Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni


ВЫБОР ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ РАДИОИЗОТОПНОГО



Yüklə 11,09 Mb.
Pdf görüntüsü
səhifə46/63
tarix18.05.2020
ölçüsü11,09 Mb.
#31289
1   ...   42   43   44   45   46   47   48   49   ...   63
Конференция - физика-PDFга


ВЫБОР ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ РАДИОИЗОТОПНОГО 

ИСТОЧНИКА ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЭНЕРГИИ 

 

У.М.Эрматов, Т.К.Жабборов, М.Б.Набиев*, Я.Усмонов*. 



Ферганский политехнический институт, e-mail: 

ferpi_info@edu.uz

, Telegram: +99891 328 34 68,  

*Ферганский государственный университет e-mail: 

fardu_info@umail.uz

, Telegram: +99891 650 

08 52 

 

Условия  работы  низкотемпературных  термоэлектрических  материалов  значительно 



благоприятнее, чем средне – и высокотемпературных. Трехкомпонентные сплавы, представляющие 

собой  твердый  раствор 

𝑆𝑏

2

𝑇𝑒



3

  и 


𝐵𝑖

2

𝑇𝑒



3

  впервые  былы  предложены  в  качестве  материала  для 

положительной ветви термоэлемента в работе [1]. Были получены образцы (молярное содержание 

50% 


𝐵𝑖

2

𝑇𝑒



3

 и 50% 


𝑆𝑏

2

𝑇𝑒



3

) с 


𝑍 = 2.5 × 10

−3

 град



-1

. Диаграмма состояний и электрические свойства 

сплава 

𝑆𝑏

2



𝑇𝑒

3

 - 



𝐵𝑖

2

𝑇𝑒



3

 описании в работе [2]. Показано, что наибольшие значения 

𝛼

2

𝜎 могут быть 



получены для сплавов с молярным содержанием 74% 

𝑆𝑏

2



𝑇𝑒

3

 и 26% 



𝐵𝑖

2

𝑇𝑒



3

 при некотором избытке 

теллура по сравнению со стехиометрическим составом. При введении в тройной состав избытка 

𝑆𝑏 


или 

𝐵𝑖  против  стехиометрии  происходит  увеличение  𝜎  и  уменьшение  𝛼,  что  указывает  на 

акцепторное  действие  примесей.  Избыток 

𝑇𝑒  против  стехиометрии  вызывает  увеличение  𝛼  и 

уменьшение 

𝜎, т.е. 𝑇𝑒 действует как донор на рис.1 

 

На рис-1 приведена зависимость электропроводности и термо ЭДС от концентрации 



избыточного теллура. 

Исходя  из  выше  указанных,  было  проведено  для  исследования  влияния  среды  на 

термоэлектрические свойства материала две серии плавок. В первый сплавление компонентов 

производили  в  открытой  кварцевых  тиглях  под  давлением  в  инертной  среде  (аргоном),  с 

откачкой давлении воздуха 10

-2

 мм.рт.ст. Затем кварцевых тиглей нагревали до 750÷850 



℃, его 

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”.  Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.

 

308 


 

выдерживали при этой температуре в течение 30 мин. и охлаждали на воздухе; во второй серии 

приготовление сплавов производили в среде аргона при избыточным давлении 2 атм. С учетом 

термоэлектрические свойства (образцов) изготовленных сплавлением в вакууме. [3] 

После  горячего  прессования  измерены  параметров  α  и  σ.  Тогда  при  Т

гор


=250 

0

С  было 



получено  электропроводность  σ=1250  ом

-1

см



-1

  и  термо  эдс  α=150  мкв/град.  Измерение 

термоэлектрические  свойства  образцов  изготовленных  сплавлением  под  давлением  в  аргоне 

было получены σ=1000 ом

-1

см

-1



, α=178 мкв/град при Т

гор


=400 

0

С.  



Заключение: после длительной времени, отжига термоэлектрические свойства образцов 

изготовленных сплавлением в вакууме и под давлением в аргоне, различаются незначительно. 

Получение  термоэлектрических  материалов  в  открытых  кварцевых  тиглях  под  давлением 

инертного  газа  (аргона)  проще  и  экономично  [4].  Из  полученных  термоэлектрических 

материалов  можно  использовать  как  термоэлементы  в  создании  радиоизотопными 

источниками  электрической  энергии  ваттного  диапазона,  кроме  этого  конструктивных 

изготовления миллимикроваттных источников энергии.  

 

Литературы: 



1.  Evans W.G. Characterictics of themolectric- Semiconductor Products, 1963, v6. №4. pp34. 

2.  Иорданишвили Е.К. Термоэлектрические источники питания. Сов.радио. 1968 г. 

3.  Г.М.Фрадкина, В.М.Кодюков и др., Радиоизотопные источники электричкской энергии, 

Атом-издат, 1978 г. 

4.  М.Б.Набиев,  Я.Усмонов,  К.И.Гайназарова,  Л.К.Мамадалиева  “Разработка  получения 

термоэлектрических  свойств  материалов  на  основе  (

3

2

Te



Bi

  -

3

2



Se

Bi

)  под  давлением  в 

инертной  среде”  Бьеловарский  университет  прикладных  наук,  г.Бьеловар,  Хорватия 

«Технологический  университет»  Москва  12  декабря  2018  г.  Наукоград  Королёв  VI 

Международной научно-практической интернет-конференции «Инновационные технологии 

в современном образовании». 

 

ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ 



ТЕРМОЭЛЕМЕНТОВ ДЛЯ НЕСТАЦИОНАРНОГО ТЕРМО-ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО 

ОХЛАЖДЕНИЯ 

 

М.Б.Набиев., Р.Я.Расулов., А.Зокиров., О.Сидиков., Ш.Абдуллаев.,

*

У.М.Эрматов 



Ферганский гос. университет., г.Фергана, e-mail:fardu_info@umail.uz, телеграмм номер: 91 

6500852 


*Ферганский политехнические институт. телеграмм номер: 91 328-3468 

 

Эксперименты были проведены на полупроводниковых термоэлементах, которые имели 

следующие размеры. Длина ветвей 

=102 мм, поперечное сечение S=0,370



2

см

, форма обоих 

ветвей полуцилиндрическая. Обе ветви коммутированы медной пластинкой, толщиной 1,5 мм, 

площадью сечения 0,370 

2

см

 (рис.1). 

 


“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”.  Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.

 

309 


 

В качестве исходных термоэлектрических материалов использовались твердые 

растворы: 75%/мол 

мол

Te

Sb

/

%



25

3

2





вес

Te

Bi

/

%



4

3

2



 Se для ветвей p-типа и 90%/мол 



вес

Te

Bi

/

%



10

3

2



 

вес



Se

Bi

/

%



06

,

0



3

2



 для ветвей n-типа[1,2]. 

Исследованы характерные температурные зависимости 





,

,

 и Z этих материалов.  



Предельные относительные погрешности при определении термоЭДС не превышали 3% 

удельного сопротивления -3%. теплопроводности -7%, добротности Z по измерений 



макс

спец



  -



2%. 

Значения  указанных  параметров  для  использованных  нами  веществ  при  комнатной 

температуре приведены в таблице 1. 

Таблица 1. Исходные данные исследованных термоэлементов 

Слитки вещества представляли собой цилиндрические столбики длиной 

110 мм и диаметром 9,6 мм. 

На  электроискровом  станке  столбик  вещества  разрезался  на  две  части  вдоль,  таким 

образом  образовывались  ветви  требуемой  геометрии  и  размеров.  Затем  торцы  ветвей 

подвергались  электрополировке  в  травителях  состава:  для  n-типа  NaOH  -83  г: 

6

6



6

O

H

С

-67  г: 


O

H

2

-1 литр. 



для p-типа KOH -90 г: 

6

6



6

O

H

С

 -55 г: 


O

H

2

 -1 литр. 



После травления ветви промывались спиртом и заслуживались сначала припоем состава 



К

 

573



,

04

,



0

96

,



0



пл

Sn

Bi

,  а  затем  наносился  коммутационный  припой 



К



 

413


,

42

,



0

58

,



0



пл

Sn

Bi

При этом были опробованы два варианта коммутации: 



а) флюс, состоящий на 20% нашатыря (



C



NH

4

), смешанного с глицерином, использовался 



с залуживающим и коммутационным припоями: 

б) залуживающий припой использовался с  флюсом, состоящим из раствора хлористого 

аммония (250г), цинка (590г) и никеля (200г) в дистиллированной воде (1л), а коммутационный 

припой с нашатырно-глицериновым флюсом. 

Н

омер 


терм

оэ

лемент



а 

К

онфигур



аци

я 

Дл



ин

а 

терм



оэ

лемент


а 

L

,см



 

П

лоща



дь

 се


чени

я,

 



S

см



2

 

О



пт

им

аль



 

ный т


ок

A



 J

опт


 

П

лотн



ость 

тока(


рас

чет


) А

/см


2

 

О



пт

им

 плот



ность 

тока 


J

опт


 , А

/см


2

 

Ти



п м

атериала


 

 





град

мкв

 

 



1



1





см



Ом

 

град



см

Вт



,

10

3



 

2



6

2

,



10

град

см

Вт



 



,

10

1



3



град

Z

 

расчет



ные 

,

10



1

3





град

Z

 

Экспе 



римент 

П

ТЭД



-1

 

П



-обра

з 

ная



 

0,3



48 

16,6 



17,2 



-202 

194 


1084 

1188 


14,7 

14,9 


44,2 

45,0 


3,0 

2,67 


П

ТЭД


-2

 

10,6 



0,7

23 


3,8 

4,8 


5,2 



-220 

210 


900 

1000 


15,0 

15,5 


43,5 

44,5 


2,92 

2,57 


П

ТЭД


-3

 

10,2 



0,3

45 


4,9 


5,7 



-220 

210 


900 

1000 


15,0 

15,5 


43,5 

44,5 


2,92 

2,65 


П

ТЭД


-4

 

2,75 



0,6

66 


10 

15,5 


14,9 



-221 

218 


896 

913 


14,5 

14,7 


43,7 

43,5 


3,07 

2,61 


П

ТЭД


-5

 

2,75 



0,6

73 


3,5 

4,6 


5,2 



-194 

210 


978 

1045 


14,1 

14,0 


38,8 

46,0 


2,94 

2,66 


“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”.  Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.

 

310 


 

Плоскость торцов ветвей полупроводникового термоэлемента залуживалась паяльником 

с никелевым наконечником. 

Был  изготовлен  и  исследован  ряд  длинных  полупроводниковых  термоэлементов, 

конструктивные и технологические данные которых приведены в таблицах 1 и 2. 

Таблица 2. Величины пиковых охлаждений холодного спая термо-элементов в режиме 

Номер 

термоэлеме



нта 

S

j

J



 

L,см 


S, 

2

см

 

,

j



 

2

см



А

 

град

макс

стац

,





 

К

0

0



,



 



макс

стац





с помощью 

экрана град 

,

0





 

град 


макс

стац







0

 

ПТЭД-1 



5,98 

0,348 



17,2 

61 


296,2 

69 


54,5 

0,78 


ПТЭД-2 

3,79 


10,6 

0,723 


5,23 

54 


296,2 

69 


51 

0,74 


ПТЭД-3 

1,99 


10,2 

0,348 


5,74 

44 


298,2 

69 


43,5 

0,63 


ПТЭД-4 

9,99 


2,75 

0,668 


14,97 

66 


299,2 

69 


53 

0,76 


ПТЭД-5 

3,49 


2,75 

0,673 


5,20 

67 


298,2 

69 


56 

0,81 


Примечание: 

м



- значение 



м



 при 



опт

j

j

2



. Исходная температура 

0



Заключение:  следует  отметить,  что  измерение  контактного  сопротивления  зондовым 

методом  показало,  что  длинные  полупроводниковые  термоэлементы,  изготовленные  по 

варианту (б), имеют несколько ниже контактное сопротивление по сравнению с вариантом 

коммутации (а). 

Литература 

1.  Иорданишвили Е.К., Бабин В.П. Нестационарные процессы в термоэлектрических 

и термомагнитных системах преобразования энергии. М.: Наука, 1983, с. 33-104, 105-106. 

2.  М.Б.Набиев, 

Я.Усмонов, 

К.Гайназарова, 

К.Тожиматов, 

Ж.Холмирзаев 

«Нестационарное  термоэлектрические  охлаждение  (НТЭО)  с  учетом  выделения  тепла 

джоуля  в  коммутационном  слое»  Китоб.  Илмий  тўплам.  Анталия  2016.  С.302-307  «Gazi 

Turkiyat» nashriyyati, Baki sayisi 600 adet. Gik. 02.02.2016Siparis №1792, Vustafa Kamal Sokak-

125. 

 

УПРАВЛЕНИЕ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫМИ ПАРАМЕТРАМИ КРЕМНИЯ НА ОСНОЕ 



ФОРМИРОВАНИЯ В ЕГО ОБЪЕМЕ БИНАРНЫХ КЛАСТЕРОВ ЭЛЕМЕНТОВ III И V 

ГРУПП  

 

М.К. Бахадирханов, Х.М. Илиев, С.Б. Исамов, С.В. Ковешников, Х.Ф. Зикриллаев, Н. 



Норкулов, Б.О. Исаков  

Ташкентский государственный технический университет,  

Кремний  является  одним  из  основных  материалов  современной  электроники  и 

фотоэнергетики. Однако дальнейшее развитие микроэлектроники, оптоэлектроники, фотоники, 

а  также  фотоэнергетики  показывает,  что  ограниченные  функциональные  возможности  этого 

полупроводникового  материала  приводят  к  существенному  ограничению  его  применения  в 

современных  новых  направлениях  электроники,  в  том  числе  фотоэнергетике  и 

оптоэлектронике.  Это  в  основном  связано  с  фундаментальными  параметрами  кремния,  т.е. 

маленьким  значением  подвижности  электронов,  которая  ограничивает  использование  этого 

материала  при  разработке  и  создании  быстродействующих  микроэлектронных  приборов  и, 

наконец, непрямозонная зонная структура кремния, которая не позволяет создать на его основе 

светоизлучающие приборы.  

Существующие  современные  технологические  методы  выращивания  и  легирования 

кремния  не  позволяют  решить  эти  проблемы.  Успешное  решение  дало  бы  существенный 

толчок  развитию  всех  отраслей  современной  электроники  и  фотоэнергетики,  и  являлось  бы 

новым  научным  направлением  в  области  полупроводникового  материаловедения,  а  также 

открыло  бы  уникальные  возможности  по  созданию  принципиально  новых  электронных 

приборов и высокоэффективных фотоэлементов.  



“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”.  Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.

 

311 


 

В  работе  предлагаются  физические  основы  нового  технологического  подхода  к 

управлению  фундаментальными  параметрами  кремния.  Суть  этого  подхода  заключается  в 

формировании  бинарных  элементарных  ячеек  полупроводниковых  соединений  в  решетке 

кремния. 

Элементы  третьей  и  пятой  группы  в  кремнии  в  основном  находятся  в  узлах  решетки, 

образуя твердые растворы замещения. Максимальная растворимость этих примесей в кремнии 

составляет 10

20

 – 10


21

см

-3



.  

В условиях последовательного легирования кремния элементами третьей и пятой группы 

с  последующей  дополнительной  термообработкой  при  определенных  термодинамических 

условиях  можно  сформировать  в  решетке  кремния  бинарные  кластеры  с  участием  этих 

примесных атомов.  

При этом атомы третьей и пятой групп будут находиться рядом и занимать два соседних 

узельных положения в решетке (образуя электронейтральные молекулы А

III-


В

V+

). В результате 



этого  формируются  новые  ячейки  типа  (Si

2

A



III-

B

V+



  ),  которые  могут  образовывать  более 

сложные ассоциаты, в том числе нанокристаллы А

III

В

V



.  

Размер, 


структура, 

а 

также 



концентрация 

появляющихся 

нанокристаллов 

полупроводниковых  соединений  А

III

В

V



  в  основном  определяются  термодинамическими 

условиями легирования и отжига.  

Установлено,  что  для  формирования  элементарных  ячеек  и  их  ассоциаций  необходимо 

после 


диффузионного 

легирования 

провести 

дополнительный  термоотжиг  при  более  низких 

температурах.  

На  рисунке  –  I  область  кремния,  обогащенная 

нанокристаллами  A

III


B

V

  (0,7  –  1  мкм).  II  область  с 



ассоциатами  ячеек  A

III


B

V

  (0,7  –  3  мкм).  III  область 



содержащая отдельные молекулы A

III


B

V

 (1 – 5 мкм). 



Новые ячейки А

III


В

V

 в отличии от кристаллической 



решетки  кремния  имеют  ионно-ковалентную  связь, 

поэтому 


необходимая 

энергия 


освобождения 

электронов  из  данных  ячеек  будет  существенно 

отличаться от ширины запрещенной зоны кремния. Она 

в  зависимости  от  структуры  и  состава  ячеек  может  быть  больше  или  меньше,  чем  ширина 

запрещенной зоны кремния.  

У нанокристаллов ширина запрещенной зоны будет близка к E



g

 соединения А

III

В

V



. При 

достаточно  высоком  уровне  легирования  каждая  из  ячеек,  их  ассоциаций  и  нанокристаллов 

будут вносить существенный вклад в поглощение в видимой, УФ и ИК областях спектра, т.е. 

получается новый полупроводниковый материал на основе кремния.  

Нанокристаллы  А

III


В

V

  в  кристаллической  решетке  кремния,  должны  обладать  зонной 



структурой  соответствующего  полупроводникового  соединения  А

III


В

V

,  т.е.  образуется 



локальной область с прямозонной структурой. Это означает, что в кристаллической решетке 

кремния появляется локальная область с высокой излучательной способностью.  

Таким  образом,  выбирая  оптимальные  пары  атомов  элементов  III  и  V  групп,  а  также 

определяя оптимальные условия легирования и формирования бинарных элементарных ячеек 

с  участием  элементов  III  и  V  групп,  можно  управлять  основными  фундаментальными 

параметрами кремния, т.е. на основе кремния можно создать новый материал с необходимыми 

фундаментальными параметрами, который может обладать уникальными электрофизическими, 

фотоэлектрическими,  оптическими  и  магнитными  свойствами  и  другими  функциональными 

возможностями,  которыми  не  обладает  не  только  кремний,  но  и  сами  полупроводниковые 

соединения А

III

 В

V



.  

 

 



“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”.  Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.

 

312 


 

ЗАВИСИМОСТИ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ В ТВЕРДОМ 

РАСТВОРЕ р(GaAs)

1-x

(ZnSe)

x

 ОТ УСЛОВИЙ РОСТА 

 

Гаимназаров К.Г. 

Гулистанский Государственный Университет 

 

В настоящем сообщении приводятся результаты исследований времени жизни неосновных 



носителей в эпитаксиальном слое твердого раствора р(GaAs)

1-x


(ZnSe)

x

 выращенного на подложках 



GaAs  (100)  электронного  типа  проводимости  (АГЧО  n=3  ּ10

17

  см



-3

)  методом  принудительного 

охлаждения из жидкой фазы [1]. 

Жидкой фазой служил раствор-расплав состава Sn-GaAs-ZnSe, ограниченные между двумя 

горизонтально расположенными подложками, толщина которого варьировался в интервале 0,45- 

1,6  мм  специальными  графитовыми  подпорками.  Эпитаксиальный  слой  твердого  раствора 

р(GaAs)

1-x


(ZnSe)

x

  ,  оказались  почти  однородным  составом  (х=0,02;  y=0,03)  дырочного  типа 



проводимости (р=5  ּ10

17 


- 5  ּ10

18

 см־ 



, μ=15-30 см

2

В

-1



сек

-1

 при Т=300 К



 

). Содержание селенида 

цинка  в  области  гетерограницы  структуры  nGaAs-p(GaAs)

1-x


(ZnSe)

x

  составляет  40-50  моль%  и 



незначительно  уменьшается  вдоль  направлении  роста.  Концентрация  дырок  в  таких 

эпитаксиальных слоях составляла 10

18

 см־ 


 3

а подвижность 45 см

2

В

-1



сек

-1

 при Т=300 К. 



Таблица  

 

 



 

 

 



№ 

 

 



 

 

 



Э

пи

та



кс

иа

ль



ны

й 

сл



ой

 

тв



ер

до

го



 р

ас

тв



ор

а 

Ра



сп

ол

ож



ен

ие

 п



од

ло

ж



ки

 п

о 



от

но

ш



ен

ию

 р



ас

тв

ор



а-

ра

сп



ла

ва

 



За

зо

р 



м

еж

ду



 п

од

ло



ж

ка

м



и 

м



Т

ем



пе

ра

ту



рн

ы

й 



ин

те

рв



ал

 

ро



ст

а,

 



0

К

 



В

ел

ич



ин

а 

на



ча

ла

 



пе

ре

ох



ла

ж

де



ни

я.

 



Т



0

К

 



 

 

 



 

 

Особенности 



дифрактограммы 

О

со



бе

нн

ос



ти

 р

ел



а 

кс

ац



ио

нн

ы



х 

ха

ра



кт

ер

ис



ти

к 

Э



ф

ф

ек



ти

вн

ое



 з

на

че



ни

е 

вр



ем

ен

и 



ж

из

ни



, с

ек



р(

G



aA

s)

1



-

x

(Z



n

S

e)



x

  

 



Верх. 

 

0,5 



 

720-620 


 

Соответствует хорошей 



моно кристалличности 

 

2



*** 

 

3*10



-3 

---//--- 



Ниж. 

0,5 


720-620 

1



***

 

2



*** 

7*10


-3

 



---//--- 

Верх. 


0,7 

700-630 


Соответствует хорошей 

моно кристалличности 

 

2



*** 

 

1*10



-3

 



---//--- 

Ниж. 


0,7 

700-630 


1

***



 

2

*** 



1*10

-3

 



---//--- 

Верх. 

0,5 


660-580 

Соответствует хорошей 



моно кристалличности 

2

*** 



5*10

-3

 



---//--- 

Ниж. 

0,5 


660-580 

1



***

 

2



*** 

9*10


-3

 

Исследование  спада и  нарастания  величины  фотоЭДС на гетеропереходе  nGaAs-p(GaAs)



1-

x

(ZnSe)



x

  при  подаче  световых  импульсов  со  стороны  “окна’’  показало  что,  время  жизни 

неосновных носителей в этих структур зависит от кристаллического совершенства полученного 

слоя (Таблица). Обозначения в таблице имеют следующие содержания.  

1*** Наличия дополнительных пиков соответствующие напряженным состояниям и второй 

фазы вариюцитной модификации. 

2***  Три  характерных  участка  в  релаксационной  зависимости  и  наличие  участка  с 

отрицательной проводимости. 

Кристаллическое  совершенство  слоя  указанного  твердого  раствора  зависят  от  реальной 

скорости его образования, которые в свою очередь определяется условиями роста. Полученные 

результаты показывают, что совершенство эпитаксиального слоя, следовательно, на эффективное 

значение  времени  жизни  неосновных  носителей  в  значительной  мере  влияет  как  зазор  между 



“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”.  Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.

 

313 


 

подложками, так и величина начального переохлаждения на границе раздела фаз, непосредственно 

перед погружением подложек в раствор-расплав. 

 

Литература. 



1. 

Саидов А.С., Кошчанов Э.А., Раззаков А.Ш., Насыров У., Гаимназаров К.Г. Гелиотехника, 

1998, №6, стр. 23-26. 

2. 


Саидов А.С., Раззаков А.Ш., Гаимназаров К.Г. ДАН РУз, 8-9, стр.23-25. 

3. 


Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. Москва,Мир,1975.      

 

 



Yüklə 11,09 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   42   43   44   45   46   47   48   49   ...   63




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin