydalanish mumkin

_{r } _T
(3.20).

I
БЭ
K
Kuchaytirgich bosqichining chiqish yoki ichki qarshiligi r_ChIQ bu bosqichni yuklama (keyingi bosqich) bilan o‗zaro ta‘sirlashuvida katta rol o‗ynaydi. Kuchaytirgichning chiqish qarshiligi yuklamadan tok oqib o‗tayotganda chiqish kuchlanishini kamayishiga olib keladi va bu holatni kuchaytirish koeffisientini hisoblayotganda hisobga olish kerak bo‗ladi.
Yuklama qarshiligi R_Yu va chiqish qarshiligi r_ChIQ kuchaytirgich kuchaytirish

koeffisientini

R_Ю /(r_ЧИК

• 
  
  R_Ю )
  

martaga kamaytiruvchi kuchlanish bo‗luvchisini

hosil qiladilar. Chiqish ichki qarshiligi kuchaytirish koeffisienti

^rЧИК
^{ R}_K ^{// r}_КЭ . Natijada yuklamadagi

K_UЮ  S(R_K // r_КЭ // R_Ю ) (3.21)

Kuchaytirish koeffisienti temperatura o‗zgarishiga bog‗liq, chunki

_{S } dI _{K .}
_T

Nihoyat, tok bo‗yicha differensial kuchaytirish koeffisienti quyidagi ifoda yordamida aniqlanadi

_{ } dI _K
dI _Б
U_KE = const bo‗lganda.

Bu kattalik statik koeffisientdan kollektor tokining keng o‗zgarish

diapazonida sezilarli farq qilmaydi va ^{   /(1)} ga teng.
Nochiziqli buzilishlarni kamaytirish va kuchaytirish koeffisientini temperaturaviy barqarorligini oshirish maqsadida kuchaytirgich bosqichiga manfiy teskari aloqa kiritiladi.
Teskari aloqa deb chiqishdagi yoki biror oraliq zveno qurilmasi chiqishidagi energiyaning bir qismini uning kirishiga uzatishga aytiladi. Buning uchun sxemaga maxsus zanjir kiritiladi va u teskari aloqa zanjiri deb ataladi. Bu zanjir kuchaytirgich chiqishidagi quvvatning bir qismini uning kirishiga uzatishga hizmat qiladi. Bir bosqichni o‗z ichiga oladigan teskari aloqa – mahalliy, ko‗pbosqichli kuchaytirgichning ba‘rini o‗z ichiga oladigan teskari aloqa - umumiy deb ataladi.
Teskari aloqaning mavjudligi qurilma chiqishidagi signalning, demak kuchaytirish koeffisientining ham ortishi yoki kamayishiga olib kelishi mumkin. Birinchi holatda kirish signali fazasi bilan teskari aloqa signali fazalari bir – biriga mos keladi va ularning amplitudalari ko‗shiladi – bunday teskari aloqa musbat teskari aloqa deb ataladi. Ikkinchi holatda esa fazalar teskari bo‗lib, amplitudalar bir - biridan ayiriladi – bunday teskari aloqa manfiy teskari aloqa deb ataladi.
Kuchaytirgichlarda faqat manfiy teskari aloqa (MTA) qo‗llaniladi. MTA ning kiritilishi signal kuchayishini kamaytiradi, lekin parametrlarning barqarorligi ortadi va nochiziqli buzilishlar kamayadi.
38 – rasmda manfiy teskari aloqali bir bosqichli kuchaytirgich sxemasi keltirilgan.

38. – rasm.
    

Bu yerda MTA emitter zanjiriga R_E rezistor kiritilishi bilan amalga oshirilgan. Kirish kuchlanishi U_KIR ortishi bilan emitter toki ortadi, shu sababli R_E

rezistorda kuchlanish pasayishi ham ortadi:

U_Э  I_Э R_Э , chunki baza- emitter

o‗tishida kuchlanish kirish kuchlanishiga nisbatan kichik bo‗ladi U _БЭ  U_КИР U_Э . Kirish va R_E rezistordagi kuchlanishilarning o‗zgarishi bir - biriga teng deb

hisoblash mumkin, ya‘ni baza-emitter kuchlanishi o‗zarishi olmasa ham bo‗ladi.

^{U БЭ} ni hisobga

R_E orqali oqib o‗tayotgan tok R_K dan ham oqib o‗tadi, demak, bu tokning
^{o‗zgarishi kolektordagi rezistorda emitterdagi rezistordagiga nisbatan} R / R ^marta
K Э
katta kuchlanish ortishiga olib keladi

Agar
U_Э  U_КИР ^{ni inobatga olsak}

U
_{K } ^UЧИК
^UКИР
  ^{RK .}
R_Э

Bu ifodaga tranzistorning tokka bog‗liq bo‗lgan parametrlari kirmaydi. Shu sababli, kollektor toki emitter tokidan ancha farq qilishini hisobga olsak, MTA li kuchaytirgichning kuchlanish bo‗yicha kuchaytirish koeffisienti kam miqdorda bo‗lsa ham tok qiymatiga bog‗liq bo‗ladi

K_U  
SR_{K .}
1 SR_Э

Kuchaytirgich kirish qarshiligi qiymati ^r_КИР

 r_БЭ

• R_Э

  
  

MTA hisobiga

ortadi. Chiqish qarshiligi esa manfiy teskari aloqa hisobiga sekin ortadi va R_K

qiymatiga intiladi.