Radioelektronika asoslari

<²>
^ep
Emitter toki tarkibida l_en - tashkii etuvchini yo‘qotib bo'Imasligt sababli, doimo y < I bo‘Jib, eng yaxshi tranzistorda y~ 0.9995 boMadi.
Injeksiyalangan kovaklar diffuziyaviy harakatlanib, qisman bazadagt dektronlar biJan rekombi natsiyalashadi (2-rasm, b-, c-hodisaJar) v3 qolganlari kollektor o'tishga yetib keladi. Kollektor o‘tishning teskari maydoni bu kovaklar uchun ochtq. Shuning uchun ular bu maydoh ta'sirida tezlanuvchan harakatlanib, kollektorga o'tadi (2-rasm, d-hodisa, ekstraksiya) va V -kcllektoming kovak tokini (foydali tok) hosil qiladi.
Rekombinatsiya rtatijasida koilektor o'tishga yetib keigan kovaklar soni emitterdan bazaga o‘tgan kovaklar sontdan kam bo‘Iadi (bazadagi rekombinatsiya tufayli) va natijada I_ep > /^ bo'ladi. Bundan tashqari
muvozanat holati saqlanishi uchun bazadagi elektronlar soni doituiy boMishi kerak. Rekombinatsiya natijasida elektronlar sonining kamayishi kuzatiladi va uni to'idirish uchun kuchlanish manfaaidan baza zanjtri orqaJi elektronlar kela boshlashi hisobiga I_{b rck} - bazaning rekombinatsiya toki hosil bo'Jadi:

g * 2
4=0 -«)Wto eo 22
.. aa:' 49
t 70
«».R, 72
« = 0,1,2,... 111
₁₊l 118

^kp
(4) ifodadan ko‘rinadiki, o‘tkazish koeffitsientini orttirish udtun I_hr2 tokni kamaytirib, orttirish zarur. Eng yaxshi hollarda v* 0,95^0,99 $j teng.
Emitter zanjirida tok bo'Imagantda (E_e uzilgan), kollektor zanjiridan /to-issiqlik (temperaturaviy) toki oqadi (3a-rasm). U ikkita asosty bo'ltnagan zaryad tashuvchilaming dreyfi natijasida vujudga kelib, kollektordan bazaga o‘tgan elcktron va bazadan kollektorga o‘tgan kovsk toklari yigh'ndisidan iborat bo‘ladi. Kollektoming Ao-issiqlik toki xususiyatlari diodga teskari kuchlanish berilganda hosil boiadtgan teskafi
tokkao'xshaydi. U temperaturaga juda kuchli bogMiq bo‘lib, tranzistoming asosiy parametri hisobtanadi.
Agar emitter toki mavjud boMsa, u holda kotlektor toki /^ ga ortadi:
+ V (5)
Agar ni emitter toki bilan = vl^ - yvl_e - od_e ko'rinishidagi bog'liqligini hisobga olsak, kollektor toki:
^k ~ ^ko ' (®)
ga teng bo‘ladi, bu yerda, a=yv bo‘lib, u emitter tokini uzatish koeffitsienti deyiladi. y va v ning qiymatlarini c'liborga olsak, a < 1 ekantigi kelib chiqadi.
T

ranzistorda kovaklar va elektronlaming harakati qarama-qarshi yo nalishda bo'lsa ham, ular hosil qiigan toklar bir xil yo'nalishda bo‘ladi hamda biz. emitter va kolleklor toklari deganda ushbu tashkil etuvchilar tokilarining yig‘indisini tushunamiz (3a-rasm).
3b-rasmdan ko‘rinadiki, emitter tokinirig al_e qismi koliektorga yetib borsa, (I-a)/_e qismi baza tokini husil qilishga sarf boladi. Shuningdek, bazadan qarama-qarshi yo‘nalishda 4,, teskari tok ham o‘tib turadi. Demak, to'liq baza toki,
4=0 -«)Wto eo
ifoda orqali am'qlanadi. Kollektor tokining (6) ifodadagi qiymatini hisqbga olsak, (7) ifoda quyidagi koTinishga keladi:
I_h=I_e-I_t yoki /,=/*+7* (8)
(8) ifoda tranzistoming tok tenglamasi deyiladi.
(6) ifoda tranzistoming ishchi tenglamasi deyiladi. Demak, koltektor toki kirish einitter toki orqali boshqarilar ekan. Ya'ni, emitter tokini orttirish yoki kamaytirish orqali kollektor tokini boshqarish mumkin ekan.
Bu E_e manba qiymatini o'zgartirish orqali amalga oshiriladi. Shunday qilib tranzhtor tok bilan boxhqariluvchi qurilma ekan.
Baza toki yetarlicha kichik boiganligi uchun umumiy holda I_e l_k deb hisoblashimiz mumkin va biz qarayotgan ulanish sxemasida tranzistor tokni kuchaytirmasligi ko'rinadi. Ushbu ifoda emitter va kollektor toklarining o‘zgarishlari uchun ham o'rinii boiadi, ya'ni Al_e ® AI_k.
Aktiv dinamik rejimda transistor quwatni kuchaytiruvchi hisoblanadi, ya'ni u manha energiyasini kirishdagi o'zgaruvchan signal energiyasiga aylantirjb beradi. Bu jarayon tashqi manba ta'sirida emitter o'tish va kollektor o‘tishlarining defierensial qarshiliklarining ozgarishi btlan tushuntiriladi. Emitter o‘tishiga to‘g‘ri kuchlanish berilganligi tufayli, uning differensial qarshiligi kamayadt:
*