Radioelektronika asoslari

UE ulanish sxemasida (4b-rasm) baza toki kirish (sxemantng eng asosiy xususiyatlaridan biri), kollektor toki chiqish toki hisoblanadi.
Tranzistoming ishlash prinsipiga asosan, baza orqali qarama-qarshi yo'nalishda - kollektoming teskari toki hamda emitter tokining {l-a)l_e ga teng qismi oqadi (5-rasrn) va baza toki uchun
I_b=(\-a)I_e~Ifr, ifoda o‘rinli bo‘ladi. Baza toki rtolga tcng boMganda (I_b = 0), bu toklar o'zaro teng bo'Iadi, ya’ni (I-a)/_B=/_ta. Demak, kirish toki noiga
t eng bo'lganda bazadan __K __e
ga teng boshlang‘\ch kollekior ioki o'tib turadi. Bu ulanishda tok bo'yicha ishchi tengfama I_k = /(/*) munosabat orqaij topiladi. (b) va (S) ifodlami e'tiborga olsak, koliektor toki quyidagichs aniqlanadi (5-rasm);
(
I_k ~al_e + i_k0 - a(i_k + I_b) + /_to natijada kollektor toki quyidagi ifodaga teng bo'ladi:
l .
14)
0
, ^a r
i_k ~ II +
* l~a ^b

1 -a
5)
agar p -1—- belgilash kirilsa (15) ifodani quyidagicha yozish mumkin:
/=/?/+{/?+!)/„ (16) Bu ifoda tranzistoming umuntiy emitterii ulanishi uchun ishchi tenglama bn'Iib, unda /? - fcoeffitsient baza (oiining statik vxatish koeffitsienti deb ataladi va baza tokini kollektorga uzatilishini ifodalaydi. /J ning qiymati o'ndan yuzgacha, ba’zi tranzistorlarda esa bir necha mmglar oraligMda bo'lishi mumkin. (16) ifodadan ko'rinadiki, baza tokining ozgina o'zgarishi kolfektor tokining fS marta ortishiga oltb keladi. Demak, UK sxemasida ulangan tranzistor tok bo'yicha yaxshi kuchaytirish xossalariga ega bo'ladi.
UE ulanish sxemasida kirish qarshiligi UB ulanishga nisbatan katta bo'ladi. Uning qulayligi bitta manba orqali aktiv ish rejimini hosil qilish mumkinligidir, ya’ni baza va koltektorga bir ishorali kuchlanish beriladi (5-rasm). Shuning uchutt ushbu ulanish sxemasi amaliyotda keng tarqalgan. Kamchiligi sifatida temperaturaviy stabiiiigi UB ga nisbatan ancha yomonligini aytish mumkin. Bunda fcirish tofci temperaturaga kuchli bogiangan,
UK ulanish sxemasida (4s-rasm) ktrish - baza toki, chiqtsh - emitter toki hisoblanadi. Shuning uchun tok bo'yicha statik uzatish koeffitsiemj quyidagicha aniqlanadi:
—=>?+i 1 -a
D
r=i = - h 4
etnak, baza tokining o‘zgarishi emitter tokining (/7 + 1) marta yrtishtga olib keladi. UK sxemada kuchlanish bo'yicha kuchaytirishga erishiimaydi. Chunki emitter va bazadagi kuchlanishlar baza tokiga bogMiq emas, shuningdek kirish qarshiligi katta hisoblanadt. Ammo emitter potensiali baza potensialini deyarli to'liq qaytargani uchun bu ulanish asosida qurilgan kaskad emitter qaytargichi dcb ham ataladi.
Bipolyar tranzistorning statik xarakteristikalari
Tranzistoming statik xarakteristikalari kollektor zanjiriga nagruzka qarshiligi ulanmagan hotda (4-rasm) kirish va chiqish toklari hamda kuchlanishlari orasidagi o‘zaro bog'ltqlikni ifodalaydi. Ulardan eng asosiysi tranzistoming kirish va chiqish xarakteristikalari hisoblanadi.
UB sxemusi ucfmn kirish statik xarakteristikasl deganda kollektor kuchlanishi o'zgarmas bo‘Iganda emitter tokining emitter kuchlanishiga bog‘liqligi tushuniladi:
4 - (1S)
Kirish xarakteristikalarining umumiy xarakteri odatda tog'ri yo‘nalishda ulangan p~n o‘tishdagi ftzik jarayonlar bilan aniqlanadi. Shu sahabJj tashqi ktfrinishiga kc'ra Jkirish xarakleristikiari eksponensia) xarakterga ega (6a-rasm). Rasmdan ko'rinib turibdiki, chiqish kuchlattishining o'zgarishi kirish xarakteristiklarini chapga siljishiga olib keladi. Xarakteristikaning stljishi Erli effekti (baza kengligining modulyatsiyasi) bilan aniqlanadi. Buning mamosi shundaki, kollektor o'tishdagi teskari kuchlanishning ortishi bilan kollektor o'tish kengayib, baza sohasirting torayishi kuzatiladi. Baza kengligtning kichrayishi ikki effckt: zaryad tashuvchilar rekombinatsiyasining kamayishi hisobiga baza tokining kamayishi va bazadagi asosiy bo'lmagan zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi gradientining ortishi htsobiga emitter tokining (natijada kollektor tokining) ortishiga olib keladi.
UB sxemasi uchun chiqish xarakteristikasi deganda emitter toki o'zgannas bolganda kollektor tokining kollektor kuchlanishiga bog'liqligi tushunitadi:
4 = fW khi_!e=n (19)
Xarakteristikalami qurishda kollektor o'tishntng teskari kuchlanishini o'ngda o'matish qabul qilingan (6b-rasm). 6b-rasmdan ko‘rinib turibdiki.
UB sxemadagi chiqish xarakteristikalari udi qismdan iborat: birinchi qism - to'yinish ish rejimi, ikkinchi qism - akliv ish rejimi va uchinchi qism kollektor o‘tishning buzilishiga mos keiadi.
X
arakteristikalaming boshlang'ich nuqtasi koilektor kuchianishining musbat qismiga to‘g‘ri keladi (l-soha). Shuning uchun ham 7,>0 bo'lganda A=0 nuqtani aniqlash uchun emitter kuchlanishining ta'sirini yo‘qotadigan miqdorda kolektoming musbat kuchlanishi zarur boMadi (1-shtrixlangan soha).
Aktiv rejimda chiqish toki (6) ifoda bilan aniqlanadi (2-sofia). Aktiv rejimga mos keluvchi xarakteristika sohalari abssissa o'qiga uncha katta bodmagan qiyalikda, deyarli paraJJeJ o‘tadi. Qiyalik j'uqorida aytilgan Erli effekti bilan tushuntiriladi /_c~0 boMganda (emitter zanjiri uzilganda) cbiqish xarakteristikasi teskari siljigan kollektor o‘lish xarakteristikasi ko‘rinishida bo'lib, kollcktor toki /ir/L, ga teng boMadi (5-rasm). Emitter o‘tish to‘g‘ri yo'nalishda ulanganda injeksiya (/_e, > 0) toki hosil bo‘ladi va koliektor toki al_e] gaortadi.
Kollcktor kuchlanishining manfiy qiymati ortib kelsa kollektor o‘tishda buzilish paydo bo‘ladi (3-soha) va kollektor toki juda tez o‘sa boshlaydi. Bu vaqtda tranzistorda issiqlik va elektr buzilishlari vujudga keladi.