Microsoft Word Materiallar Full Mənim gənclərə xüsusi

II INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 

77 

 Qafqaz University                         

          18-19 April 2014, Baku, Azerbaijan 

seçildikdə çox dəqiqolmaqtələbolunur, başqasözləhissəcikləriayıranmühit «yumşaq» vəkontaktsızolmalıdır. Nəhayət, 

bumetodxaricitəsirlərnəticəsindəorqanizmdəəmələgələnbəzipatolojidəyişiklikləringöstəricisikimiistifadəolunabilər. 

Biolojihissəciklərin ayrılması  və  təmizlənməsi, yüksək molekullu birləşmələrin fraksiyalara ayrılması üçün bio 

texnologiyada geniş istifadə olunan SPİS-dəfazalaraayrılmanın, maddələrinhəminsistemlərinfazalarıarasındaqeyri-bərabər 

paylanmasının mexanizminin molekulyar aspektləri tam araşdırılmamışdır. Beləki, SPİS-in komponentləri arasındakı 

qarşılıqlı təsirin xarakteri haqqında elmi ədəbiyyatda olan fikirlər mübahisəlivəbəzəndəziddiyyətlidir.  

Kiçikmolekullu birləşmələrin, o cümlədən, müxtəlif  şəkərlərin, spirtlərin, karbamid və bu növ digər maddələrin 

polimer-su sistemlərinin fiziki-kimyəvi xassələrinə  təsirinin sistemli tədqiqi bu sistemlədə qarşılıqlı  təsir problemlərinin 

izahına və faza keçidlərinin öyrənilməsinə geniş imkanlar yaradır. Bu tədqiqatları aparmadan iki polimerin və ya polimerlə 

hər hansı duzun sulu qarışığında ikifazalı sistemin alınması barədə Məsimov və Zaslavski tərəfindən, eləcə də Bolognes və 

digərləri tərəfindən verilmiş hipotezləri nə təsdiq, nə də inkar etmək mümkündür. Bu birləşmələrin təsirini öyrənməklə həm 

də polimer-su iki fazalı sistemlərində paylanma metodunun tətbiq imkanlarını genişləndirmək olar. 

Təqdim olunan işdə dekstran-PEQ-su ikifazalı sisteminin binodalına karbamidin və digər  əlavələrin eyni zamanda 

təsiri tədqiq olunmuşdur. Şəkil 1-də karbamidin və kalium sulfat duzunun eyni zamanda iştirakı ilə qurulmuş dekstran-PEQ-

su ikifazalı sisteminin binodal əyriləri verilmişdir. Kalim sulfat duzu suyu strukturlaşdırdığından fazalara ayrılma onun 

iştirakı ilə komponentlərin daha kiçik konsentrasiyasında, karbamidlə eyni zamanda isə polimerlərin nisbətən böyük 

konsentrasiyasında baş verir. Məlumdur ki, karbamid suda və sulu məhlullarda molekullar arası qarşılıqlı  təsirləri  əsaslı 

surətdə dəyişərək onların strukturunu dağıdır. Karbamidin suyun strukturunu dağıtması mexanizmi, suyun strukturunun 

Şək.1 Dekstran-PEQ-suikifazalısistemininhaldiaqramınakarbamidin və K

2

SO

4

 duzunun eyni zamanda təsiri: 

(t=20°C; 1(▪)-karbamid+duz (C

karbamid

 = 2,0 mol/l vəK

2

SO

4

 (0,1mol/l)); 1(○)-karbamid+duz (C

karbamid

 = 2,0 

mol/l vəK

2

SO

4

 (0,2mol/l)); 2-təmizsu); 3 - K

2

SO

4

 (0,2mol/l). 

 

 

 

 

 

temperaturunartmasınəticəsindədağılmasımexanizmdənfərqlənir. Vandanaya [5] görəpolietilenqlikolunsuməhlullarında 

PEQ-inmakromolekulununətrafındakıstrukturununkooperativşəkildədağılmasıkarbamidinkonsentrasiyasının 2,0-4,0 

mol/lqiymətlərindəözünügöstərir. Qeydolunanlarınəzərəalaraq [5]-dədekstran-PEQ-su, dekstran-PVPD-suvədekstran-PVS-

suikifazalısistemlərinəkarbamidin (konsentrasiyanın 2

4 mol/lintervalında) təsiritədqiqedilmişdir. 

Alınannəticələrgöstərirki, hər üç sistemdə karbamidin əlavə olunması  və onun miqdarının artırılması temperaturun 

artırılmasına analojidir (hərikihaldabinodallareyniistiqamətdəsürüşürlər). Karbamidinkonsentrasiyasıartdıqcasistemlərin 

fazalara ayrılması üçün polimerin konsentrasiyasıdahaböyükolmalıdır. Qeydetməklazımdırki, karbamidi əlavə etdikdə  və 

onun konsentrasiyasınıartırdıqdatemperaturunartmasınaanolojiolaraqhəmbinodallarınsürüşmə istiqaməti, həmdə faza 

diaqramının kritik nöqtəsindəfazaəmələgətirənpolimerlərincəmkonsentrasiyasınınartması və bu tendensiyanın bütün tədqiq 

olunan sistemlər üçün eyni olması, fazalara ayrılma prosesində suyun strukturunun həll edici rolu haqqında irəli sürülən 

hipotezin birdahatəsdiqolunmasıdır.  

Eyni zamandaikifazalıdekstran-PEQ-suikifazalısistemlərdəfazalaraayrılmaprosesinəbirsıraşəkərlərlə karbamidin eyni 

zamanda təsiriöyrənilmişdir. Alınannəticələrgöstərirki, saxarozavəqlükozanınöyrənilənsistemədaxil edilməsi binodal 

əyrilərini koordinatbaşlanğıcınatərəfsürüşdürür, başqasözləsistemdə fazalara ayrılma prosesi fazaəmələgətirən polimerlərin 

daha kiçik konsentrasiyalarında baş verir. Sisteməmannozavəmaltozanındaxiledilməsibinodaləyrisininyerinipraktikiolaraq 

dəyişdirmir. Alınannəticələrinşəkərlərinsuyunstrukturunatəsirinəaidelmiədəbiyyatdaolannəticələrlə müqayisəsi göstərir ki, 

fazalara ayrılmaprosesindəəsasroluikisustrukturununyaranmasıoynayır. 

II INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 

78 

 Qafqaz University                         

          18-19 April 2014, Baku, Azerbaijan 

HELIUM NEON LAZERLƏRI VƏ ONLARIN TƏTBIQ OLUNMA IMKANLARI 

 

SərxanHÜSEYNOV 

Azərbaycan Texniki Universiteti 

[e-mail] 

AZƏRBAYCAN 

 

Lazerlər içərisində  ən geniş yayılmış olan, həyəcanlanmış ion atomlarında işləyən helium-neon (He-Ne) atomar 

lazeridir. Nakaçka nazik 5÷10:1 kapilyarda, ümumi 133 Pa təzyiqdə pitildəyən boşalmanın köməyilə həyata keçirilir. Lazer 

görünən və infraqırmızı  (İQ) spektrlərinin çoxlu xətlərində (200-dən cox) işləyə bilir. Lakin ən intensiv dalğa uzunluğu 

632,8 nm, 1152,3nm və 3391,2 nm olan xətlərdir. Energetik səviyyələrin sxemləri 1 şəklində verilib. 

 

 

Şəkil 1. Helium- neon lazerinin energetik səviyyələrinin sxemi. 

Helium metastabil, enerjini yaxşı toplayan 9–səviyyəyə malikdir. Helium və neon arasında enerji qıtlığı 300 sm

-1

 təşkil 

edir. Aşağı lazer səviyyələrinin boşalması toqquşmalar, (o cümlədən qazboşalması borusunun divarı ilə) hesabına baş verir. 

Konstruksiyadan asılı olaraq çıxış gücünün səviyyəsi (əsasən aktiv elementin uzunluğu və diametri) millivoltun 

hissələrindən yüzlərlə qiymətə  qədər olur. λ=632,8 nm xətti üçün, aktiv element vahidindən alınan  şüalanma enerjisinin 

məxsusi gücü 50 Vt/m olur. Məxsusi güçün belə qiymətini almaq və lazerin stabil generasasiyasına nail olmaq üçün 

λ=3391,2 nm–ya uyğun generasiya sıxışdırlmalıdır ki, bunun üçün də komersiya və laboratoriya işlərində geniş tətbiq edilən 

müxtəlif vasitələrdən istifadə edilir. Stabil şüalanma parametrləri almağa imkan verən  ən sadə  və sanballı, lazer 

güzgülərinin interferensiya örtükləri texnologiyasından istifadə edilməsidir. Bu örtük işçi dalğa uzunluğunda yüksək və 

onunla rəqabətdə olan dalğa uzunluğunda isə kiçik əks olunmanı yarada bilir.  

Bu yol kifayət qədər güclü, geniş diapozonlu dalğa uzunluğu, diaqnostikanın və terapiyanın çoxlu məsələlərini həll 

etməyə imkan verən He-Ne lazerinin yaradılmasına imkan verir.  Modifikasiyalarından asılı olaraq lazerlər yalnız eninə 

modlar (TEM

00

) və ya çoxlu modlar (TEM

mm

)-da işləyə bilər, xətti və ya təsadüfi polyarlaşmaya malik olur, bir və iki dalğa 

uzunluğunda  şüalandıra bilər və dalğa uzunluqlarına köklənə bilər. Güzgülər konkret şüalanma xəttinin generasiyası üzrə 

optimallaşdırılır. Az gücləndiricili xətlərdə generasiya əldə etmək üçün güzgü λ=632,8 nm və  λ=3391,2 nm dalğaları ilə 

işıqlandırılmalıdır. Güzgüləri dəyişməklə λ=632,8 nm rejimində işləyən lazeri istənilən başqa lazerə çevirmək olur. Dalğa 

uzunluqlarının yenisi ilə əvəz olunmasına güzgülərin dəyişdirilməsi ilə nail olunur. Amma güzgülərin dəyişdirilməsi üsulu 

həmişə  əlverişli deyil. Ona görə  də enli zolaqlı güzgülərdən istifadə edilir. Bu güzgülər rezanator daxilindəki dispersiya 

elementinin göndərilməsi ilə eyni zamanda bir neçə xətdə generasiyanı təmin edir.  

Beləliklə, ЛГН-215 tip lazerlərin aktiv elementinin dolmasını dəyişdirmədən eyni zamanda 5 dalğa uzunluğunda 632,8 

nm ətrafında ümumi gücü 5 MBt –a qədər olan generasiyalar almaqla dalğa uzunluqları və müvafiq güclər nisbəti aşaıdakı 

kimidir: 633: 612: 640: 629: 635 nm; 1,0:0,5: 0,4: 0,1: 0.1 mBt. 

Rezonator daxilində dönə bilən prizmalardan istifadə edilməsi 8 dalğa uzunluğunda ardıcıl generasiyaya imkan verir. 

Yenə də 632,8nm ətrafında (543,3 ÷730,5 nm) güc 30 mVt –a qədər, 1152,3 ətrafında (1079,8 nm; 1084,4 nm,1140,9nm; 

1160,1 nm; 1161,4nm; 1146,7 nm; 1198,6 nm) güc millivatın bir neçə hissəsindən bir neçə millivata qədər olur. Dalğa 

uzunluqlarının yenidən düzülməsinə rezonatorun uzunluğunu dəyişdirməklə  də nail olmaq olar. Helium –neon lazerləri  

daha uzun dalğalarda işləyə bilər. Məsələn, 5404,8 nm (0,1 mBt) dalğasının generasiyası mümkündür.  

Ümüumiyyətlə, He-ne lazerləri 57mkm-ə  qədər olan şüalanmanı generasiya edir, şüalanma parametrlərinin yüksək 

stabilliyi və istifadə müddətinin çox (100 min saata qədər) olması ilə xarakterizə edilir. Seriya ilə buraxılan lazerlərin çıxış 

II INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 

79 

 Qafqaz University                         

          18-19 April 2014, Baku, Azerbaijan 

siqnallarının qısamüddətli fluktuasiyaları adətən bir neçə faiz təşkil edir. He-Ne lazerləri xarici və ya daxili güzgülü 

buraxılırlar. He-Ne lazerlərinin müasir konstruksiyaların  əksəriyyəti üçün aşağı eninə modlar rejimi TEM

00

 xarakterikdir. 

Bu halda intensivliyin eninə paylanması Qauss paylanmasına yaxın olur. He-Ne lazerləri üçün selin diametri 0,5÷2,0 mm 

olur (λ=632,8 nm). He-Ne atomar lazerinin xarakteristikası dalğa uzunluğu λ=3391,2 nm olan lazerin xarakteristikasına çox 

oxşayır. He-Xe lazeri spektron İQ oblastında 2026,2 nm, 3508,0 nm, 3869,7 nm və 5575,4 nm dalğa uzunluqlarında işləyir, 

çox yüksək güclənməyə, dar generasiya xəttinə və λ=3508 nm dalğa uzunluğunda kiçik 10 mBt gücə malikdir. He-Ne və 

He-Xe lazerləri bir sıra üstünlüklərə malik olsalar da onların çatışmazlıqları da var. Faydalı iş əmsalının kiçik olması 0,1 % 

tərtibində  və  çıxış gücünün səviyyəsinin aşağı olması . atomar impuls lazerlər nisbətən yüksək F.İ.Ə.-nə  və orta güc 

səviyyəsinə malik olur.  

 

 

SILAR ÜSULU ILƏ AG2S NAZIK TƏBƏQƏLƏRININ  ALINMASI 

 

Mehmet Nazim TOLA 

 Qafqaz Universiteti 

[e-mail] 

AZƏRBAYCAN 

 

   Nanotexnologiyada  geniş istifadə edilməsi gözlənilən nazik təbəqələr (nanofilmlər) cihaz və qurğuların  əsas funksional 

matərialları kimi hərtərəfli tədqiq olunurlar. Bu sistemlərə göstərilən maraq alınma texnologiyalarının asan və ucuz olması 

ilə  əlaqadardır. Cihazqayırmada istifadə edilən nanotəbəqələrin arzuədilən xassələrinin optimallaşdırılması, istehsal 

xərçlərinin azaldılması matərialşünaslığın əsas məsələlərindən biridir.       

      Son  illərdə geniş    tətbiq olunmağa başlayan SILAR (successive Ionic Layer Absorption and Reaction) metodu, ion 

təbəqələrinin  çökdürülərək müxtəlif  səthlər üzərində  reaksiyasıya girməsinə  əsaslanır. Bu metodla metal və ya 

yarımkeçirici səthlər uzərində  müxtəlif nazik təbəqələr almaqla ,  günəş panelləri və  digər  geniş foto-elektrooptik 

xassələrə malik materiallar  istehsal etmək mümkündür. SILAR üsulu CBD (Chemical bath deposition) kimyəvi çökdürmə 

üsulunun təkmilləşdirilmiş variantı kimi qəbul edilə bilinər. Bu səbəbdən  SILAR üsuluna eyni zamanda M-CBD (Modified 

Chemical Bath Deposition)  üsulu da deyilir.   

     SILAR üsulu digər üsullara görə daha ucuz, sadə və böyük səthlərə tətbiq etmək nöqteyi-nəzərindən bir çox üstünlüklərə 

məxsusdur. Bu üsul ilə dielektrik, yarımkeçirici, metal səthlər üzərində nazik təbəqələr  otaq temperaturunda  və ona yaxın 

olan temperaturlarda əldə edilə bilinər,  hər hansı bir mərhələsində vaakuumlanma tələb olunmur,  məhlululun molyar tərkib 

nisbətini və altlığın qalınlığını, çökdürmə dövrünü dəyişməklə texnoloji prosesin idarə edilməsi v.s. bu üstünlüklərdəndir. 

Texnoloji proseslərin otaq temperaturunda başverə bilməsi, istifadə olunan materialların ucuz və asan əldə edilən  olması, 

bu üsulla alınan materialların  maliyyə xərclərini köklü   şəklində azaldır. 

        Bu üsulla nümunə əldə edərkən, təbəqənin qalınlığını  və digər xüsusiyyətlərıni müəyyənləşdirən faktorlar  məhlulların  

başlanğıc konsentrasiyaları, pH-ın qiyməti, reaksiyanın aparılma və  periodik yuyulma müddətləridir. 

        Altlıq  üzərində bir maddəni digər maddə üzərinə çökdürmə SILAR üsulunun əsasını təşkil edir və adsorbsiya yolu ilə 

realaşdırılır. Adsorbsiya, altlıq ilə ionlar arasında baş verən  ekzotermik prosesdir, məhluldakı  ionlarla altlıq arasındakı 

cazibə qüvvələri ilə əlaqədardır. Əvvəldən altlığın səthinə yapışan maddə (kationlar) ilə sonradan yapışan maddə (anionlar) 

arasında baş vərən reaksiya, nazik təbəqəni meydana çıxarır . 

      SILAR üsulu Ag2S nazik təbəqəsı əlde etmek üçün altlıq olaraq şüşədən istifadə olunur.75mmX10mmX2mm ölçülü 

şüşə əvvəlcə kimyəvi olaraq təmizlənib distilə olunmuş su ile yuyulur. Prosesə başlamazdan əvvəl 10 ml-lik 4 ədəd şüşə 

stəkan aşağıdaki kimi hazırlanır. Birinci stəkanda 0.05 M,  gümüş nitrat (AgNO3) məhlulu, ikinci stəkanda iki dəfə distillə 

olunmuş su, üçüncü stəkanda 0.4 M tioüre (CH4N2S) məhlulu və dördüncü stəkanda iki dəfə distillə olunmuş su olur.  

       Ag2S nazik təbəqəsini əldə etmək üçün şüşə, birinci stəkanda ki 0.05 M gümüş nitrat (AgNO3) məhluluna batırılaraq 

15 saniyə gözlədilir. Məhlulun içindəki gümüş ionları,  altlıq   səthinə yığılır. Sonradan şüşə, iki dəfə distilə edilmiş su ilə 

10 saniyə yuyulur. Bu prosesdə sərbəst qalan gümüş kationlar digər ionlarla birlikdə uzaqlaşdırılır.Sonrasında şüşə, 0.4 M 

tioüre (CH4N2S) məhluluna batırılaraq 15 saniyə gözlədilir. Sərbəst haldakı sulfid ionları daha əvvəl yığılmış gümüş ionları 

ilə reaksiyaya girir və şüşə üzərində Ag2S  nazik təbəqəsi alınır.Son mərhələdə şüşə və üzərindəki çöküntü yüksək saflıktaki 

suda təkrar yuyulur və sərbəst qalan ionlar uzaqlaşdırılır. 

    Bu addımlar təkrarlanaraq  məqsədəuyğun  şəkildə, arzuedilən qalınlıq  əldə edilənə kimi davam etdirilir.30 dövr sonunda 

təqribən 240 nanometr qalınlıqda Ag2S təbəqəsi meydana çıxır.   

 

 

II INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 

80 

 Qafqaz University                         

          18-19 April 2014, Baku, Azerbaijan 

ASPE  + Bi

2

Te

3

  KOMPOZİTLƏRİNİN DİELEKTRİK XASSƏLƏRİ 

Sevinc  SƏFƏROVA, Aysel HƏMZƏYEVA 

Azərbaycan Texniki Universiteti, Gəncə Dövlət Universiteti 

[e-mail] 

AZƏRBAYCAN 

 

Kristallaşmış polietilenlərə müəyyən miqdarda dispers əlavələrin vurulması, onların molekullarüstü qurluşlarının, 

kristallaşma dərəcəsinin, makromolekulların düzülüş  dərəcəsinin, polimerin struktur defektlərinin dəyişməsinə  səbəb olur 

ki, bu da öz növbəsində onların elektroaktiv (elektret, pyezoelektrik, antistatik), dielektrik,  elektrofiziki, sensor və digər 

xassələrini  kəskin dəyişir. Bu halda aşağı  sıxlıqlı polietilen sferolitlərin ölçülərinin azalması, kristallığın dəyişməsi, 

müxtəlif funksional qrupların və molekullarüstü qruplaşmaların yaranması gözlənilir. Qeyd etmək lazımdır ki, əlavələrin 

təbiətindən, ölçüsündən, paylanma xarakterindən asılı olaraq alınan polimer kompozit, elektrikkeçirici, antistatik və yaxud 

dielektrik ola bilir. Bu səbəbdən də polietilenə müxtəlif əlavələr edilməklə alınan kompozitlərin bu və ya digər elektroaktiv 

xassələri müxtəlif müəlliflər tərəfindən alınmış nəticələr müxtəlif cür şərh edilir. Məlum olduğu kimi elmi texniki tərəqinin 

müasir səviyyəsində ehtiyatı fasiləsiz olaraq azalmaqda olan metal və yarımkeçirici materialları layiqincə əvəz etmək üçün 

polimerlər və onların  əsasında alınmış kompozitlərin hərtərəfli tədqiq edilərək tətbiq olunma imkanlarının araşdırılması 

dövrümüz üçün  aktual problem hesab oluna bilər. Bu baxımdan son illərdə aşağı təzyiqli polimerlərə geniş tətbiqolunma 

imkanlarına malik 

2

TlInSe

 və 

2

TlGaSe

 birləşmələrdən əlavə etməklə alınan  kompozitlərdən yaşama müddəti adi, təmiz 

polimerlərin yaşama müddətindən dəfələrlə yüksək olan elektretlər artıq alınmışdır. Qeyd olunanlar baxımından bu tədqiqat 

işində  aşağı  sıxlıqlı polietlenə Bi

2

Te

3

doldurucusundan  əlavələr etməklə alınan kompozitlərin dielektrik xassələrinin 

öyrənilməsi xüsusi diqqətə layiqdir. Həmin istiqamətdə aparılan tədqiqat işləri kifayət qədərdir və bu tədqiqatların nəticələri 

praktikada müxtəlif təyinatlı qurğuların hazırlanmasında çox geniş miqyasda tətbiq olunur. Amma polimerlərə qeyri-üzvi, 

xüsusilə  də yarımkeçirici  əlavələr vurmaqla alınmış kompozitlərin tədqiqinə yalnız son illərdə başlanmışdır  və    həmin  

istiqamətdə  də samballı  tədqiqat işləri aparılmaqdadır. Bu tədqiqat işində  aşağı sıxlıqlı polietilenə  Bi

2

Te

3 

əlavə etməklə  

yeni kompozitlər alınmışdır. Matrisanın  və doldurucunun  stexiometriyaya uyğun miqdarları yüksək dəqiqliyə malik 

tərəzidə  çəkildikdən sonra hər iki komponent xüsusi qabda toz halına salındıqdan sonra bir-birinə qarışdırılır. Sonrakı 

mərhələdə  həmin qarışıq polimer matrisasının  ərimə temperaturunda, 10÷15mPa təzyiqdə, alüminium folqa arasında 

preslənir və  nəticədə  100 mkm qalınlıqlı nazik təbəqə  şəklində nümunələr alınır. Nümunələr suda sürətlə soyudulur və 

folqa kənarlaşdırılır. Nümunənin polyarlaşdırılması tac boşalması üsulü ilə  həyata keçirilir, çünki bu üsulda enerji itkisi 

daha azdır. Bunun üçün yüklənmiş dielektrik səthdən müəyyən məsafədə yerləşdirilmiş iti uclu elektrodlardan istifadə 

olunur. Həmin iti uclar arasında qığılcım boşalması yaranır, hava ionlaşır, elektron və ion yükdaşıyıcılarının elektretin 

səthinə yerdəyişməsi baş verir. Kompozit təbəqənin polyarmaşması 6kV sabit gərginlikdə, 5 dəqiqə müddətində  həyata 

keçirilir. Alınmış kompozitlərin dielektrik xassələrini ölçmək üçün 

)

(

,

)

(

T

tg

t





   asılılıqları 5,10 və 15 həcm % Bi

2

Te

3

 

əlavəli nümunələrdə aparılmışdır. Şəkil 1-dən göründüyü kimi tərkibdə 5 və 10 həcm % Bi

2

Te

3

 olan nümunələrdə 25-150 

0

C 

temperatur intervalında dielektrik nüfuzluğunun və dielektrik itki bucağının praktiki olaraq sabit qalması müşahidə edilir. 

Kompozitin tərkibində Bi

2

Te

3

  əlavəsinin miqdarı 15 həcm %-ə çatdıqda 60 

0

C ətrafında dielektruik nüfuzluğunun 2,5 dəfə, 

dielektrik itki bucağının 7,5 dəfə artması müşahidə edilmişdir. Təqdim olunan işdə ASPE+Bi

2

Te

3

 kompozitlərinin  

dielektrik nüfuzluqlarının və dielektrik itki bucağının  tezlikdən asılılıqları da öyrənilmişdir. Göstərilən tip kompozitlərinin  

dielektrik nüfuzluqlarının və dielektrik itki bucağının tezlikdən asılılıqları şəkil 2-də verilib. 

 

Şəkil1.ASPE  +xhəc.% Bi

2

Te

3

 kompozitlərinin dielektrik nüfuzluqlarının (



)və tangens itki bucaqlarının (



tg

 ) 

temperatur asılılıqları. 

II INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 

81 

 Qafqaz University                         

          18-19 April 2014, Baku, Azerbaijan 

 

ASPE+Bi

2

Te

3

 kompozitlərinin dielektrik nüfuzluqlarının və tangens itki bucağının tezlik asılılığının tədqiqatının 

nəticələrinin təhlili göstərmişdir ki, tezliyin  dəyişməsindən asılı olmayaraq dielektruik  nüfuzluğu praktik olaraq dəyişmir, 

amma dielektrik itki bucağının əvvəlcə artması, sonra isə azalması müşahidə edilir. Tərkibdə  Bi

2

Te

3

 –ün  miqdarı artdıqca 

dielektruik nüfuzluğu və dielektrik itki bucağı ədədi qiymətcə  artması dipolların gecikməsi və polyarlaşmada iştirak edən 

hissəciklərin sayının artması, yəni, polyarlaşma prosesinin yaxşılaşması ilə əlaqədardır. 

 

 

Şəkil 2.ASPE  +xhəc.% Bi

2

Te

3

 kompozitlərinin dielektrik nüfuzluqlarının (



)və tangens itki 

bucaqlarının (



tg

) tezlikdən asılılıqları 

II INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 

82 

 Qafqaz University                         

          18-19 April 2014, Baku, Azerbaijan 

         

 

 

II INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 

83 

 Qafqaz University                         

          18-19 April 2014, Baku, Azerbaijan 

 

18-19, April 2014, Baku, Azerbaijan 

 

 

PROCEEDINGS 

SECTION I 

NATURAL SCIENCES 

 

 

MATHEMATICS 

 

 

 

 

 

 

 

II INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE OF YOUNG RESEARCHERS 

84 

 Qafqaz University                         

          18-19 April 2014, Baku, Azerbaijan 

DÖRDÜNCÜ TƏRTİB BİR REQULYAR SƏRHƏD MƏSƏLƏSİNİN  

BƏZİ SPEKTRAL XASSƏLƏRİ 

 

Akif TALIBOV 

Qafqaz Universiteti 

[e-mail]

 

 

İşdə aşağıdakı spektral məsələyə baxılır:  

),

1

,

0

(

),

(

)

(

)

4

(





x

x

y

x

y



                                                                                (1) 

0,

=

)

0

(

(0)

(1)

y

y

y













                                                                       (2a) 

0,

=

)

0

(

)

0

(

(1)

y

y

y











                                                                       (2b) 

0,

=

(0)

(1)

y

y







                                                                                              (2c) 

0,

=

(0)

(1) y

y



                                                                                             (2d) 

burada 

C





– spektral parametr





,

 kompleks sabitlərdir. 

Əgər 

4









 işarə etsək, onda (1) tənliyi  

),

1

,

0

(

),

(

)

(

4

)

4

(





x

x

y

x

y



                                                                              (1') 

şəklinə düşər.

 

Kompleks 





müstəvisini  

8

)

1

(

arg

8















 

bərabərsizlikləri ilə təyin edilən 8 sayda 

7

...,

,

2

,

1

,

0

,







S

 sektorlarına bölək. Qeyd edək ki, (1) və ya (1') tənliyinin 

həllərinin asimptotikası 





nun hansı 



S

 sektorunda yerləşməsindən mühüm asılıdır. 

1



ədədinin 4-cü dərəcədən müxtəlif köklərini  

4

3

2

1

,

,

,









 ilə  işarə edək. Aydındır ki, 

,

4





j

k

i

j

e



burada 

}.

7

,

5

,

3

,

1

{



j

k

 

 

Məlumdur ki, hər bir 



S

sektoru üçün  

4

3

2

1

,

,

,









 ədədlərinin elə yerləşməsi var ki, ixtiyari 





S



 

ədədi üşün  

)

Re(

)

Re(

)

Re(

)

Re(

4

3

2

1

















(1) 

bərabərsizliyi ödənilir [1]. Asanlıqla yoxlamaq olar ki, 

0

S

sektoru üçün 

,

4

3

1





i

e



,

4

5

2





i

e



,

4

3





i

e



4

7

4





i

e



  götürsək,  ixtiyari 





S



 ədədi üçün (1) bərabərsizliyi ödəniləcək.  

Göründüyü kimi (2) sərhəd şərtləri normallaşdırılmış sərhəd şərtləridir. (2) sərhəd şərtləri üçün  

,

3

,

1

1

1

1







k





 

,

2

,

1

2

2

2







k





 

,

1

,

1

3

3

3







k





 

.

0

,

1

4

4

4







k





 

(1)   tənliyinin tərtibi 4 olduğundan