D. R. Djurayev, A. A. Turayev, sh sh. Fayziyev, B. A. Hikmatov

Amorf va polikristall qatlamlarining qayta kristallanishi.
Epitaksial 
teхnologiya yarimo’tkazgichli asboblar yaratilishida katta o’zgarish qildi. Ammo 
uning ba’zi kamchiliklari bor. Bu jarayonlarda yuqori temperatura tutib turilishi 
zarur, u esa pardadan (epitaksial qatlamdan) taglikka va aksincha kirishmalar qayta 
taqsimlanishiga olib keladi, oqibatda kirishma zichligi chegarasi keskin bo’lmaydi. 
Bunday kamchiliklar lazerlar yordamida bartaraf qilinishi mumkin.
 
Polikristall yoki amorf qatlamlarni qayta kristallash yo’li bilan epitaksial 
pardalar olish teхnologiyasining kelajagi bor. Bu usulga ko’ra, dastlab past 
temperaturada “tayyorlama” qatlamlari o’tkaziladi, keyin esa 
qattiq fazali
kristallash 
orqali monokristallik qatlamlar shakllanadi. Oqibatda parda – taglik 
chegaralari keskinlashib qattiq fazali qayta kristallash barcha bosqichlarda o’ta 
yuqori vakuum bo’lishini talab qiladi. 
Agar lazer nurlanishi quvvati va uning nurini siljitib borish tezligi amorf 
qatlamni monokristallik taglikkacha suyultirishga yetarlik bo’lsa, bu jarayon 
normal sharoitda kechishi mumkin. Yuqori chastotada changlab o’tqazilgan 440 
nm qalinlikdagi amorf germaniy qatlamini 
suyuq 
fazadan qayta kristallash yo’li

---

207 
bilan yuqori sifatli monokristallik qatlam hosil qilinadi. Bunda ishlatiladigan argon 
lazeri nurlanishi quvvati 9 Vt, siljib borish tezligi 200 sm/s. Jarayon vaqti kichik 
bo’lgani natijasida kirishmalar pardadan taglikka va aksincha o’ta olmaydi.
Impulsli lazerlardan foydalanganda vakuumda qatlamlarni (changlatib) 
o’tqazgandan keyinoq havoda qayta kristallash yo’li bilan yuqori sifatli kremniy 
avtoepitaksial qatlamlari hosil qilinadi. Lazer ishlovi tufayli germaniyning kremniy 
taglikka va kremniyning sapfir taglikda