Microsoft Word 00 KeyNote Speakers Materiallar
Yüklə 22,28 Mb. Pdf görüntüsü
|
- Bu səhifədəki naviqasiya:
- IV INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS
- Şəkil 1. IV INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS
- MÜRƏKKƏB FORMALI Ga 1-x Al x N-GaN- Ga 1-x Al x
- POLİETİLENQLİKOL-LİMON TURŞUSUNUN NA DUZU-SU İKİFAZALI SİTEMİNİN HAL DİAQRAMINA ŞƏKƏRLƏRİN TƏSİRİ F.S.NƏSİROVA
- Şəkil 1
- PHYSICAL PROPERTIES OF R-F SPUTTERED ITO AND ELECTROCHEMICALY DEPOSITED ITO/CdS THIN FILMS J.A.GULİYEV, G.KH.MAMEDOVA, SH.O.EMİNOV
|
Cədvəl 1. Kalium və sezium nitratların kristalloqrafik məlumatları Maddə
Mo di f ik asiy a Sinqoniya Kristal qəfəsin parametrləri Fəza qrupu a, Å b, Å
c, Å
3
II III I II III I Rombik 4,411 9,17 6,42
Romboedrik 7,148 - -
44 0 35 /
Romboedrik 4,35 - -
76 0 56 /
3
II I II
I Triqonal 10,87 - 7,76 Kub 8,98 - -
IV INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 77
Qafqaz University 29-30 April 2016, Baku, Azerbaijan Morfoloji tədqiqatlara qarşılıqlı çevrilən modifikasiya kristalları arasında tarazlıq temperaturunu təyin etməklə başlanılmışdır. Baxılan nümunədə II III çevrilmələri zamanı II və III modifikasiya kristallarının tarazlıq temperaturu üçün T0=450±1K alınmışdır. Optik mikroskop altında aparılan təcrübələr göstərmişdir ki, K 0,985 Cs
NO 3 kristalında II III polimorf çevrilməsi T çev >T
temperaturunda rombik quruluşa malik ana kristal daxilində romboedrik qəfəsli yeni kristal rüşeyminin yaranması və böyüməsilə baş verir (şəkil 1).
Şəkil 1-dən göründüyü kimi III-modifikasiya kristalının ruşeyimi (kristal mərkəzi) ana kristalın daxilində yaranır. Bu ruşeyim əvvəlcə ana kristalın [100] istiqamətində sürətlə böyüyür və bu istiqamətdə böyümə başa çatdıqdan sonra [001] istiqamətində hər iki tərəfə davam edir. Bu çevrilmə zamanı kristalın digər hissəsində (qarşı tərəfdə) III fazanın İkinci bir rüşeyimi yaranır ki, onun da böyüməsi [001] istiqamətində baş verir (şəkil 2 a, b).
Çevrilmənin sonunda III modifikasiya monokristalı alınır (şəkil 2, c). Təcrübələr göstərir ki, Tçev II polimorf çevrilməsi baş verir. Bu çevrilmə zamanı da III modifikasiya kristalı daxilində II modifikasiyanın kristal rüşeyimi yaranır və bu rüşeyim də əvvəlcə ana kristalın [100] və sonra [001] istiqamətində böyüyür. Hər iki keçid zamanı [100] istiqamətində böyümə sürəti [001] istiqamətindəkindən çox-çox böyük olur: [100]>>[001]. Morfoloji tədqiqatların təhlili göstərir ki, kalium nitrat kristalında K atomlarının Cs atomları ilə qismən əvəz olunması nəticəsində alınan K 0,985 Cs
NO 3 kristallarında II III polimorf çevrilmələri ana kristal daxilində III və II modifikasiya kristallarının kristal rüşeyminin yaranması və böyüməsilə baş verir. Yaranan kristal rüşeyimi əvvəlcə ana kristalın [100] kristalloqrafik istiqamətində böyüyür və bu istiqamətdə böyümə başa çatdıqdan sonra [001] istiqamətində davam edir. Yeni modifikasiya kristalının rüşeyimi bir qayda olaraq ana kristalın defektli yerində yaranır və həmin defektlər böyüməyə istiqamətləndirici təsir göstərir. Təcrübələr onu da göstərir ki, K 0,985
Cs 0,015
NO 3 kristalında II III çevrilməsi T>T0=450±1K temperaturda baş verir. Lakin KNO 3 -də bu keçidin temperaturu 400K-dir. Deməli kalium nitratda K atomlarının Cs atomları ilə qismən əvəz olunması çevrilmə temperaturunun ~50K artmasına səbəb olmuşdur. Çoxsaylı müşahidələr zamanı müəyyən edilmişdir ki, KNO3-də olduğu kimi K 0,985
Cs 0,015
NO 3 kristallarında III və II modifikasiyalar arasında I-aralıq modifikasiya mövcud deyildir. K 0,985 Cs 0,015 NO 3 kristallarında II III polimorf çevrilmələri enantiotrop olub, monokristalmonokristal tiplidir.
a)
c) b)
II III
III Şəkil 2. III
III III
II-kristal 100
001 a)
III d)
c) III
II b)
II III
Şəkil 1. IV INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 78
Qafqaz University 29-30 April 2016, Baku, Azerbaijan MÜRƏKKƏB FORMALI Ga 1-x Al x N-GaN- Ga 1-x Al x N KVANT QUYUSUNDA HAL SIXLIĞI VƏ KİMYƏVİ POTENSİAL T.H.İSMAYILOV Bakı Dövlət Universiteti tariyel.i@gmail.com AZƏRBAYCAN S.İ.ZEYNALOVA AMEA Fizika İnstitutu sebine-zeynalova@mail.ru AZƏRBAYCAN Son illər süni yaradılmış yarımkeçirici əsaslı aşağıölçülü elektron sistemləri (nanostrukturlar) həm informasiyanın ifrat sıx yazılışı, həm də spintronikanın cihaz və qurğularının yaradılması ilə bağlı olaraq intensiv tətqiq olunur. Bu strukturlara maraq onların unikal xassələrinin fundamental aspektdən öyrənilməsi ilə yanaşı, həm də prinsipial olaraq onların nanoektronikada və inteqral optikasında tətbiqinin yeni imkanları ilə də bağlıdır. Belə sistemlərdə yükdaşıyıcıların hərəkəti ən azı bir koordinat boyunca məhdudlaşmış olur. Bu məhdudiyyət ölçü kvantlanmasına gətirib çıxarır ki, nəticədə yükdaşıyıcıların, fononların eləcə də digər kvazizərrəciklərin enerji spektri köklü sürətdə dəyişir və bu da, öz növbəsində, nanosistemlərin bir sıra, keyfiyyətcə yeni, fiziki xassələrinin, o cümlədən kinetik və optik xassələrinin yaranmasına səbəb olur. Nanostrukturlar yeni prespektivli qurğuların, görünən, yaxın və orta infraqırmızı diapazonlarında işləyən kvant quyu, kvant nöqtə əsaslı lazerlərin həm də THz diapazonunda şüalanma mənbələrinin, yeni fotoqəbuledicilərin və yüksək sürətli şüalanma modulyatorlarının yaradılması üçün əlverişli obyektlərdir. Kvant nöqtələrindən və kvant məftillərindən hazırlananan lazerlər və işıq diodları gələcək optoelektronikada çox ümidvericidirlər, belə ki, onlar daha kiçik ölçülü, daha sürətli və daha etibarlıdırlar. Nanostruktur əsaslı yaddaş qurğularının yaradılması istiqaməti yüksək sıxlıqlı informasiya yaddaşının alınması ilə bağlı sürətlə inkişaf edən sahədir. Məsələn, bir elektronlu tranzistor adi fleş yaddaş elementinin nanoölçülü analoqu olan, nano- fleş yaddaş formasında yaddaş elementi kimi tətbiq edilə bilər. Nanostrukturların əsas özəlliklərindən biri də odur ki, onların həndəsi ölçülərini və konfiqurasiyalarını dəyişməklə xassələrini idarə etmək olar. Strukturların parametrlərinin, ilk növbədə yükdaşıyıcıların və fononların enerji spektrinin məqsədəyönlü şəkildə seçilməsi mümkünlüyü, nəticə etibarilə, nanostrukturların kinetik və optik xassələrinin idarə olunması üçün geniş imkanlar açır. Hazırda çox müxtəlif tətbiqlərlə bağlı olaraq Ga 1-x AL x N-GaN-Ga 1-x Al x N kvant quyuları intensiv tədqiq olunmaqdadır. Bu mövzuya aid eksperimental işlərdə alınan nəticələri izah etmək üçün əsas etibarı ilə sonsuz dərin quyu və ya parabolik potensiallı quyu modellərindən istifadə olunur. Limit hallarda aldığımız nəticələr düzbucaqlı sonsuz dərin quyu və ya parabolik potensiallı quyu üçün alınmış nəticələrlə üst-üstə düşür. Təqdim olunan işdə hər iki potensialı özündə ehtiva edən = potensallı kvant quyusu modelinə baxılmışdır. Burada −quyunun gücüdür. –kvant quyusunun enidir. Bu potensial üçün Şredinger tənliyi həll olunmuş, yükdaşıyıcıların enerji spektri və dalğa funksiyaları tapılmışdır. Şredinger tənliyinin həlli enerji spektri üçün aşağıdakı ifadəni verir. = ( + (4 − 2) ) (1)
Burada = 1,2,3, .., = ℏ ∗ , – kvant quyusunun eni, = ∗ ℏ
− quyunun gücüdür. (1) enerji spektrinə uyğun hal sıxlığı hesablanmışdır. Daha sonra elektron qazı üçün konsentrasiyanın aşkar şəkli tapılmış və onun əsasında elektron qazının kimyəvi potensialı hesablanmış, onun üçün kvant quyusunun enindən (L) və ( = ) parametrindən asılı analitik ifadə alınmışdır. Cırlaşmış və cırlaşmamış elektron qazı halları araşdırılmışdır. Aşağıda Ga1-xALxN-GaN-Ga1-xALxN kvant quyusundakı cırlaşmış elektron qazının kimyəvi potensialının uyğun olaraq, quyunun enindən (Şək.1) və quyu parametrindən (Şək.2) asılılıqları göstərilmişdir. ∗ = 0.2 götürülmüşdür. Görünür ki, (şəkil 1) cırlaşmış halda kimyəvi potensial quyunun eninin artması ilə monoton olaraq azalır, quyu parametrinin artması ilə isə artır
IV INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 79
Qafqaz University 29-30 April 2016, Baku, Azerbaijan ( )
, eV
İKİFAZALI SİTEMİNİN HAL DİAQRAMINA ŞƏKƏRLƏRİN TƏSİRİ F.S.NƏSİROVA, T.O.BAĞIROV Bakı Dövlət Universiteti fidan03nasirova@gmail.com AZƏRBAYCAN Z.M.BABAŞOVA Qafqaz Universiteti AZƏRBAYCAN
Elmi Tədqiqat Aerokosmik İnformatika İnstitutu AZƏRBAYCAN
Elmi ədəbiyyatda hidrofobluğu kəmiyyətcə qiymətləndirmək üçün maddələrin ikifazalı sistemlərdə qeyri-bərabər paylanması metodundan istifadə edilməsi təklif olunmuşdur. İkifazalı sistemlər dedikdə, müəyyən şəraitdə alınmış su-qeyri-polyar, polimer-polimer-su və polimer-duz-su ikifazalı sistemləri başa düşülür. Qeyd etmək lazımdır ki, su-üzvi birləşmə ikifazalı sistemlərində maddələrin qeyri-bərabər paylanması metodundan istifadə etdikdə sistemin qeyri-polyar fazasının denaturasiyaedici təsiri nəticəsində bioloji molekulların və strukturların nativ xassələri dağılır və onların nisbi hidrofobluqlarını təyin etmək mümkün olmur və hətta mümkün olsa belə heç bir məna kəsb etmir. Ona görə də sistemin fazalarının əsasını (70÷90 faizini) su təşkil edən və biostrukturlar üçün «doğma» olan polimer-polimer-su və son zamanlar polimer-duz-su ikifazalı sistemlərindən istifadə edilməsi təklif olunmuşdur. Ümumiyyətlə, su-polimer ikifazalı sistemlərinin (SPİS) tətbiqi ön plana keçdiyindən, bu sistemlərin özlərinin fundamental elmi tədqiqi və metodun təkmilləşdirilməsi sahəsində görülən elmi- tədqiqat işləri gecikmişdir və bu da onların yeni tətbiq imkanlarının aşkar edilməsinə mane olmuşdur. Təqdim olunan işdə polietilenqlikol-limon turşusunun Na duzu-su ikifazalı sistemlərində fazalara ayrılmanın mexanizmini, onun molekulyar aspektlərini, yeni alınmış ikifazalı sistemlərin hal diaqramlarını tədqiq etmək olmuşdur. Kiçikmolekullu birləşmələrin, o cümlədən, müxtəlif şəkərlərin, spirtlərin, karbamid və bu növ digər maddələrin polimer-su sistemlərinin fiziki-kimyəvi xassələrinə təsirinin sistemli tədqiqi bu sistemlədə qarşılıqlı təsir problemlərinin izahına və faza keçidlərinin öyrənilməsinə geniş imkanlar yaradır. Bu tədqiqatları aparmadan iki polimerin və ya polimerlə hər hansı duzun sulu qarışığında ikifazalı sistemin alınması haqqında E.Məsimov və B.Zaslavski tərəfindən, eləcə də B.Bolognes və digərləri tərəfindən verilmiş hipotezləri nə təsdiq, nə də inkar etmək mümkündür. Bu birləşmələrin təsirini öyrənməklə həm də SPİS-də paylanma metodunun tətbiq imkanlarını genişləndirmək olar. ( )
L, m Şəkil 1. Cırlaşmış elektron qazı üçün kimyəvi potensialın kvant quyusunun enindən (L)-dən asılılığı (L=5nm-20nm intervalında).
potensialın -dan asılılığı, ( = , = 0.1, 0.2, … 3) (L 5 20 i t l d ) IV INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 80
Qafqaz University 29-30 April 2016, Baku, Azerbaijan Yuxarıda qeyd olunduğu kimi, bir çox hallarda ikifazalı sulu sistemləri almaq üçün polimer- polimer-su ikifazalı sistemlərə nisbətən həm ucuz, həm də bioloji hissəcikləri ayırma qabiliyyətinə görə effektiv olan ikifazalı polimer-duz-su sistemlərindən geniş istifadə olunur. Belə sistemlərdən olan PEQ-C 6
5 O 7 Na 3 -H 2 Oikifazalı sistemin hal diaqramının binodallarına bəzi şəkərlərin təsiri tədqiq olunmuşdur. İşdə İspaniyanın “Panreac” firmasının istehsalı olan HO-(CH 2 CH 2 O) n Hpolietilenqlikol (PEQ-6000) istifadə edilmişdir. Alınmışdır ki, şəkərlərin təsiri ilə sistemin binodal əyrisi koordinat başlanğıcına tərəf sürüşür, ikifazalı sistem faza əmələ gətirən komponentlərin daha kiçik konsentrasiyalarında baş verir. Qeyd edək ki, şəkərlər sırasından fazalara ayrılma prosesinə ən çox təsir edən saxaroza olmuşdur. Eyni zamanda saxarozanın müxtəlif konsentrasiyalarının sistemin binodal əyrisinə təsiri tədqiq olunmuşdur. Müəyyən olunmuşdur ki, saxarozanın kosentrasiyası artdıqca fazalara ayrılma faza əmələ gətirən komponentlərin daha kiçik konsentrasiyalarında baş verir. Beləliklə, xarici amillərdən saxarozanın PEQ-C 6 H
O 7 Na 3 -H 2 Osisteminin binodal əyrilərinə təsirinin sistemli tədqiqi nəticəsində müəyyən olunmuşdur ki, saxaroza suyun strukturuna strukturlaşdırıcı təsir göstərir və fazalara ayrılma prosesini sürətləndirir. Qeyd edək ki, elmi ədəbiyyatda karbamidin və karbamiddə azot atomunun kükürd atomu ilə əvəz olunmuş tiokarbamidin sistemə əlavə olunması faza əmələ gəlmə prosesinə təsiri tədqiq edilmişdir. Məlum olmuşdur ki, karbamid komponentlərin suda həll birgə olmasını yaxşılaşdırdığı halda tiokarbamid fazalara ayrılma prosesinə demək olar ki, təsir etmir. Bu, ola bilsin ki, kükürd atomunun su mühitində hidrogen rabitəsinə girə bilməməsi ilə əlaqədardır. Alınan nəticələr yenə də ikifazalı PEQ-limon turşusunun natrium duzu- su sistemində iki tarazlıqda olan müxtəlif su strukturlarının yaranması ilə izah oluna bilər. Belə strukturların yaranması su molekullarının fazaəmələgətirən komponentlərin yaxınlığında müxtəlif cür oriyentasiya olmaları ilə əlaqədardır. Karbamid suyun strukturunu dağıtdığından fazalaraayrılma prosesi komponentlərin konsentrasiyalarının daha böyük qiymətlərində baş verir. Alınan nəticələrin şəkərlərin suyun strukturuna təsirinə aid elmi ədəbiyyatda olan nəticələrlə müqayisəsi göstərir ki, fazalara ayrılma prosesində əsas rolu iki su strukturunun yaranması oynayır və bununla da SPİS-də fazalara ayrılma prosesi üçün B.Zaslavski və E.Məsimov tərəfindən verilmiş hipotez təsdiq olunur.
AMEA Fizika İnstitutu physics@mail.ru AZƏRBAYCAN AgSbSe
2 üçqat birləşməsi nizamsız NaCl quruluşlu yarımkeçiricilər ailəsinə aid olub, Fm3m fəza quruluşuna malikdir. Darzolaqlı yarımkeçirici olan AgSbSe2 birləşməsi termoelektrik xassələrinə xüsusilə, çox kiçik istilikkeçirməyə malik olmasına görə böyük maraq kəsb edir. Aşağı istilikkeçirməyə malik olması onun nizamsız quruluşu ilə əlaqələndirilir. Məlumdur ki, müxtəlif aşqarlar maddələrin zona parametrlərinə, səpilmə mexanizmlərinə, həmçinin onların termoelektrik xassələrinə təsir edir. Bu təsirləri öyrənmək və eyni zamanda AgSbSe 2
birləşməsinin termoelektrik xassələrini daha da yaxşılaşdırmaq məqsədilə ona PbTe əlavə etmişik. İşdə tədqiq olunan AgSbSe2 birləşməsi və AgSbSe 2 )
(PbTe) 0.2
bərk məhlulu 99,99% təmizlikli maddələri kvars ampulada ərimə temperaturundan yuxarı temperaturda təqribən 10 saat saxlayıb sonra otaq temperaturuna kimi yavaş-yavaş soyutmaq üsulu ilə alınmışdır. Alınmış birləşmələr məsaməli və gümüşü parlaqlığa malikdir. Nümunələr məsaməli alındığı üçün otaq temperaturunda 2MPa təzyiq altında preslənmişdir. Tədqiq olunan nümunələr uyğun olaraq 8.6x3x6mm və 7.5x4x3.5mm ölçüsündədir. AgSbSe 2
2 ) 0.8 (PbTe) 0.2
üçün xüsusi müqavimətin və termoelektrik hərəkət qüvvəsinin temperatur asılılıqları tədqiq edilmişdir. Tədqiqatlar 80-350K temperatur intervalında,
IV INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 81
Qafqaz University 29-30 April 2016, Baku, Azerbaijan sabit cərəyanda, dördzondlu potensiometrik metodla aparılmışdır. Şəkil 1-də AgSbSe 2 birləşməsi üçün (T) xüsusi müqavimətin temperatur asılılığı verilmişdir. 100
200 300
200 400
600 800
1000
Om .cm
T (K)
Şəkildən göründüyü kimi, xüsusi müqavimət 77-220 K temperatur intervalında yavaş-yavaş, temperaturun sonrakı artması zamanı isə kəskin azalır. Eyni zamanda, termoelektrik hərəkət qüvvəsinin ilkin tədqiqindən də görünür ki, (T) asılılığındakı kəskin azalma oblastında termoelektrik hərəkət qüvvəsinin işarəsinin inversiyası baş verir. (T) asılılığının 215K temperaturdan başlayaraq özünü belə aparması keçiricilikdə qarışıq xarakterin yaranmasını güman etməyə imkan verir. Şəkil 2-də isə AgSbSe 2 )
(PbTe) 0.22
bərk məhlulunun (T) xüsusi müqavimətinin temperatur asılılığı verilmişdir. 100
200 300
1,8 2,0
2,2 2,4
2,6 2,8
, Om.cm
T (K)
Şəkildən görünür ki, PbTe əlavə edilməsi xüsusi müqavimətin qiymətinin təxminən 2 tərtibdən çox azalmasına gətirib çıxarır. Biz düşünürük ki, bu azalma əlavə elektroaktiv aşqar mərkəzlərinin əmələ gəlməsi ilə əlaqədardır. AgSbSe 2 ) 0.8 (PbTe)
0.2 bərk məhlulunun termoelektrik hərəkət qüvvəsinin ilkin tədqiqi də bu əlavə elektroaktiv aşqar mərkəzlərinin donor təbiətli olmasını deməyə imkan verir.
IV INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 82
Qafqaz University 29-30 April 2016, Baku, Azerbaijan PHYSICAL PROPERTIES OF R-F SPUTTERED ITO AND ELECTROCHEMICALY DEPOSITED ITO/CdS THIN FILMS J.A.GULİYEV, G.KH.MAMEDOVA, SH.O.EMİNOV, KH.D. JALİLOVA, A.A.RAJABLİ, N.J.ISMAİLOV Institute of Physics NAS Azerbaijan ceferqulyev@box.az AZƏRBAYCAN In the current study, we have fabricated nanostructures of Glass/IndiumTin Oxide (ITO) /Al 2
radio frequency (r-f) magnetron sputtering of both ITO and aluminum thin films with the electrochemical anodization of Al and electrochemical deposition of CdS thin films on glass/ITO substrate. Afterwards, it was simultaneously analyzed how the growth conditions and further annealing temperature affects the electrical and optical properties of ITO, CdS and AAO thin films. This was carried out in order to evaluate the contribution of an each component of Glass/ITO/AAO/CdS structure on properties of the whole system during the temperature treatments which it undergoes during fabrication of solar cell. ITO and Al thin films were prepared by using Leybold semi-automatic Z550 cathode sputtering system equipped with 2xPK150 magnetron sputtering cathodes with diameter 150 mm, one for DC and one for radio frequency (rf). ITO films have been deposited on 1.5x2 cm 2 dimension soda-lime glass slides by rf power using In 2 O 3 -SnO
2 target in Argon-Oxygen (Ar-O 2 ) mixture with various ratio of O 2 flow flux using Ar gas for 2 minutes for all samples. After deposition the films were annealed in tube furnace in air and Argon for 10 min at temperature 400°C. Aluminum films deposition was carried out on glass substrates that had been pro-coated with ITO layer without breaking the vacuum. Electrochemical anodization of Al was conducted in a simple, homemade two-electrode cell which was provided with electrical motor for intensive stirring of solution. For fabrication of AAOtemplates the glass-ITO-Al substrate (the anode) and an inert electrode (Pt-mesh) were placed opposite to each other in a 0.3 M oxalic acid solution. The process wasconducted under constant cell potential of 40 V at 3-5ºC and intensive stirring of solution for 5-10 min. depending on thickness of Al layer. Pore widening and barrier-layer etching were performed in an 5% orthophosphoric acid solution at 60ºC.In order to fabricate CdS thin films the glass slides covered by ITO layer used as working electrode, were cleaned in acetone ultrasonically. The electrolyte for CdS deposition was composed of 0.055M CdCl 2
dissolved in the solution at 150⁰C during 1 hour. Under dc electrodeposition condition, a constant current density of 15 mA/sm 2 was applied for 10-100 sec. Glass-ITO substrate was mounted vertically on the beaker containing the solution. After the deposition was complete, the substrates were removed from the cell and were allowed to dry in air. The dried samples were rinsed with acetone with aim to remove the excess Sulfur from the surface and finally dried.The samples were then dipped in saturated CdCl
2 in methanol solution and annealed in air at 400°C for 10 minutes. The aim of this step was to facilitate the recrystalization and purification of CdS films and condition the surface prior to CdTe deposition. The EDX spectra and Raman spectrum of CdS thin film obtained in backscattering geometry by using con-focal measurement system at room temperature. The sample is exhibit relatively sharp crystal-like peaks at 300 cm -1 and 600 cm -1 corresponding to the 1LO and 2LO phonon modes correspondently. The FWHM (full-width half-maxima) of Raman peak at the 1LO phonons was estimated to be 40 cm -1 .
devices such as nanostructured solar cells and supercapacitors, as well as thin films manufacturing, they are likely to be interest to the researchers in the field of material sciences, nanotechnology, applied physics and electronic engineering.
Yüklə 22,28 Mb. Dostları ilə paylaş:
|