Aktiv rejim. Bunday ish rejimida tranzistoming emitter-baza (emitter) o‘tishiga to‘gTi, baza-kollektor (koliektor) o'tishiga teskari kuchlanish beriladi.
Uzilish rejittu. Bunday ish rejimida tranzistoming ikkala ish oTishiga teskari kuchlanish beriladi. Shuning uchun bu rejim tranzistoming yopilish rejimi deb ham ataladi.
■ To‘yinish rejirni Bu ish rejimida tranzistoming ikkala oTishiga to‘g‘ri kuchlanish berjladi.
• Invers rejim. Bimday iah rejimda emitter o‘tishiga teskari, kollektor o'tishiga to‘g‘n kuchlartish beriladi. Amalda bu ish rejimi deyarti qollanilmaydi.
Tranzistor asosan aktiv rejimda ishlaydi va bunda uning kuchaytirish xossalari namoyon bo'Iadi. Tranzistor raqamli sxemalarda qoMlanilganda u to'yinish rejimida yoki uzilish rejimida ishlashi mumkin.
Bipolyar tranzistorining isblash prinsipi P a-injeksiya b-difFuziya c-rekombinasiya d-ekstraksiya
-n-p turdagi bipolyar tranzistoming aktiv ish rejimida iii iua bo‘layotgan fizik hodisalami ko‘rib chiqaylik (2-rasm). Bunda unjng emitter o'tishiga (eo‘) to'g'ri, koilektor o‘tishiga (ko‘) teskari kuchlanishlar £c va Ev tashqi manbaiardan beriladi.
Natijada emitter o'tishi ochilib, uning potensial to‘sig‘i Ee ga kamayadi, koliektor o‘tishi esa yopiladi va uning potensial to‘sig‘i ga ortadi. Buning evaziga emitterdagi kovaklar bazaga va bazadagi elektronlar emitterga o‘ta boshlaydi (2 rasm, a-hodisa). Shunday qilib, emitter qismida asosiy 2aryad tashuvchilaming diffuziyasi hisobiga paydo bo'Iuvchi emitter toki hosil qilinadi va u ikkita tashkil etuvchidan iborat boiadi:
Ie=J*,+I
0) buyerda /ejf-emitter tokining kovak tashkil etuvchisi, /,.„-emitter tokining elektron tashkil etuvchisi. /OT faqatgina emitter-baza o‘tish oraligida mavjud boiganligi uchun u kollektor tokini tashkil etishda ishtirok etmaydi va u zararli tok hisoblanib, tranzistomi qizishiga olib keladi.
Injeksiya jarayoni eraitter toki tarkibidagi - foydali tasbkil etuvchisi miqdorini belgjlovchi y-injeksiya koeffitsienti orqali baholanadi:
^ep hp _ l