Јурилиш материаллари ва конструкциялрини тадіиі этиш ва

Faza-kontrast mikroskopiya 
tasvirning kontrasligini oshirish uchun 
foydalaniladi. Yorug‘lik mikroskopiyasida ob’yektning yuqori kontrastlik uning 
ayrim tarkibiy komponentlarining bo‘yalishi (qutblangan rang va preparatni yedirish 
natijasida hosil bo‘ladigan rang) va fazalarni ajratish chegarasida antik effekt bilan 
ta’minlanadi. Elektron mikraskopda ko‘rsatilgan yo‘llar bilan tasvirning 
kontrastligini oshirish imkoniyati yo‘q. Elektron mikroskopdagi tasvirning 
kontrastligi preparat alohida tarkibiy qismlari (kristallar va sh.k.) ning elektronlar 
sochilishidagi farqlanish darajasi bilan belgilanadi. Ko‘pincha ob’yekt alohida 
fazalarining yetarli bo‘lmagan kontrastligi elektron mikroskopining ajratuvchi 
qobiliyatidan to‘liq darajada foydalanish imkoniyatini bermaydi. 
Elektron mikroskopda tasvirning kontrastligini oshirish uchun ob’yektni 
chetlashtirishdan foydalaniladi, uning mohiyati shundan iboratki, tekshirilayotgan 
shaffof preparat yoki uning vakuumdagi iziga o‘tkir burchak ostida katta atom 
raqamiga ega metallning (masalan, xrom, oltin, uran va b.) yupqa qavati changlanadi. 
Metallning changlangan qatlami preparat yuzasida notekis taqsimlanadi; yuzaning 
ko‘tarilgan joylari yoriqlarga nisbatan ko‘proq qoplanadi. Natijada fotosuratda 
ob’yektning yanada aniqroq qora – oq surati hosil bo‘ladi.
Elektronograflash usuli 
kristall panjaraning muayyan tekisliklaridan 
elektronlar taramining aks ettirilishiga olib keluvchi elektronlar taramining to‘lqinli 
xossalariga asoslangan. Bunday holda elektron mikroskop tizimi oddiy elektronograf 
rejimida ishlaydi. Kristall panjara bilan difraksiya qilingan elektron nurlar 
tushayotgan elektronlar tarami atrofida konuslar seriyasini tashkil etadi. Tushayotgan 
taramga perpendikular joylashgan fotoplastinkaning kesishishi konsentrik xalqalar 
seriyasini hosil qiladi. Hosil bo‘ladigan difransion kartina tekshirilayotgan zarraning 
kristallografik qurilishi to‘g‘risida fikr yuritish, boshqa so‘zlar bilan aytganda uning 
tarkibini solishtirish imkonini beradi. Bu tekshirish usulining murakkabligi ushbu 
aniq mikrozarradan difraksion tasvirni olishning qiyinligidadir. Bunday turdagi 
elektronograflash maxsus moslamalar yaratilishini talab qiladi.

---

49 
Oxirgi markadagi elektron mikroskoplar (UEMB – 100 va EM - 5) va ko‘plab 
elektron asboblar 0.2 – 1 mk
2
maydonga ega preparat yuzasidan uchastkalaridan 
elektronograflash (elektron suratga olish) ni amalga oshirish imkonini beradi. 
Muar usuli 
tuzilmaviy tahlilning bilvosita usuli hisoblanadi. Undan foydalanib, 
kristall jismlar tuzilishini va xususan, kristall panjaralardagi turli xil joylashishlarni 
taqsimlash xarakterini tekshirish mumkin. U bir – biriga yaqin bo‘lgan 
krisstallografik parametrlar bilan ustma - ust qo‘yilgan kristall panjaralardan 
difraksiya qilingan elektron nurlar murakkab kartina (muar naqshlar)sini hosil qiladi, 
ammo uni kristall panjaralardan birining ko‘rsatkichlarini bilgan holda, rasshifrovka 
qilish mumkin.