Ўзбекистон алоқа ва ахборотлаштириш агентлиги

E1, V	0	0.5	1	1.5	2	3	4	5	6	7	8	9
10
Ukir, V
Ikir, mA
Ichiq, mA
E2>0V	E1, V	0	0.5	1	1.5	2	3	4	5	6	7	8	9	10
	Ukir, V
	Ikir, mA
	Ichiq, mA

2.1.4. Optron chiqishidagi signalning ortib borish t_ort. va kamayib borish t_kam. vaqtlarini o‘lchang.

15.7 – rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing, yorug‘lik diodi zanjiriga impuls generatorini ulang. Genrator chiqishida amplitudasi 5V va chastotasi 1kGs bo‘lgan impulsni o‘rnating. R2 qarshilikka 1:10 kuchlanish bo‘luvchisi orqali ossilograf ulang. (Ossillografning boshqa kanalidan generator chiqishidagi impuls amplitudasini o‘lchash uchun foydalaning). E₂=5 V o‘rnating va chiqish toki ossillogrammasidan signalning ortib borish t_ort. va kamayib borish t_kam. vaqtlarini o‘lchang.
E₂=0 ni o‘rnating va fotovoltaik rejim uchun vaqt o‘lchovlarini takrorlang.

15.7-rasm. Diodli optron dinamik xarakteristikasini o‘lchash sxemasi.

2.2. Tranzistorli optron xarakteristikalarini tadqiq etish.

15.8 – rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing, E₂=5 V o‘rnating.

15.8-rasm. Kuchaytirgichli diodli optronni o‘lchash sxemasi. (Bu sxemada optron fotodiodi va tashqi tranzistor fototranzistorni imitasiya qiladi).
E₂ ni o‘zgartirib borib, I_kir=E₁/R1 va I_chiq=I_k deb olib, tranzistorli optron uzatish xarakteristikasi I_chiq=f(I_kir) ni o‘lchang. O‘lchash natijalarini 15.3 jadvalga o’xshash tarzda 15.4 – jadvalga kiriting.
15.4 – jadval

E2=0V	E1, V	0	0.5	1	1.5	2	3	4	5	6	7	8	9	10
	Ukir, V
	Ikir, mA
	Ichiq, mA
E2>0V	E1, V	0	0.5	1	1.5	2	3	4	5	6	7	8	9	10
	Ukir, V
	Ikir, mA
	Ichiq, mA

3. Tajribada olingan natijalarni ishlash.
3.1. Optron kirish xarakteristikasini quring va I_kir=10 mA qiymatiga mos keluvchi kirish kuchlanishi U_kir qiymatini aniqlang.
3.2. Diodli va fotovoltaik rejimlar uchun optron uzatish xarakteristikalarini quring va I_kir=10 mA qiymatida tok bo‘yicha uzatish koeffisiyentini K_I aniqlang.
3.3. Diodli optronda signal tarqalishining o‘rtacha kechikish vaqtini hisoblab toping.
.
3.4. Tranzistorli optron uzatish xarakteristikasini quring va I_kir=10 mA qiymatida tok bo‘yicha uzatish koeffisiyentini K_i aniqlang.


4. Hisobot mazmuni.
1. Tadqiq etilayotgan optron chegaraviy qiymatlari va prinsipial sxemasi.
2. o‘lchash sxemalari.
3. o‘lchangan bog‘liqliklar jadvallari va grafiklari.
4. Hisoblab topilgan parametrlar.
5. Tok va kuchlanish ossillogrammalari.

5. Nazorat savollari.

1. Optoelektron asbob nima va ular qayerlarda ishlatilishini tushuntiring.
2. Fotodiod ishlash prinsipi va asosiy xarakteristikasini tushuntiring.
3. Yorug‘lik diodi ishlash prinsipi va asosiy xarakteristikasini tushuntiring.

ILOVALAR
Tadqiq etiladigan elektron asboblar haqidagi ma’lumotlar

Ilova 1. Bipolyar tranzistorlar

Tranzistor turi	Tuzilishi	h21E	fh21E(fT), MGs	Ik.cheg, mA	Uk.cheg V	Rk cheg, mVt	k, mks	Sk (10V), pF
MP37B	n-r-n, Ge, qotishmali	20÷50	1,0	20	15	150		40
MP39B	r-n-r, Ge, qotishmali	20÷50	0,5÷1,5	20	20	150		40
KT315B	n-r-n, Si, planar -epitaksial	50÷350	(250)	100	20	150	0,5	7
KT361B	r-n-r, Si, planar -epitaksial	50÷350	(250)	50	20	150	0,5	9

(TR 2) MP 37 (TR 27) KT 315

MP 39 KT 361

Ilova 2. Maydoniy tranzistorlar

Tranz. turi	Tuzilishi	Ic cheg (Ic boshl.)	Usi cheg, V	Rs cheg, mVt	Szi, pF	Szs, pF	Ssi, pF	rk, Om	Uberk, V
KP103I	n-r o‘tishli r-kanalli	(0,8-1,8)	12	21	20	8	-	30	0,8-3
KP103Ye	n-r o‘tishli r-kanalli	(0,4-1,5)	10	7	20	8	-	50	0,4-1,5
KP103M	n-r o‘tishli r-kanalli	(5-7,5)	10	120	20	8	-	60	3-5
KP301B	r-MDYa, kanali indusiyalangan	15	20	200	3,5	1	3,5	100	-4
KP305D	n-MDYa, kanali qurilgan	15	15	150	5	0,8	5	80	-6

(TR 67) KP 103 (TR 69) KP 305 (TR 71) KP 301

Ilova 3. Integral mikrosxemalar

Laboratoriya ishlarida tadqiq etilayotgan barcha mikrosxemalar 201.14.1÷201.14.9 turdagi 14 chiqishli 2 qator qilib joylashtirilgan to‘g‘ri burchakli plastmassa yoki keramik qobiqda bajarilgan (maxsus belgisi 1-chiqish yaqinida nuqta ko‘rinishida bajarilishi mumkin).

201.14.1÷201.14.9 korpusini yuqoridan ko‘rinishi.

K 140UD20 operatsion kuchaytirgichi

1 (7) – OK inverslovchi kirishi
2 (6) – OK inverslamaydigan kirishi
4 – “-Up” manba ulash uchun chiqish
12 (10) – OK chiqishi
13 (9) - “+Up” manba ulash uchun chiqish
(Qavs ichidagi raqamlar shu kristallda joylashtirilgan ikkinchi OKga tegishli)
K553UD2; KR1408UD1 Operatsion kuchaytirgichlari

4 – OK inverslovchi kirishi
5 – OK inverslamaydigan kirishi
6 – “-Up” manba ulash uchun chiqish
10 – OK chiqishi
11 – “+Up” manba ulash uchun chiqish
3, 12 – OK ga tashqi korreksiya zanjirlarini ulash uchun chiqish.

Laboratoriya ishlarida tadqiq etilayotgan OK asosiy parametrlari

OK turi	Kyv 10^3	Usm, mV	Ikir, mkA	Ikir, mkA	f1, MGs	Ucheg.chiq, v/mks	Kta sf dB	Ukir, V	Ukir sf, V	Um, V
K553UD2	20	7,5	1,5	0,5	1	0,5	70	10	10	+(6-15)
K140UD20	50	5	0,2	0,05	0,55	0,3	70	12	11	+(6-15)

K176LP1 KMDYa tuzilishli universal mantiqiy element (mos keluvchi kommutasiyada uchta EMAS elementi, katta tarmoqlanish koeffisiyentiga ega bo‘lgan EMAS elementi, 3HAM-EMAS elementi, 3YoKI-EMAS elementi va triggerli yacheyka sifatida qo‘llanilishi mumkin).

KMDYa tuzilishli K176LP1 mikrosxemasining sxemasi.

Asosiy elektr parametrlari:

• 
  kuchlanish manbai U_m=9V +5%;
  
• 
  mantiqiy signal sathlari U⁰_chiq  0,3V; U¹_chiq  8,2V;
  
• 
  iste’mol qilinayotgan tok: 0,3 mA dan katta emas;
  
• 
  signal tarqalishining o‘rtacha kechikish vaqti  200;
  
• 
  ishlash qobiliyati manba kuchlanishi 5Vgacha pasayguncha saqlanadi. Kirish signallarining ruxsat etilgan diapazoni (0dan U_m gacha).