Şəkil 16.2. Yüksək və orta temperaturlarda CVD üsulu ilə
örtükçəkmə qurğusu və detallarla birlikdə kameranın
konteyneri.
Şəkil 16.3. CVD üsulu ilə səthə çökdürülmüş örtüklər:
a-
TiC və b- TiN örtükləri.
a)
b)
272
Şəkil 16.4. C60 poladının və onun üzərinə CVD üsulu ilə
çökdürülmüş TiC və TiC-Ti(C,N)-TiN örtük sisteminin
erroziyalı yeyilməyə qarşı davamlılığı.
16.3. Pl
azmanın tətbiqi ilə CVD üsulları
Bu
üsul
günəş
batareyalarının,
maqnit
yaddaşlarının,
yarımkeçiricilərin,
kəsmə
və
formavermə alətlərinin səthinə örtük çəkmək üçün
istifadə olunmuşdur.
Plazmanın əmələ gəlməsi üçün sabit gərginlik
(detal katod, vakuum kamerası və ya ayrıca bir polad
silindr anod kimi qoşulur), döyünən (pulslu) sabit
gərginlik və yüksək tezlikli cərəyan istifadə oluna
bilər. Detalın qızdırılması isə ionla bombarduman
etməklə və ya ayrıca qızdırıcı vasitəsi ilə həyata
keçirilir.
Əsas material, C60
Kəsmə sürəti
Kəsmə dərinliyi
Kəsmə vaxtı
Veriş
Örtüksüz
TiC örtüyü
Örtükləri
Az
ad
sə
thi
n
ye
yil
məs
i
E
rr
oz
iyalı
ye
yil
lm
ə
273
Şəkil 16.5. Plazma CVD qurğusunun sxematik təsviri.
Plazma CVD üsulu digər adi CVD üsullarına
nisbətən, aşağı örtükçəkmə temperaturu, yüksək
çökdürmə dərəcəsi, örtüyün səth üzrə bərabər
paylanması kimi üstünlükləri ilə fərqlənirlər. Nazik
divarlı detalların ionla bombardumanı nəticəsində
onların zədələnmələri və çökdürmə dərəcəsini
artırdıqda oksidlərin və silisidlərin təsadüfən
stoxiometrik alına bilməsi plazma CVD üsulunun
mənfi tərəfləridir.
Plazma çökdürmə üsulunun bir növü olan CVD
mikrodalğalı plazma çökdürmə qurğusunun sxematik
təsviri şək. 16.6.- da verilmişdir.
İsti lövhə
İxrac
Detal
Enerji
Təsirsiz
qaz
Proses
qazı
|
