Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni


ULTRAQISQA IMPULSLI LAZER NURLANISHINING DISPERSIYALOVCHI



Yüklə 11,09 Mb.
Pdf görüntüsü
səhifə38/63
tarix18.05.2020
ölçüsü11,09 Mb.
#31289
1   ...   34   35   36   37   38   39   40   41   ...   63
Конференция - физика-PDFга


ULTRAQISQA IMPULSLI LAZER NURLANISHINING DISPERSIYALOVCHI 

MUHITDA TARQALISHIGA KERR NOCHIZIQLI EFFEKTINING TA’SIRI 

 

Soliyeva Fayoza Maxmadaliyevna, Toshkent davlat texnika universiteti, e-mail: 

soliyevafaeza@gmail.com

 

 



Ma’lumki,  nochiziqli  muhitda  fotonlarning  o’zaro  ta’sirlashuvi  hodisasi  shu  muhit  sindirish 

ko’rsatkichining ham nochiziqli tavsifga ega bo’lishiga olib keladi. Buning sababi atom va molekulalar 

elektron  va  tebranma  harakatlari  angarmonizmi,  yorug’lik  maydonida  anizotrop  molekulalar 

oriyentatsiyasi  evaziga  qutblanishning  o’zgarishi,  elektrostriksiya  va  qizishga  asoslangan  muhit 

zichligining o’zgarishidir. Sanab o’tilgan mexanizmlar kattaligi va bu ishda ko’rilayotgan muammo 


“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”.  Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.

 

257 


 

nuqtai  nazaridan  birlamchi  qiziqishni  ifoda  etuvchi  nochiziqiylikni  o’rnatilishning  xarakterli  vaqti 

bilan  farqlanadi.  Nochiziqiylik  chiziqiylikka  qaraganda  juda  kichik  va  optik  nochiziqiylik  maydon 

darajasi  bo’yicha  qutblanishning  qatorga  yoyilishi 

𝜑 bilan yaxshi ifodalangan sharoitda   𝜑 = 𝜑

𝑙

+



𝜑

𝑛𝑙



𝜑

𝑛𝑙

≪ 𝜑



𝑙

  (1)  bo’ladi  deyish  mumkin.  Sindirish  ko’rsatkichi  nochiziqliligiga  olib  keluvchi 

faktorlarni  fenomenologik  tarzda  elektr  maydon  bo’yicha  tok  bo’lgan  nochiziqiylikning  namoyon 

bo’lishi kabi qarash mumkin. Agar nochiziqiylikni kvazistatik deb hisoblash mumkin bo’lsa (yorug’lik 

impulsining  davomiyligi  τ

o

≪τ



hi

),  nochiziqiy  sindirish  ko’rsatkichi  nochiziqiy  qutblanish  qismiga 

asoslangan deyish mumkin. Φ

nl

= φ(3) + φ(5)+…..=



 𝜒

(3)


 EEE

 𝜒

(5)



EEEEE +…….(2) Bu yerda, 

 𝜒

(3)



 𝜒

(5)



-  nochiziqiy  qabul  qiluvchanlik  tenzori.  τ

0



τ

na 


bo’lganida  va  ayniqsa  τ

0

≪τ



nl 

ga  nochiziqiylikni 

chastotaga  bog’liq  bo’lgan  nochiziqiy  qabul  qiluvchanlik  o’rniga  ko’p  vaqtli  funksiya  namoyon 

bo’ladigan  integral  munosabatlar  bilan  ifodalash  mumkin,  masalan,   

 𝜑

(3)


(𝑡, 𝑟)  = 



0

 𝜒

(3)



(𝑡

1,

𝑡



2,

𝑡

3



) E (t-𝑡

1,

− 𝑡



2,

− 𝑡


3

 𝑟)d𝑡


1,

 𝑑𝑡


2

,  𝑑𝑡


3

  (3)  


Bu  yerda 

𝜒

(3)



(𝑡

1,

𝑡



2,

𝑡

3



) – nochiziqiylikni uch vaqtli funksiyasidir. Analogik (3)–munosabatlar 

bilan nostatsionar nochiziqiyli qutblangan nokvazistatsionarlikning maydon bo’yicha yuqori tartibli 

yoyilishi ham ifodalanadi. Unda yuqori tartibli funksiyalar shakllanadi, masalan, 

 𝜒

(5)



(𝑡

1,

𝑡



2,

𝑡

3



, 𝑡

4

, ) va 



x.k.  (1)–(3)  va  nochiziqiy  sindirish  ko’rsatkich  orasidagi  bog’liqlikni  o’rnatish  uchun  maydon 

bo’yicha kubik bo’lgan kvazimonoxromatik yorug’lik maydonidagi nochiziqiylikni ko’rib chiqamiz 

E(t,r)  =  1 2

⁄   e  A  (t)  𝑒

𝑖(𝜔𝑡−𝑟)

+  kq.(4)  Bu  yerda  e  –  qutblanish  vektori.  Sindirish  ko’rsatkichi 



nochiziqiyliligiga ta’sirlashuvchi maydon chastotasi 

𝜔 ga ega bo’lgan nochiziqiy qutblanganlikning 

spektral  komponentasiga  olib  keladi. 

 𝜑

(3)



(𝜔, 𝑡, 𝑟)  =  3 3

⁄  𝑥


(3)

(𝜔) 𝐴


(2)

A

𝑒



(𝑖)(𝜔𝑡−𝑘𝑟)

+k.c  (5)  Bunda 

𝜒

(3)


(𝜔)  =  𝑒𝜒

(3)


(𝜔, 𝜔, 𝜔 − 𝜔)  eee  (5)  munosabatni  kvazimonoxromatik  maydon  uchun  qo’llash 

mumkin, bunda ularni o’zgarishining xarakterli vaqti τ

0

≪τ

nl 



bo’lishi kerak. Qabul qiluvchanlikning 

spektral komponentasi 

𝜒

(3)


 javob funksiyasi bilan bog’langan  

𝜒

(3)



ijkl 

(𝜔, 𝜔, 𝜔 − 𝜔) =∭ 𝜒

(3)



0



ijkl 

(𝑡

1,



𝑡

2,

− 𝑡



1,

𝑡

3,



− 𝑡

2,

− 𝑡



1,

)x  xexp[𝑖𝜔(𝑡

3,

− 𝑡


2,

− 𝑡


1,

)] 


𝑑𝑡

1,

𝑑𝑡



2,

𝑑𝑡

3,



 (6) to’rtinchi rang 

𝜒

(3)



 ijkl tenzoriga 

faqat anizotrop muhitning noldan farqli bo’lgan komponentlaridan tashqari, izotrop muhitning ham, 

jumladan – inversiya markaziga ega muhitning komponentlari ham kiradi. (5) ifodani induksiya uchun 

berilgan munosabatga qo’yib, D=E+4

 𝜋 𝜑 dielektrik sindiruvchanlikka nochiziqli qo’shimcha uchun 

quyidagi  munosabatni  topamiz   

𝑒

𝑖𝑗

𝑛𝑙



=

∆𝑛

𝑖𝑗



2

=3

 𝜋𝜒



(3)

𝑖𝑗𝑘𝑙


(𝜔: 𝜔, 𝜔, −𝜔)𝑒

𝑘

𝑒



𝑙

𝐴

2



  (7)    Shunga  o’xshash 

tarzda 


𝜒

(3)


 va x.k. ga asoslangan E va n ga nochiziqiy qo’shimcha yoziladi. Shunday qilib, kuchsiz 

nochiziqli anizotrop muhit uchun kompleks sindirish ko’rsatkichining haqiqiy va mavhum qismlarini 

maydonning juft darajalari bo’yicha yoyishni quyidagi ko’rinishda yozish mumkin: Re(n) = 

𝑛

0,



 + 

∆𝑛(I)  


(8a)  

𝛿 =(𝜔/𝑐) *Im(n) = 𝛿

0

 + 


∆ 𝛿 (I) (8b) (8b) bo’yicha ifodalanuvchi nochiziqli yutilish (absorbsion 

o’z-o’zidan  ta’sirlashuv)ni  tekshirishlar  nochiziqli  spektroskopiyaning  eng  ko’p  ishlab  chiqilgan 

bo’limlaridan  biridir.  Qisqa  yorug’lik  impulslari  nochiziqli  optika  uchun  sindirish  ko’rsatkichining 

haqiqiy qismi nochiziqiyligiga asoslangan  effektlar ’’dispersiyasi’’ o’z-o’zidan ta’sirlashuvga katta 

qiziqish uyg’otadi. Sindirish ko’rsatkichining haqiqiy qismi uchun quyidagi formula o’rinli bo’ladi.  

n=n

0+

1

2



⁄ n

2

|𝐴|



2

=n

0



+n

2

I  (9)  



Yorug’lik  intensivligi  yetarli  darajada  yuqoribo’lganda  muhitning  sindirish  ko’rsatkichi 

yorug’lik intensivligiga bog’liq bo’ladi.  

Olib borilgan izlanishlardan shu narsa  ma’lum  bo’ldiki, lazer nurining ko’ndalang kesimidagi 

intensivlik  taqsimoti  ko’p  hollarda  Gauss  taqsimotiga  yaqin  yoki  shunga  o’xshash  funksiya  bilan 

ifodalanadi,  ya’ni nurning markaziy qismida intensivlik katta va  chekka qismlarida radius bo’yicha 

kamayib boradi. Yorug’likning ko’ndalang kesimida yoritilganlik bir tekis bo’lmasa, bunda sindirish 

ko’rsatkichi  muhit  bir  jinsli  emasligiga  ekvivalent  holda  doimiy  kattalik  bo’lmaydi.  Bir  jinsli 

bo’lmagan muhitda yorug’lik to’g’ri chiziq bo’ylab tarqalmasdan, muhit sindirish ko’rsatkichi katta 

bo’lgan tomonga og’adi.  


“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”.  Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.

 

258 


 

Foydalanilgan adabiyotlar ro`yxati: 

1. 

Кандидов  В.П.,  Косарева  О.Г.,  Шлёнов  С.А.  Влияние  нестационарной 



самодефокусировки на распространение мощных фемтосекундных лазерных импульсов в газах 

в условиях ионизации // Квантовая электроника. (1994). 21, С. 971. 

2. Шленов С.А., Кандидов В.П. Формирование пучка филаментов при распространении 

фемтосекундного лазерного импульса в атмосфере // Оптика атмосферы и океана, 2004. т.17, 

№ 8, С. 630-636.                

 

XOLESTERIL PENTADETSILATNING MOLEKULYAR KONFORMATSIYALARINI 

INFRAQIZIL SPEKTROSKOPIYA 

 USULI BILAN O‘RGANISH 

 

A.A.Yakubov, H.I.Jalmatov, I.Qo‘chqorov 



SamDU, fizika fakulteti 

 

Xolesterin alkanoatlari (XA) xolesterik suyuq kristallarning eng muhim vakillaridan biri bo‘lib, 



ular amalda keng qo‘llaniladi va muhim biologik obyektlardan biri sanaladi. Lekin hozirgacha ularning 

molekulalari  strukturasi  va  molekulalararo  o‘zaro  ta’sirlari  bilan  mezomorf  xossalari  orasidagi 

bog‘lanish o‘rnatilmagan. Ushbu ishda bu masala XA gomologik qatorining o‘n beshinchi a’zosi  – 

xolesteril  pentadesilat  (15XA)  misolida  qaralgan.  15XA  enantiotrop  smektik  va  xolesterik  suyuq 

kristall fazalarga ega. 

15XAning  400-1800  sm

-1

  spektral  sohada  295-400  K  temperatura  intervalida  qattiq  kristall, 



smektik, xolesterik va izotrop suyuqlik fazalarda olingan spektrlari o‘rganildi. IQ yutilish spektrlari 

UR-20  spektrofotometrida  olindi.  Turli  temperaturalardagi  IQ  spektrlar  “Xitachi”  (Yaponiya) 

firmasining isitish kamerasi va temperatura stabilizatori (aniqligi 0,5 K) yordamida olindi. 

15XA  ning  IQ  spektridagi  polosalar  adabiyotlardagi  xarakteristik  chastotalar  asosida 

interpretatsiya qilindi. Spektrlarni tahlil qilish fazaviy o‘tishlarda asosiy o‘zgarishlar 15XA ning alkil 

zanjirining  mayatnik  va  yelpig‘ich  tebranishlari  sohalarida  bo‘lishini  ko‘rsatdi.  Bu  o‘zgarishlarni 

o‘rganish qattiq kristall fazada elementar kristall yacheykada kamida ikkita translyatsion noekvivalent 

molekula joylashganligini hamda alkil zanjirlar qattiq kristall fazada to‘liq cho‘zilgan (trans-izomer) 

holatda, smektik, xolesterik va izotrop suyuqlik fazalarda esa C-C bog‘lanishlar atrofida aylanishdan 

hosil bo‘lgan har xil buralma izomerlar holatida bo‘lishini ko‘rsatadi. 

 

ZARYADLI ALOQA QURILMASINING ISHLASH PRINSIPI HAQIDA 

 

B.Jo’rayev, R.Turniyazov (SamDU) 

A.Ajabov, A.Xudoyberdiyev, N.Odilova, M.Saidov(QarDU) 

 

Zaryadli aloqa qurilmasi (ZAQ) kamerasining originalligi, fotoaylantirish jarayonining kremniy 



kristali  ichida  bajarilishidir.  Bu  qurilmalarda  fotoaylantirish  jarayoni  tashqi  ta’sirlardan 

muhofazalangan.  Natijada  signalning  shovqinga  nisbati  vakuum  fotoaylantirgichlarga  nisbatan 

yo’qori. 

ZAQ ning ishlash asosi quyidagicha: optik tasvirdan tushayotgan fotonlar kristalda erkin zaryad 

tashuvchilarni  uyg’otadi.  Ular  maxsus  potensial  o’ralarda  yig’iladi.  Har  bir  o’rada  to’plangan 

zaryadlar  bir-biriga  qo’shilmasdan,  sinxron  ravishda,  elektr  maydoni  yordamida  boshqarilib,  qabul 

qilingan yo’nalish bo’yicha qadamba-qadam siljitilishi natijasida navbatma-navbat chiqish zanjiriga 

tushiriladi  va  chiqish  qurilmasi  yordamida  tashqi  zanjir  bilan  bog’lanadi.  Uni  quyidagi  rasmda 

kuzatish mumkin: 


“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”.  Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.

 

259 


 

 

1-rasm. Zaryadli aloqa qurilmasining ishlash prinsipi. a) ZAQ ning ishlash prinsipini tushuntirish 



chizmasi; b) Zaryadni injeksiyalashni tushuntiruvchi chizma. 

ZAQ ning fizik tuzilishiga e’tibor qaratadigan bo’lsak,  metall, dielektrik va yarim o’tkazgich 

plastinkalar ko’rsatilgandek (rasm) joylashtirilsa, bizga ma’lum MDP kondensatori hosil bo’ladi.  

 

2-rasm. ZAQ ning fizik tuzilishi. 



Agar unga rasmda ko’rsatilganidek qilib kuchlanish manbai ulansa, u holda kondensatorda hosil 

bo’lgan  elektr  maydon  ta’sirida,  zaryadning  asosiy  tashuvchilari  metal  elektrod  tomon  intilishi 

kuzatiladi. Agar tashqi manba qutblari o’zgartirilsa, zaryadlarni tashuvchi, aksincha, yarim o’tkazgich 

qavatida  o’zlarining  harakatchanliklarini  yo’qotib,  tashqi  ta’sirga  befarq  qoladi.  Yarim  o’tkazgich 

noo’tkazgichga  aylanadi.  Elektrod  tagidagi  muhit  chegaralangan  bir  hajmni  tashkil  qiladi,  uni  biz 

potensial  o’ra  deb  ataymiz.  Bu  o’ra,  rasmda  tushuntirishga  qulay  bo’lishi  uchun,  kristalning 

ko’ndalang kesimiga nisbatan shartli ko’rsatilgan. Agar tashqaridan biror yo’l bilan boshqa turdagi 

zaryadlarni  tashuvchi  potensial  o’raga  tushirilsa,  ular  bu  muhitda  avvalgi  zaryad  tashuvchilarga 

o’xshab o’ta harakatchan bo’ladilar. Sistemada aylanish hosil bo’ladi, ya’ni kristalda o’tkazuvchining 

turi o’zgarmagan holda zaryadni olib yuruvchi bir turdan ikkinchi turga aylanadi. Masalan, n- turdan 

r-turga. Agar shu kristalga yana bir elektrod o’rnatilsa va ikki elektrod orasidagi masofa 1 mkm dan 

kam olinsa, ular orasida boshqariladigan o’zaro aloqa paydo bo’ladi. Ya’ni birinchi potensial o’raga 

tashqaridan kiritilgan zaryadlar ikkinchi o’raga oqib o’tishi mumkin. 

Agar o’ralar soni ko’paytirilsa u holda zaryad to’plami birin-ketin o’radan-o’raga o’tishini elektr 

maydoni orqali boshqarish mumkin. Bu jarayonni quyidagicha tushuntiramiz. 

Agar elektrodlarga ulangan potensiallar qiymati aytib o’tganimizdek ulansa, u holda birinchi va 

ikkinchi o’ralar orasidagi aloqa hosil bo’ladi. Birinchi o’radagi zaryad tashuvchi birinchi va ikkinchi 

potensial o’ra oralig’ida daydi harakatda bo’ladi. Uchinchi elektrodda potensial bo’lmaganligi sababli 

unda o’ra hosil bo’lmaydi va oldingi elektrodlar bilan keyingi elektrod o’rtasida sun’iy devor vujudga 

keladi.  

Agar  qo’shni  elektrodlarda  kuchlanish  qiymati  bir  xil  bo’lsa,  maydonlarning  bir-biri  bilan 

kesishish nuqtasi darajasida to’siq olinadi va ikkala potensial o’ra qo’shiladi. 



“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”.  Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.

 

260 


 

Agar  elektrodlar  guruhlarga  ajratib,  fazalar  tashkil  qilinsa,  ya’ni  elektrodlar  rasmda 

ko’rsatilgandek, bir biriga ulansa, uch fazali ZAQ hosil bo’ladi. Ish jarayonida o’ralardagi zaryadni 

tashuvchilar to’plami bir-biriga qo’shilib ketmasligi uchun ular orasida potensial to’siq yaratish zarur. 

SBIG kompaniyasining ZAQ kameralari butun dunyoda keng tarqalgan kameralardandir. Ular 

hayotning barcha jabhalarida keng qo’llaniladi. Shu qatori astronomiya sohasida ham bu kameralar 

keng  ko’lamda  foydalaniladi.  SBIG  kompaniyasi  ushbu  ZAQ  kameralarini  astronomiya  sohasiga 

ixtisoslashtirilgan holda ishlab chiqaradi. Uning sezgirligi juda ham yo’qori bo’lgani uchun, ularga 

bo’lgan talab ahchayin katta. 

 

 



ПОСТРОЕНИЕ ДИАГРАММА ФАЗОВОГО РАВНОВЕСИЕ СИСТЕМЫ ЭРБИЙ-

ИНДИЙ МЕТОДОМ ИЗМЕРЕНИЕ МАГНИТНОЙ ВОСПРИИВОСТИ 

 

Х.О. Шакаров, С.С. Тошпўлатова (3-босқич талабаси) 



(Самаркандский государственный университет, Узбекистан) 

 

Диаграмма фазового равновесия (состояния) металлических систем являются надёжной 



информационной базой при выборе условий синтеза интерметаллических соединений в этих 

системах  и  для  исследования  температурных  зависимостей  физических  свойств  в  широком 

интервале  температур,  охватывающие  твердое  состояние,  процесс  плавления  и  жидкое 

состояние, а также для управления металлургическими процесса. 

Детальный обзор о методы построение диаграмм состояний металлических систем описан 

в  монографии  [1].  В  данной  работе  используется  метод  исследования  экспериментальных 

зависимостей 

структурно-чувствительных 

физических 

свойств, 

точнее 

магнитная 



восприимчивость от температуры и от концентрации компонентов системы (или мнтод ДТА-

термомагнитный анализ). 

Сущность  эого  метода,  заключается  в  следующем:  измеряются  температурные 

зависимости магнитной восприимчивости от температуры [χ(T)] сплава исследуемой системы. 

Строится зависимости χ

-1

(T) и зависимости χ от концентрации компонентов системы. Фазовые 



переходы (превращения), происходящие в исследуемом сплаве изменяют ход его зависимости 

χ

-1



(T)  изломом  или  скачком.  Определяется  температуры,  вызывающие  этих  изломов  (или 

фазовых  переходов).  По  анализу  зависимости  χ  от  концентрации  компонентов  системы 

обнаруживаются  промежуточные  фазы  (например,  интерметаллические  соединения), 

образующихся при взаимодействии компонентов изучаемой системы. Если стехиометрический 

состав  сплава  соответствует  составу  интерметаллической  соединению,  тогда  ход  этой 

зависимости  изменяется  изломом,  т.е.  на  этой  зависимости  появляются  особые  точки, 

называемые сингулярными точки. 

Цель данной работы является построение диаграмма состояния бинарной системы Er- In 

методом ТМА.  

В работе [2] методами дифференциально термического анализа (ДТА), рентгенофазового 

анализа (РФА) и по данным растворимости индия в жидком РЗМ была построена диаграмма 

состоянии бинарных систем РЗМ-In. В работе [3] была измерена зависимости χ(T) системы Er-

In  методом  Фарадея  с  помощью  высоко  температурных  маятниковых  магнитных  весов  [1]  в 

широком интервале высоких температур 20-1700

о

С, охватывающие твердое состояние, процесс 



плавления и жидкое состояние.  

В работе [2] было установлено, что в системе Er-In образуются пять интерметаллических 

соединений. Из ных Er

2

In и ErIn образуются по перитектической реакции при 1230



о

С и 1220


о

С, 


соответственно, а соединения Er

5

In



3

, Er


3

In

5



 и ErIn

3

 плавятся конгруэнтно, соответственно при 



температурах  1270

о

С,  1070



о

С  и  1090

о

С.  В  работе  [3]  было  экспериментально  установлено 



следующие: Для всех соединений наблюдается линейная зависимость χ

-1

(T) как для твердых, 



“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”.  Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.

 

261 


 

так и для жидких состояний; При плавлении (фазовом переходе твердое состояние  - жидкое 

состояние)  соединений  со  стехиометрическими  формулами  Er

5

In



3

,  ErIn,  Er

3

In



и  ErIn

на  их 



зависимости  χ

-1

(T)



 

наблюдается  небольшой  скачок;  Зависимость  χ

-1

(T)  чистого  диспрозия, 



эрбия  и  остальных  соединений  не  претерпевает  резких  изменений  при  переходе  из  твердой 

фазы в жидкую, лишь наблюдается излом этой зависимости;  

На  зависимости  χ

-1

(T)  соединения  эквиатомного  состава  ErIn,



,

  в  интервале  температур 

620-750

о

С,  наблюдается  тепловой  гистерезис  несмотря  на  длительные(30-40минут) 



изотермические  выдержки  при  измерениях  χ.  Это  явление  объясняется  с  полиморфным 

фазовым превращением.  

На  рис.1  иллюстрирована  концентрационные  зависимости  χ  и  высокотемпературная 

область диаграммы состояния изучаемой системы, построенное методом ДТА в работе [2] и 

методом  ТМА  в  данной  работе,  где  сплошная  кривая  показывает  данные  ДТА,  а  значки  x-

данные ТМА. Видно, что данные ДТА и ТМА очень хорошо согласуются между собой. Анализ 

зависимости χ от стехиометрического соотношения индия в соединениях (кр1,2,3) показывает, 

что  с  ростом  концентрации  индия  наблюдается  нелинейное  убывание  этих  зависимостей. 

Следует особенно отметить, что на всех этих зависимостях наблюдаются изломы (сингулярные 

точки), когда состав сплава соответствует составу интерметаллических соединений. Магнитная 

восприимчивость  механических  сплавов,  находящиеся  между  соединениями,  уменьшается 

линейно с ростом концентрации индия. 

 

Рис.1 Высокотемпературная область диаграмма состояния (сплошная кривая-данные ДТА, 



значки х-данные ТМА) и концентрационные зависимости магнитной 

восприимчивости(кр.1,2,3) соединение в системы Er-In. 



Выводы:  1.  Впервые  сделана  попытка  построения  диаграммы  состояния  бинарной 

системы Er-In методом измерение магнитной восприимчивости (или ТМА).  



2.  Установлено,  что  результаты  ТМА  коррелируют  с  результатами  ДТА  для  изучаемой 

системы. На основании этого экспериментального факта можно рекомендовать метода  ТМА 

как  независимый  метод  для  построения  диаграммы  фазового  равновесия  бинарных  систем 

РЗМ-НМ в области концентрации (50-100) ат.%НМ.  

 


“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”.  Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.

 

262 


 

 

Литература: 



1.  Кувандиков  О.К.,  Шакаров  Х.О.  Структурные  и  магнитные  свойствва  соединений 

редкоземельных  металлов  с  нормальными  и  преходными  металлами  при  высоких 

темпертурах. –Т..‹‹Fan va tenologiya››, 2017.-308с. 

2.  Yatsenko S.P., Semyannikov A.A., Shakarov H.O., Fedorova E.G. Phase diagrams of binary 

rare earth metal-indium systems//J.Less-Comon. Metals.-1983.-v.90.-№1.-pp.95- 

3.  Шакаров  Х.О.  Магнитная  восприимчивость  интерметаллидов  в  системе  Er-In  при 

высоких температурах//. Известия вузов. Физика.- 2004.- №12.- с.7-10.  

 

 



ПОЛУЧЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ С ПОМОЩЬЮ 

ЛАЗЕРНОЙ СВАРКИ 

 

Салоҳитдинов.Ф.А., Арзиқулов Э.У.,Ғуломов Ғ., Эшмаматов С.Қ. 

Самаркандский государственный университет 

 

Лазерные импульсы с высокой плотности мощности применяются в различных областях 



физики  и  технологии.  В  данной  работе  приводятся  особенности  получения  омических 

контактов  с  проволочными  выводами  в  пленках  толщиной  d>50  мкм  и  массивных 

кристаллических полупроводниковых образцов с помощью импульсного лазерного излучения. 

Разрабатываемый и исследуемый в настоящей работе метод получения омических контактов с 

помощью  импульсного  лазерного  излучения  взамен  пружинных  прижимных  контактов 

обладает  рядом  преимуществ:  отсутствия  нестабильного  контакта,  омичность,  повышенной 

механической прочностью и герметичностью соединения. Технологический процесс основано 

на  тепловом  действии  импульсного  лазерного  излучения  на  образец,  а  именно  нагрев 

поверхности  кристалла  до  температуры  плавления  а  также  движение  испаряемости  вглубь 

кристалла. Проходящие процессы а также взаимодействия лазерного излучения связанно с его 

мощностью и длительности воздействия. Для передачи энергии излучение импульсного лазера 

к  месту  соединения  контакта  с  кристаллом  служат  оптическая  система,  состоящие  из 

фокусирующих,  отражающих  и  преломляющих  оптических  элементов.  Применение 

оптических элементов позволяет, уменьшит размеры сфокусированного пучка, и реализовать 

достаточно  удобный  способ  сварки  контактных  выводов  изменяя  размеры  пятна  лазерного 

излучения.  

Основными  элементами  твердотельного  лазера  на  кристалле  иттрий  алюминиевого 

граната,  активированного  ионами  Nd

+3

  (YAG:Nd



+3

)  является,  резонатор  помещенной  в  него 

активной  средой,  источник  накачки  с  оптической  системой  накачки,  источник  питания  и 

система  запуска.  В  основе  работы  лазера  лежит  принцип  индуцированного  лазерного 

излучения, получаемого путем оптической накачки газоразрядной лампой активной среды [1]. 

В  лазере  Квант  15  в  качестве  активной  среды  используется  монокристаллы  YAG:  Nd

+3



Оптическая  накачка  монокристаллов  YAG  осуществляется  лампой  ИНП-6/90А  ксеноновым 



наполнением.  Излучение  лампы  фокусируется  кварцевым  цилиндрическим  отражателем  на 

монокристалл YAG :Nd

+3

. Часть излучение лампы накачки, попадающая в полосы поглощения 



трехвалентного  неодима,  поглощается  в  монокристалле  и  переводит  ионы  неодима  в 

возбужденное  состояние.  Электромагнитная  волна,  совпадающая  по  частоте  с 

инвертированным  переходом,  усиливается  при  распространении  активной  среды.  Таким 

образом,  активный  элемент  YAG:Nd

+3

  возбуждаемой  газоразрядной  лампой  накачки, 



представляет  оптический  усилитель.  Режим  генерации  простейшего  лазера  неуправляем, 

благодаря чему он получил название свободной генерации. На рис.1, приведена осциллограмма 

лазерного излучения получаемого установкой Квант 15. 


“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”.  Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.

 

263 


 

 


Yüklə 11,09 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   34   35   36   37   38   39   40   41   ...   63




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin