4
4
montajda ham uzilish, qisqa tutashuv kabi xatoliklar yuzaga
kelar va tizimni darxol
ishga tushishini ta‘minlamas edi. Masalan, 50 yillar so‗ngida yaratilayotgan
EHMlar o‗nlab rezistor va kondensatorlarni hisobga olmaganda, 100 mingga yaqin
diodlar va 25 mingtacha tranzistorlardan iborat edi.
Diskret elementlar quyidagi xossalarga ega: o‗rtacha quvvati 15 mVt,
o‗lchamlari (bog‗lanishlari bilan) 1 sm
3
, o‗rtacha og‗irligi 1 g va
buzilish
ehtimolligi 10
-5
s
-1
. Natijada diskret elementlardan tuzilgan EHMning sochilish
quvvati 3 kVt, o‗lchamlari 0,2 m
3
, og‗irligi 200 kg bo‗lib, har bir soatda ishdan
chiqar edi. Bu albatta EHM ish qobiliyatini kichikligidan dalolat beradi. Bunday
diskret tranzistorli texnika yordamida murakkab elektron qurilmalarni yaratish
imkoni mavjud emas. Demak, buzilishlar ehtimoli, o‗lchamlari va og‗irligi,
tannarxi va boshqalar bir necha darajaga kichik bo‗lgan sifatli yangi element baza
yaratish talab qilinar edi. Integral mikrosxemalar xuddi shunday element baza
talabalariga javob berdi.
Dostları ilə paylaş: