Dərs vəsaiti Bakı 2023

Yarımkeçirici birləşmələr. 
Son illərdə kimya və 
elektronikanın inkişafı ümumi
yarımkeçirici biriəşmələr
adlanan böyük bir qrup maddələrin geniş istifadə edilməsinə 
səbəb olmuşdur. 
Geniş istifadə edilən yarımkeçiricilik xassələrinə malik 
birləşmələrə D. Mendeleyevin dövrü sistemində IV qrup 
elementlərinə nəzərən simrnetrik yerləşmiş elementlərin 
birləşmələri daxildir. Məsələn, II və VI qrup elementləri A
II
B
VI
(ZnS, ZnSe, CdS, CdSe, CdTe və b.), III və V qrup elementləri 
isə A
III
B
V
birləşmələrini (GaAs, GaP, GaSb və başqa tipli 
arsenidlər, fosfıdlər və antimonidlər) verir. Bu yarımkeçirici 
birləşmələr elementar yarımkeçirici qermanium və silisum üçün 
xarakterik olan xassələrin sayını artırır. 
Yarımkeçirici 
biriəşmələr 
qalvanik-maqnit 
verici 
elementlər 
(ZnSb, 
ZnAs), 
həmçinin 
düzləndiricilər, 
fotoelementlər, tranzistorlar (AlSb, GaAs, İnP), lazerlər, yüksək 
faydalı iş əmsallı mazerlər (GaAs və b.) kimi istifadə olunur. 
A
II
B
VI
birləşmələri fotoelementlər, müxtəlif şüaları 
elektrikə çeviricilər, fotomüqavimət və b. kimi geniş istifadə 
olunur. 
A
III
B
v
birləşmələri üç tipə ayrılır: 
1)
ərimə nöqtəsində buxarlarının təzyiqi çüzi oianlar 
(İnSb, GaSb, AsSb - antimonidlər); 
2)
ərimə nöqtəsində buxarlarının təzyiqi müəyyən 
səviyyədə olanlar (İnAs, GaAs, İnP, GaP); 
3)
yüksək ərimə temperaturlu və ərimə nöqtəsində 
buxarlan yüksək təzyiqli olanlar (AIAs, AIP
:
BAs, BP, 
İnN, GaN və b.). 
Bu monokristalların sintezi və aiınmasına müəyyən təsir 
göstərir. Onların alsnması üçün yüksək təzyiqdə işləyən 
qurğuiardan istifadə etmək lazım gəlir. 
Yarımkeçirici birləşmələrin aiınmasında əsas texnoloji 
mərhələ onlann sintezidir. Adətən digər əməliyyatlar 
(təmizləmə, legirləmə və monokristaiın yetişdirilməsi) 

---

sintezdən sonra aparılırvə bunlann hamısı eyni çihazda yerinə 
yetirilir. 
Yarım keçirici birləşmələr müxtəlif üsullarla alınır: atom 
konsentrasiyaları bərabər olan eiementlərə malik maye 
ərintilərdsn (stexiometrik ərintidən); çoxlu mıqdaroa lll qrup 
element birləşmələrinə malik məhlullarından, qazvari fazadan 
və kimyəvi reaksiya sayəsində. Sonuncu iki üsulla kiçik 
kristallar alınır Adətən antimonidlər, qallium ve inoium 
arsenidləri stexiometrik ərintilərdən alınır.