Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni


KOGERENT POTENTSIAL METODI ASOSIDA AMORF



Yüklə 11,09 Mb.
Pdf görüntüsü
səhifə49/63
tarix18.05.2020
ölçüsü11,09 Mb.
#31289
1   ...   45   46   47   48   49   50   51   52   ...   63
Конференция - физика-PDFга


KOGERENT POTENTSIAL METODI ASOSIDA AMORF  

Cu

x

Ti

1-x

 QOTISHMALARDA TERMO-E.Yu.K HISOBLASH 

 

D.X.Imamnazarov (SanDU), F.B.Ruziboyeva (SanDU 1- kurs magistr) 



 

O’tkinchi  metallar  asosidagi  amorf  qotishmalarning  kinetik  xossalarni  harakterlovchi 

kattaliklarning  (solishtirma  elektr  qarshilik,  termo-E.Yu.K  va  Xoll  effekti)  tajribada  olingan 

qiymatlarini [1] fizik nuqtai-nazardan talqin etishda hozirgi vaqtda zaryad tashuvchilarning sochilish 

kuchsiz  bo’lgan  holdagi  qonunyatga  asoslanuvchi  umumlashgan  Faber–Zayman  modeli  keng 

qo’llaniladi. Bu model asosida olib borilgan hisoblashlar shuni ko’rsatadiki, odddiy va nodir metallar 

asosidagi  qotishmalarda  solishtirma  elektr  qarshilikning  konsentratsiyasiga  va  temperaturaga 

bog’liqligini tushuntirib berishga imkon beradi, ammo to’lmagan d-holatdagi elektronlarga (o’tkinchi 

 

3-rasm. Cu



x

Ti

1-x



 amorf qotishma-larda normal Holl 

koeffisiyentining konsentrsiyaga bog’ligi grafigi. 



“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”.  Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.

 

325 


 

metallar)  bu  modelni  tadbiq  qilish  jiddiy  qiyinchiliklarga  olib  keladi,  chunki  d-metallarda 

elektronlarning spchilishi kuchli hamda d-elektronlarning zaryad ko’chishlarini e’tiborga olish kerak. 

Shuning  uchun  ushbu  ishda  yuqoridagi  kamchiliklarni  bartaraf  etish  maqsadida  o’tkinchi  metallar 

asosidagi  amorf  qotishmalarda  kinetik  xossalarni  o’rganishda  kogerent  potensial  metodini  (KPM) 

qo’llaymiz  [2].  Bu  nazariya  asosida  ikki  zonali  umumlashtirilgan 

𝑠𝑑 − model  tarkibiga  zonalararo 

tezlikning  matritsa  elementlari 

𝜐

𝑆𝑑

  ni  hamda 



𝑠 −zonadagi  sochilish  potensialini  kiritib,  quyidagi 

umumiy ifodalarga ega bo’lamiz [3]:  

 𝑆 = −

𝜋

2



𝑘

𝑏

2



𝑇

3|𝑒|𝜀


𝐹

𝜉;    𝜉 =

𝑑 ln 𝜎(𝐸)

𝑑 ln 𝐸


|

𝐸=𝜀


𝐹

                        (1) 

 𝜎 = 𝜎

𝑠𝑠

+ 𝜎



𝑑𝑑

+ 2𝜎


𝑠𝑑

+ 2𝜎


𝑐𝑑           

                         (2) 

 𝜎

𝑠𝑠

= 2



2e

2

3πΩ



∫ dη (−

∂f

∂η



) ∑ ϑ

ss

2



[Im𝐺

𝑠𝑠

(k, η



+

)]

2   



 

k

                (3) 



 𝜎

𝑑𝑑

= 10



2e

2

3πΩ



∫ dη (−

∂f

∂η



) ∑ ϑ

dd

2



[Im𝐺

𝑑𝑑

(k, η



+

)]

2



    

k

           (4) 



 𝜎

𝑠𝑑

= √20



2e

2

3πΩ



∫ dη (−

∂f

∂η



) ∑ 𝜗

𝑠𝑠

𝜗



𝑑𝑑

[Im𝐺


𝑠𝑑

(k, η


+

)]

2



k

           (5) 

 𝜎

𝑐𝑑

= √20



2e

2

ћ



3πΩ

∫ dη (−


∂f

∂η

) ∑{2



k

ϑ

ss



ϑ

sd

Im𝐺



ss

(k, η


+

)Im𝐺


sd

(k, η


+

) + 


 + 2ϑ

dd

ϑ



sd

ImG


dd

(k, η


+

)Im𝐺


sd

(k, η


+

) + ϑ


sd

2

Im𝐺



ss

(k, η


+

)Im𝐺


dd

(k, η


+

)} (6) 


      𝐺

𝑠𝑠

(𝑘, 𝑍) = {𝑙



𝑠𝑠

− 𝜀


𝑠

(𝑘) − 𝛾


2

[𝑙

𝑑𝑑



− Σ

2

𝜀



𝑠

(𝑘)]


−1

}

−1



      (7) 

      𝐺


𝑑𝑑

(𝑘, 𝑍) = {𝑙

𝑑𝑑

− Σ


2

𝜀

𝑑



(𝑘) − 𝛾

2

[𝑙



𝑠𝑠

− 𝜀


𝑠

(𝑘)]


−1

}

−1



      (8) 

      𝐺


𝑠𝑑

= 𝐺


𝑑𝑠

(𝑘, 𝑍) = 𝛾{[𝑙

𝑠𝑠

− 𝜀


𝑠

(𝑘)][𝑙


𝑑𝑑

− Σ


2

𝜀

𝑑



(𝑘)] − 𝛾

2

}



−1

   (9) 


Cu

x

Ti



1-x

 qotishmalarning elektron strukturasini hisoblash uchun qotishma tarkibiga kiruvchi mis (Cu) 

va titan (Ti) elementlari s- va d-zonalarining yarim kengliklari W

α

 va ularning og’irlik markazri 



𝜀

𝛼

 



hamda gibridizatsiya 

𝛾 parametrlari birlamchi kattaliklar sifatida quyida keltirilgan [2]: 

 

𝑊

𝑑



 

𝑊

𝑠



 

𝑑



 

𝑑



 

𝛾 

Cu 



3.1 

17.6 


-10.1 

-8.2 


1.2 

Ti 


4.3 

10.0 


-2.6 

-4.6 


1.0 

1-rasmdan  ko’rinadiki,  kogerent  potensial  metodining  lokator  yaqinlashishda  hisoblangan 

elektron  strukturasi  LMTO  yordamida  hisoblangan  elektron  struktura  bilan  mos  tushadi.  Amorf 

qotishmalarning Cu-Ti Fermi sathidagi elektronlar holat zichligi d-holatlar orqali aniqlanib, qotishma 

tarkibidagi 

𝑇𝑖 elementlari konsentratsiyasi oshib borishi bilan Fermi sathi energiyasi ham oshib boradi. 

Haqiqatan  ham

, 𝑇𝑖 elementi uchun elektronlar holat zichligi funksiyasida Fermi sathi energiyasi  𝑇𝑖 

elementining d–holatiga (cho’qqisiga) yaqin joylashgan bo’ladi, mis Cu elementida d-holatlar to’lgan 

bo’lib, Fermi sathi energiyasi d-zonadan tashqarida joylashgan bo’ladi. 2-rasmdan ko’rinadiki, Fermi 

energiyasining istalgan ixtiyoriy qiymatlarida tezlikning zonalararo o’tishi matritsa elementlari bilan 

bog’liq  bo’lgan 

(𝜎

𝑐𝑑

)  hadi  gibridizatsion  had  (𝜎



𝑠𝑑

)  bilan  bir  xil  tartibda  bo’lib,  u  bilan  energetik 

bog’lqligi ham juda yaqin bo’lib, Fermi energiyasining haqiqiy joylashgan nuqtasida (2-rasmda strelka 

bilan  ko’rsatilgan)  solishtirma  elektr  o’tkazuvchanlikning 

𝜎  asosiy  hadini  s-holatlar  (𝜎

𝑠𝑠

)  tashkil 



qiladi, ammo d-holatlar 

(𝜎

𝑑𝑑



) va gibridizatsion tashkil etuvchilar (𝜎

𝑑𝑑

), (𝜎



𝑐𝑑

) ham unchalik kichik 

bo’lmagan qiymatlarga ega ekanligini ko’rish mumkin.  


“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”.  Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.

 

326 


 

 

 



 

 

Amorf qotishmalar Cu



x

Ti

1-x



 uchun qoldiq solishtirma elektr qarshilik (

𝜌 =


1

𝜎

) va (1) ifoda orqali 



hisoblangan  termo-E.Yu.K  qiymatlari  quyida  keltirilgan.  Shuningdek,  bu  jadvalda 

𝐶𝑢

43



𝑇𝑖

57

 



qotishmasi uchun Zayman modeli va Mott modeli bo’yicha hisoblash natijalari va tajribada o’lchangan 

qiymatlari  keltirilgan.  Bu  tajribadan  ko’rinadiki,  KPM  bo’yicha  hisoblangan  qiymatlar  Zayman  va 

Mott modellari bo’yicha hisoblashlar natijasiga qaraganda tajriba natijalariga yaqinroq bo’lib, bazi-bir 

konsentratsion  qiymatlarda  tajriba  natijalardan  unchalik  kichik  farq  qilmaydi  va  KPM  natijalari 

eksperiment natijalari bilan mos tushishini ko’rish mumkin. 

30 



34 

40 


45 

50 


53 

57 


60 

70 


𝜌

𝑛𝑎𝑧.


𝐾𝑃𝑀

 (mk Omsm ) 

186 

196 


214 

215 


220 

215 


214 

215 


200 

𝜌

𝑡𝑎𝑗.



(mkOm∙sm) [1] 

183 



193 

195 


204 

188 



176 

𝜌



𝑛𝑎𝑧.

𝑍𝑎𝑦𝑚𝑎𝑛


(mkOm∙sm) [4] 





398 


𝜌



𝑛𝑎𝑧.

𝑀𝑜𝑡𝑡


 (mkOm∙sm) [4] 





314 


𝑆



𝑛𝑎𝑧𝑎𝑟𝑖𝑦

𝐾𝑃𝑀


 (mkV/

0

K) 



1.7 

1.82 


1.90 

2.00 


2.14 

2.12 


2.05 

2.12 


1.7 

𝑆

𝑡𝑎𝑗𝑟𝑖𝑏𝑎



(mkV/

0

K ) [1] 



1.9 


1.6 

1.34 



1.80 

1.44 


𝑆



𝑛𝑎𝑧𝑎𝑟𝑖𝑦

𝑍𝑎𝑦𝑚𝑎𝑛


 (mk V/

0

K) [4] 







5.43 



𝑆

𝑛𝑎𝑧𝑎𝑟𝑖𝑦


𝑀𝑜𝑡𝑡

 (mk V/


0

K) [4] 






2.52 



 

Ushbu  mavzuni  taklif  qilgan  hamda  natijalarni  tahlil  qilishda  qimmatli  maslahatlarini  bergan 

A.B.Granovsky va O.Q.Quvondiqovga o’z minnatdorchiligimni bildiraman. 

 

 



1-rasm.  Amorf  qotishmalarning 

Cu

x



Ti

1−x


 

holatlar 

zichligining 

energiyaga  bog’liqligi  (energetik 

spektri);  vertikal  chiziqlar  Fermi 

sathini ko’rsatadi. Shuningdek, yuqori 

burchakda 

kuchli 


bo’lmagan 

yaqinlanish  metodi  (LMTO  metod) 

asosida  hisoblangan  Cu

50

Ti



50

  qo-


tishmaning holatlar zichligi keltirilgan 

[4]. 


2-rasm

Cu

50



Ti

50

 amorf qotishmalari uchun 



solishtirma elektr o’tkazuvchanlik tashkil 

etuvchilarining energiyaga bog’lanishi: 

(bunda 

σ

0



=

4v

m



2

e

2



2

Ω



 ).  

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”.  Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.

 

327 


 

Foydalanilgan adabiyotlar: 

1. M.A.Howson, B.L.Gallagher. The electron transport properties of metallik glasses. Phys.Rep. 

– 1988. v.170, №5. - P.265 

2. Эренрейх Г., Шварц Л. Электронная структура сплавов - М.:Мир,1979.  

3.  Ведяев  А.В,  Грановский  А.Б,  Халилов  И.Х.,  Имамназаров  Д.Х,  Нина-лалов  С.А., 

Гехтман М.М. Электросопротивление и эффект Холла аморфных сплалов Сu

x

Zr



1-x 

в s-d модели 

(приближение когерентного локатора ). – Вестник МГУ, Сер.3. физ.-астрон., 1991, Т.32. №5 – 

С.61  


4.  Gallagher  B.L.  Greig  D.The  thermoelectri  powers  and  resistivities  of  amorphous  transition 

metal alloys. J.Phys.F, 1982.T.12, P.1721 

 

ВЛИЯНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ ЛЕГИРУЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ V ГРУППЫ НА 

СВОЙСТВА ПЛЕНОК ТЕЛЛУРИДА СВИНЦА 

  

К.Э.Онаркулов, ФарДУ, профессор 

М.Б.Рузалиев, Д.М.Ташланова, ФарДУ, магистр 

 

Пленки  соединений  A



4

B

6



,  в  частности  PbTe,  обладая  высокой  термоэлектрической 

добротностью, служить активными элементами преобразователей тепловой энергии. 

Очевидная эффективность применения пленок в термоэлектричестве стимулирует поиск 

способов  увеличения  параметра  Z  в  условиях  ограниченности  значений  параметра 

2



Известно,  что  задача  сводится  к  увеличению  в  пленках  отношения 

/



  (

-подвижность 



носителей  заряда)  [1].  Практически  это  можно  реализовать  легированием  материала  пленок 

такими примесями, которые сильно рассеивая фононы, снижали теплопроводность решетки и 

слабо влияли на подвижность носителей заряда.  

Интерес к исследованию свойств вакуумных конденсатов PbTe вызван их использованием 

в  качестве  n-ветвей  пленочных  термопреобразователей  [2-4].  Приборная  реализация  пленок 

определяется их термоэлектрической эффективностью Z=

2



/

 (



- электропроводность; 

 и 


 

- коэффициенты термоЭДС и теплопроводности). Наивысшие значения параметра 



2



 присущи 

пленкам PbTe на полиимиде, сконденсированным при температурах подложки Т

с

 



620

640К 



[2,  3].  Для  состава  PbTe  

2

>  величина 



2



  достигает  40

55  мкВт/К



2

см  (холловская 



концентрация  электронов  n

H

 



(1



2)

10



19

см

-3



),  что  по-видимому,  является  технологическим 

пределом для пленок PbTe.  

Перспективность легирования кристаллов PbTe висмутом [5] стимулирует исследования 

термоэлектрических и теплофизических свойств пленок, легированных элементами V группы, 

в  частности,  висмутом  и  сурьмой.  Нами  изучена  термоэлектрическая  эффективность  слоев 

PbTe    и  PbTe  ,  полученных  термовакуумным  испарением  механических  смесей 

PbTe+Bi, PbTe+BiTe, PbTe+Bi

2

Te



3

, PbTe+Sb, PbTe+SbTe и PbTe+Sb

2

Te

3



. Исходная шихта PbTe 

содержала от 0,1 до 6 вес. % добавки с элементом V группы: Максимальное содержание Bi в 

шихте  составляло  2,5

10



21

  см


-3

,  а  Sb  -  4

10

21



  см

-3

.  Пленки  конденсировались  на  слюду  и 



полиимид  по  технологии,  подробно  описанной  в  [2-4].  Измерения  термоэлектрических 

параметров и теплопроводности пленок проводилось по методике [2] и имели точность ~ 7-8%. 

Результаты измерения кинетических параметров пленок PbTe, легированных элементами 

V  группы,  отображены  в  табл.  Для  сравнения  там  же,  приведены  данные  для  пленок  PbTe 

2

>из [3,4]. 



Как  видно  из  таблицы  в  пленках  PbTe,  легированных  Bi,  параметр  Z  имеет  слабую 

концентрационную  зависимость  как  в  PbTe  ,  так  и  в  PbTe,  однако  его  величина 

примерно  вдвое  ниже  соответствующего  значения  Z  в  пленках  PbTe,  легированных  иодом. 

Наивысшее  значения  термоэлектрической  эффективности  в  пленках  PbTe  легированных 

висмутом,  наблюдаются  при  значительно  более  высоких  концентрациях  электронов,  чем  в 

пленках PbTe 

2

>. В пленках PbTe  Z приближается к значениям термоэлектрической 



“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”.  Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.

 

328 


 

эффективности в PbTe 

2

> причем при сравнимых Z концентрация электронов в обоих типах 



пленок имеет близкие значения. 

Таблица. Параметры пленок PbTe, сконденсированных на полимиде (Т=300К) 

Состав 


примеси в 

шихте 


N

Sb,

, N

Bi



10



-19





-3

 

n

H



10



-19





-3

 



-1

см



-1 



10



6

В/К 



2





10

6



Вт/смК

2

 





10

2



,

 

Вт/см К 



Z



10



3



K

-1 

Bi 


2.0 

6,0 


7,0 

15 


20 

1,1 


3,8 

4,5 


8,0 

10,0 


650 

1100 


1900 

2500 


3200 

170 


95 

90 


70 

60 


18,9 

10,0 


15,4 

12,3 


11,5 

17 


15 

14 


12 

11 


1,11 

0,71 


1,11 

1,01 


1,01 

BiTe 


1,7 

4,0 


6,0 

8,0 


10,0 

20,0 


1,7 

4,0 


6,0 

8,0 


10,0 

20,0 


1000 

2250 


2900 

3200 


3700 

1900 


160 

100 


80 

70 


60 

40 


25,6 

22,5 


18,6 

16,0 


13,3 

3,0 


18 

17 


16 

15 


14 

15 


1,4 

1,3 


1,2 

1,1 


0,95 

0,1 


SbTe 

2,0 


4,0 

8,0 


40,0 

0,15 


0,4 

1,0 


5,0 

300 


530 

2000 


1500 

270 


240 

150 


100 

21,3 


28,5 

45,0 


15,0 

18 


17 

16 


15 

1,2 


1,7 

2,8 


1,0 

PbI


2

 





0,7 

0,9 


1,2 

1,3 


250 

580 


1000 

990 


220 

195 


220 

215 


12,0 

22,0 


49,0 

45,6 


19 

19 


19 

19 


0,63 

1,16 


2,55 

2,4 


 

Литературы 

1. Хейванг В., Биркхольц У., Айнцингер Р., Ханке Л., Кемитер К., Шнеллер А. Аморфные 

и поликристаллические полупроводники. Москва: Мир, 1987 г. с. 57-59. 

2.  Гольцман  Б.М.,  Дашевский  З.М.,  Кайданов  В.Н.,  Коломоец  Н.В.  Пленочные 

термоэлементы: физика и применение. Москва: Наука, 1985 г. с. 236. 

3.  Азимов  С.А.,  Атакулов  Ш.Б.  Кинетические  явления  в  поликристаллических  пленках 

халькогенидов свинца и висмута. Ташкент: Фан, 1985 г. с. 102. 

4.  Набиев  М.Б.,  Усманов  Я.,  Онаркулов  К.Э.,  Ахмедов  Т.А.  Технология  получения 

полупроводниковых  материалов  для  фото  и  термобреобразователей.//  Материалы  3-й 

международной  научной  конференции  «Оптические  и  фотоэлектрические  явления  в 

полупроводниковых микро- и наноструктурах», Фергана, 2014 г. с.331-332.  

5. Голованова Н.С., Зломанов В.П., Тананаева О.Н., Личева Л.Д. Легирование кристаллов 

теллурида свинца висмутом в процессе выращивания //Изв.АН СССР. Неорг.материалы. 1984 

г, Т.20, № 4, с. 574-577. 

 

ИЗУЧЕНИЕ СОСТАВА И ПРОФИЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ АТОМОВ ПО ГЛУБИНЕ 



СИСТЕМЫ Ni–GaP, ПРИМЕНЯЕМЫХ В ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ

 

 

А.А. Абдувайитов, Х.Х. Болтаев, Ш. Бахтияров, А. Мавлонов  

Ташкентский государственный технический университет, 100095 Ташкент, Узбекистан. 

akbaraa@yandex.ru

 

 

Известно [1, 2], что для решения ряда технических задач, например в создании устройств 



для корреляционной обработки оптических и электрических сигналов широко используются 

фоторезистивные  плёнки  из  GaP  и  CdS.  На  поверхности  таких  полупроводниковых  плёнок 

наносятся  контакты  в  виде  полос  из  благородных  металлов  (никель,  серебро  и  др). 

Полупроводниковые  структуры  типа  Ni–GaP  или  Ni–CdS  и  др.  создаются  путем 

последовательного  вакуумного  напыления  (осаждения)  отдельных  компонентов.  Качество  и 


“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”.  Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.

 

329 


 

работоспособность  устройств  и  приборов,  создаваемых  на  базе  таких  полупроводниковых 

структур,  очевидно,  будут  зависеть,  прежде  всего,  от  чистоты  материалов  отдельных  слоев 

(пленок)  и  наличия  четких  границ  между  указанными  слоями  структуры,  а  также  от 

возможного образования химических соединений между атомами элементов отдельных слоев, 

где они соприкасаются друг с другом. При этом особенно нежелательным является образование 

большого  количества  окиси  металла  на  границе  металл-полупроводник,  приводящий  к 

увеличению сопротивление контакта.  

Для улучшения работоспособности устройств и приборов, создаваемых на основе таких 

полупроводниковых структур, необходимо контролировать чистоту отдельных слоев и наличие 

чётких  границ  между  слоями,  а  также  присутствие  химических  соединений  между  атомами 

веществ  различных  слоев.  В  связи  с  этим  основной  целью  настоящей  работы  являлась 

исследование наличия различных примесей и концентрационные профили распределения этих 

примесей по глубине системы Ni–GaP, получаемых в реальных условиях их роста.  



Методика  эксперимента.  Структура  Ni–GaP  получена  путем  испарения  и  затем 

осаждения  молекулярных  потоков  материалов  отдельных  компонентов  на  диэлектрическую 

подложку.  На  подложке  осаждался  слой  GaP  с  толщиной  1  мкм.  На  отельных  областях 

поверхности плёнки GaP осаждался никелевый контакт в виде полоски толщиной около 1 мкм. 

Осаждения осуществлялось в условиях высоко вакуума (P=10

-7

 Па) в двух режимах. В первом 



режиме пленки осаждались последовательно в одинаковых условиях без прогрева. Во вторым 

режиме  после  осаждения  определенного  типа  пленки  проводился  прогрев  в  течение  1  часа: 

после  осаждении  GaP  –  750  К,  после  осаждение  Ni  –  700  К.  Состав  поверхности  и  профиль 

распределения примесей по глубине определялись методом Оже-электронной спектроскопии 

(ОЭС) в сочетании травлением поверхности ионами Ar

+

 [3, 4].  



Yüklə 11,09 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   45   46   47   48   49   50   51   52   ...   63




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin