yopiq, bunda U
x
= +5 V. Agar U
a
ortadigan bo‘lsa, u holda U
1
kuchlanish 1,2 V
gacha ortadi. Bunda U
1
= 1,8 V. Shu momentda VD
2
, VD
2
, VТ
1
ochiladi, i
1
toki
VТ
1
tranzistor orqali o‘tadi va uni to‘yingan holatga o‘tkazadi. U
a
kuchlanishining
keyingi ortishi VD
1
diodni yopadi, lekin U
1
miqdorga
yoki VТ
1
tranzistorning
holatiga ta’sir o‘tkaza olmaydi. U
x
kuchlanishning +0,5 V dan U
to‘yinkoef
to‘yingan
tranzistordagi miqdorgacha kuchlanish miqdorining nisbatan keskin o‘zgarishi
3.28b rasmga mos ravishda keltirilgan. Grafikdan ko‘rinib turibdiki, 0 va 1
mantiqiy holatlarga mos keluvchi kuchlanishlar intervallari, taxminan quyidagiga
teng 0≤U
0
≤1.2 V 1.5≤U
1
≤5 V
Amalda, U
0
kuchlanish 0,4 V dan kichik, U
1
esa 5 V ga juda yaqin, u esa
o‘zgarmas tok bo‘yicha ko‘zga-ko‘rinarli shovqin zahirasini ta’minlaydi.
3.28a-rasm
3.28b-rasm
Agar kirish qismiga mantiqiy 1 ga mos keluvchi kuchlanish uzatilgan bo‘lsa,
diod teskari yonalishda siljiydi, va demak, oldingi sxemaning chiqish qismidan
minimal quvvatni iste’mol qiladi. Biroq, kirishda mantiqiy 0 ning kuchlanishi
ushlanib qolsa, tok to‘yingan tranzistor orqali elementning kirish qismidagi
qisqichdan u erga oqishi kerak. Bu bir birlik yuklamaga mos keladi. Agar bitta
chiqish qismiga n ta kirish ulangan bo‘lsa, toyingan tranzistor i
1
ga qaraganda n
marta kop bo‘lgan tokni o‘tkazishi kerak. Agar n ortadigan bo‘lsa, kuchlanishi ham
ortadi, bu esa chiqish tranzistori kuchlanishining o‘sishiga ekvivalentdir. Bu hodisa
3.28b- rasmga bir birlik chiqish yuklamasi holati uchun va
sakkiz birlik yuklama
holati uchun tasvirlangan uzatish tavsifiga mos ravishda berilgan (DTM asos
elementi uchun maksimal mumkin bo‘lgan miqdor).
3.28a-rasmga mos ravishda sxemaga U
b
kirishni hosil qilish uchun ikkinchi diodni
qo‘shadigan bo‘lsak, u holda, agar kirishlardan hech bo‘lmaganda
bittasi mantiqiy
nol holatida bo‘lsa, U
x
kuchlanish mantiqiy 1 ga mos keladi. Agar ikkita kirishda
ham mantiqiy 1 ga mos keluvchi kuchlanish mavjud bo‘lsa, chiqishda mantiqiy
nolni hosil qilish mumkin, ya’ni shu sxema tomonidan bajariladigan mantiqiy amal
quyidagi ko‘rinishga ega:
Х =
Bu esa YO‘Q-VA amaliga mos keladi. DTMdagi kirishlarning hajmini
kengaytirish uchun diodlarni qo‘shishni bajarib undagi baza elementdagi kirishlar
sonini 20 ga yetkazish mumkin.
Agar YO‘Q-VA elementining DTMdagi ikki (undan ortiq)
chiqish qismi ulangan
bo‘lsa, natijaviy sxema YO‘Q-VA elementlarining chiqishlariga VA amalini
bajaradi. Sxemadan ko‘rinib turibdiki, ikkita kirishlarning hech bo‘lmaganda
bittasida mantiqiy nolning kuchlanishi mavjud bo‘lsa, u holda
umumiy chiqish
mantiqiy nol holatida bo‘ladi. YO‘Q-VA elementining ikkita chiqishi ham
mantiqiy 1 holatida bo‘lsa, u holda chiqishda ham mantiqiy 1 hosil bo‘ladi. VA
sim orqali ulanish deyiladi. Bunday sxemaning chiqarishdagi yuklash qobiliyati,
liniya orqali ulanishning, har bir qo‘shimcha chiqishi uchun yuklamasi bir birlikka
kamaytirilgan bo‘lishi kerak, chunki chiqarish kuchlanishi mantiqiy birga mos
keluvchi tranzistorning kollektor qarshiliklar
umumiy chiqishini shuntlash
imkoniyatini e’tiborga olish kerak. DTM ga tegishli bo‘lgan elementni uzatish
kechikishi 30 ns ni tashkil qiladi. Bu nisbatan katta miqdor bo‘lgani bilan, ko‘p
hollarda buning imkoniyati bor.
Diodli-tranzistorli mantiqlar oilasi VA, YOKI, YO‘Q-VA, YO‘Q-YOKI va
YOKINING INKORI elementlarni o‘z ichiga oladi. Bu oila turli elementlarning
katta to‘plamiga ega bo‘lganligi sababli, konstruktor uchun qulay. Sxemalarning
ko‘pchiligi, ta’minlash manba’sini musbat qutb bilan yoki yerga ulash tavsiya
qilinadigan, bir nechta foydalanilmaydigan kiritish klemmalarini o‘z ichiga oladi.
Bu to‘sqindan himoyani oshiradi va uzatish vaqtining kechikishini kamaytiradi.
Dostları ilə paylaş: