P–n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor

Maydoniy tranzistorlarda yasalgan kuchaytirgichlar. Maydoniy tranzistorlardan kuchaytirgich yasashda umumiy istok (UI) sxemada ulangan maydoniy tranzistorlar keng qo‗llaniladi. 39 –rasmda n – kanalli p–n o‗tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi keltirilgan. p–n o‗tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorda stok va zatvorga berilayotgan kuchlanish ishoralari (qutblari) bir - biriga teskari bo‗lishi kerak. Shu sababli o‗zgarmas tok bo‗yicha rejim hosil qilish uchun R_I rezistor kiritiladi va u ketma-ket MTAni hosil qiladi. Bundan tashqari, kuchaytirgich parallel kirishlariga R_SIL rezistor ulanadi va u zatvorni umumiy shina bilan galvanik aloqasini ta‘minlaydi va kuchaytirgich kirish qarshiligini barqarorlaydi.
Berilgan I_S0 sokinlik toki uchun R_I kattaligi maydoniy tranzistor stok – zatvor VAXsidan aniqlanadi. VAXdan U_ZI0 ni aniqlab R_I ni quyidagi ifodadan qiynalmas aniqlash mumkin:


^UЗИ 0 ^{ I}С 0 ^RИ

38. – rasm.
    

Kirishga o’zgaruvchan signalning musbat yarim davri U_KIR berilganda chiqishda teskari fazadagi signal U_ChIQ hosil bo‗ladi, ya‘ni UI sxemadagi kuchaytirgich bosqichi kirish signalini inverslaydi. Kuchlanish bo‗yicha kuchaytirish koeffisienti quyidagiga teng

_{K } ^UЧИК
_ U_{СИ
 } Sr_C  R_{C
 } _n  R_C

^U U


КИР
U _ЗИ
r_C  R_C
r_C  R_C

―Manfiy‖ ishora UIli sxema signalni inverslashini bildiradi. Amaliyotda

^r_C ^{ R}_C , shu sababli kuchaytirish koeffisientini quyidagi ko‗rinishda ifodalash

mumkin
K_U  S  R_C

 R_S.

UI sxemadagi real kuchaytirgich bosqichlarida Ku=3 ’50, R_KIR  R_SIL, R_ChIQ