ƏDƏBİYYAT
1.
R. N. Məmmədov Ali riyaziyyat kursu III h. Maarif, 1999.
2.
O.B. Maнтуров, Н. М. Матвеев.
ABSTRACT
During the work the theory of dislocation is usedsolution of many issues of analysis
that is applied widely.
Here are computed the dislocations of the functions accordinq to the threedesiqned
polyus, but at the same time the special point, twodesiqned polyus and simple polyus.
РЕЗЮМЕ
В решениях многих вопросов анализов в широком масщтабе используется из теории
выстуров.
Здесь в отнощениях трехразработанного польюса одновременно и специальная
точка, двух разработанный польюс и простой рольное нашли свой решение в теории
выступов.
NDU-nun Elmi Şurasının 30 may 2015-ci il tarixli qərarı ilə çapa tövsiyə
olunmuşdur (protokol № 10)
Məqaləni çapa təqdim etdi: Riyaziyyat üzrə fəlsəfə doktoru, dosent T.Nəcəfov
-
42 -
NAXÇIVAN DÖVLƏT UNİVERSİT ET İ. ELMİ ƏSƏRLƏR, 2015, № 9 (65)
NAKHCHIVAN ST AT E UNIVERSIT Y
.
SC IENTIFIC WO RKS, 2015, № 9 (65)
НАХЧЫВАНСКИЙ ГОСУДАРСТ ВЕННЫЙ УНИВЕРСИТ ЕТ . НАУЧНЫЕ ТРУДЫ, 2015, № 9 (65)
FİZİKA
ФАРМАН ГОДЖАЕВ
МУБАРИЗ НУРИЕВ
Нахчыванский Государственный Университет
САМИРА ГОДЖАЕВА
Нахчыванский Государственный Технический Колледж
УДК:
538.97
ЭЛЕКТРОННЫЙ МЕХАНИЗМ СВЕРХПРОВОДИМОСТИ В ТОНКИХ
ПОЛУМЕТАЛЛИЧЕСКИХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНКАХ
Açar sözlər : nazik təbəqə, ifratkeçiricilik, kuper cütləri, elektron mexanizmi.
Key words : thin layer, conductivity, Kuper pairs, Elektron mechanism
Ключевые слова : тонкая пленка, сверхпроводимость, Куперовские пары,
электронный механизм.
Явление сверхпроводимости в тонких полуметаллических и полупро-водниковых
пленках с квантованным спектрам имеет свои специфики в массивном образце.Это связано с
зависимостью электронной плотности состояний от толщины пленки и с особым характером
куперовского спаривания.
В последнее время возрос интерес к изучению механизмов сверхпроводимости.
Одним из которых является электронный механизм сверхпроводимости [1]. В этой модели
куперовское спаривание возникает благодаря Кулоновскому взаимодействию электронов из
различных групп. В массивном кристалле такой механизм связано с наличием перекры-
вающихся зон [2] , а в тонких пленках различными электронными группами являются
перекрывающиеся подзоны.Электронный механизм сверхпрово-димости в пленке
полупроводника в кратце изучены в работе [3]. В [1] для выяснения электронного механизма
сверхпроводимости принимается следующая модель тонкой полупроводниковой пленки.
Имеются две группы электронных состояний, причем минимум энергии электронов
.
min
.
1
первой подзоны лежит ниже минимума энергии
.
min
.
2
второй подзоны. Предполагается,
что химический потенциал для второй подзоны меньше нуля
0
2
и следовательно
электроны второй подзоны описываются распределением Больцмана.
В первой подзоне между электронами возникает дополнительное взаимодействие,
которое обусловлено Кулоновским взаимодействием электронов первой и второй подзоны,
т.с. в результате купоновского рассеяния на некотором электроне первой группы, электрон
из второй подзоны совершает виртуальный переход в возбужденное состояние ; обратный
переход его сопровождается изменением состояния другого электрона из первой подзоны.
В отлтчие от обычного случая в электронном механизме, постоянная, описывающая
эффект межэлектронного взаимодействия, является функйией температуры. Это связано с
температурной зависимостью поляризационного оператора.
Авторы работы [1] дают два значения температуры перехода ; верхний
кв
T и нижний
.
кн
T
, тоесть эффект сушествует в интервале температур
н
к
в
к
Т
Т
T
. Ниже
.
кн
T
сверхпроводимость отсутствует и обусловлено температурной зависимостью заселенностей
-
43 -
первой и второй подзоны. При условии
.
0
ин
T
T
электроны первой группы описываются
статистикой Больцмана, слабо взаимодействуют между собой и не образуют связанного
состояния.
В пленке полупроводника появление
.
кн
T более детально обсиждается в работе [4].
В случае полуметалла или вырожденного полупроводника электронная система
вырождена в обеих подзонах. В отличие от невырожденного случая здесь возможен переход
пар из одной подзоны в другую. Вражение для температуры перехода в данном случае имеет
вид:
12
11
2
2
exp
g
g
m
L
E
T
L
c
к
(1)
где
k
T
T
|
1
2
;
1
и
2
- есть собственно энергетических часть ;
11
g - постоянная связи
внутри первой подзоны ;
12
g - постоянная связи первой и второй подзоны ;
c
E
- среднее
значение интервала энергии, описывающее выртуалные электронные переходы.
Как видно из формулы (1)
к
T увеличивается с уменьшением толщины пленки. Это
связено с зависимостью от
L
плотности состояний и кроме того, сами постоянные
входящие в формулу, зависят от
L
, что также приводит к росту
к
T с уменьшением
L
.
В работе [ 5] автор после расчетов пришел к выводу, что для обнаружения
электронного механизма сверхпроводимости целесообразно использовать уже известные
упорядоченные сплавы с достаточно высокой
K
T
к
18
10
и непольным изотопическим
эффектом.
Можно предпологать что, эти два обстаятельства указывают на наличие наряду с
фононым и электронный механизм. Изменяя концентрацию компонентсплавав в тонких
плёнках, или давление, можно повидимому добиться увеличения постоянной
взаимодействия для электронного механизма и следовательно увеличить температуру
перехода. Подробный анализ теории и эксперимента
к
T сверхпроводимости в тонких
пленках приводится в работах [6,7,8].
Увеличение
к
T в настоящего время, в основном наблюдалась на мелкозернистных и
аморфных пленках различных веществ.
В заключение можно сказать, что при обычном фононном механизме переход от
массивного образца к пленке приводит, вообще говаря к монотонному росту критической
температуры.
Согласно теории в случае существования электронного механизма температура
перехода также должна увеличиваться. В месте с тем возможен и такой случай, когда
массивный
несверхпроводник
в
пленочном состоякию будет обнаруживать
сверхпроводимость. Рассмотриваемый электронный механизм приводит к отсутствию
изотопического эффекта, а в сочетании с фононным механизмам – к зависимости его от
толщины пленки.
Следует также отметит, что ни одна из предложенных к настоящему времени
моделей сверхпроводимости не получила однозначного потверждения. С другой сторону
устоновлено, что увеличение критическое температуры обусловлено в большинство случаев
структурным беспорядком в пленках, которое приводят к высокой плотиности дефектов
решетки, большим внутренным напражением
2
10
/
.
10
~
см
дн
и значительным искажением
решетки.
ЛИТЕРАТУРА
1.Кресин В.З., Тавгер Б.А., ЖЭТФ, 1966,т.50, с.1689.
2.Гейликман Б.Т., ЖЭТФ, 1965, т.48, с.1194.
-
44 -
3.Киржинц Д.А.,Максимов Е.Г., Письма в ЖЭТФ, 1965,т.2, с.442.
4. Tavger B.A.,Kogan W., Phys Lett 1965, 19, c.353.
5. Гейликман Б.Т., ФТТ, 1966, т.8, с.2536 ; 1967,9(11), с.3359
6. Алиев Ф.Ю., Годжаев Ф.Р., Керимов и.Г., Крупников Е.С.
Отчет по исследованию сверхпроводимости в пленках полупро-
водников за 1966- 1970 г.г. Институт физики АН Азерб.ССр.
7. Чопра К.Л.,Электрические явления в тонких пленках. М., 1972.
8. Алекссевский Н.Е., УФН, 1968,т.95(2),с.253.
XÜLASƏ
Yarımmetal və yarımkeçirici nazik təbəqələrdə ifratkeçiriciliyin
elektron mexanizmi
İşdə nazik təbəqələrdə ifratkeçiriciliyin elektron modeli geniş şərh edilmişdir. Müəyyən
edilmişdir ki, bu modeldə Kuper cütlərinin yaranması müxtəlif qruplardan olan elektronların Kulon
qarşılıqlı təsiri hesabına baş verir.
ABSTRACT
The electron mechanism of extreme conductivity in half- metallic
and semiconductor thin layers
In study, thin layers the electron model of extreme conductivity has been interpreted widely.
It was found that in this model the formation of cooper pairs occurs due to the coulomb interaction
electrons from different groups.
NDU-nun Elmi Şurasının 30 may 2015-ci il tarixli qərarı ilə çapa tövsiyə
olunmuşdur (protokol № 10)
Məqaləni çapa təqdim etdi: Fizika üzrə fəlsəfə doktoru, dosent X. Həsənov
-
45 -
NAXÇIVAN DÖVLƏT UNİVERSİT ET İ. ELMİ ƏSƏRLƏR, 2015, № 9 (65)
NAKHCHIVAN ST AT E UNIVERSIT Y
.
SC IENTIFIC WO RKS, 2015, № 9 (65)
НАХЧЫВАНСКИЙ ГОСУДАРСТ ВЕННЫЙ УНИВЕРСИТ ЕТ . НАУЧНЫЕ ТРУДЫ, 2015, № 9 (65)
ŞƏMSƏDDİN KAZIMOV
FAİQ MİRİŞLİ
VALİDƏ HACIYEVA
SEVİNC NOVRUZOVA
Naxçıvan Dövlət Universiteti
UOT:532
FOTOELEKTRİK ÜSÜLLA ENERJİ ÇEVİRƏN GÜNƏŞ QURĞULARI
Açar sözlər: Günəş, enerji, çevirici, fotoelektrik
Key words: Sun, energy, changer, photovoltaic
Ключевые слова: Солнце, энергия,преобразование, фотоэлектрик
Muxtar respublikada il ərzində aparılan tədqiqat işləri göstərdi ki, təbii iqlim şəraitindən
istifadə etməklə alternativ yolla dayanıqlı enerji təminatı yaratmaq mümkündür. Əldə olunan
statistik və təcrübi məlumatların araşdırılması göstərdi ki, muxtar respublika ərazisində günəş
enerjisindən istifadə olunması iqtisadi cəhətdən əlverişlidir.
Yer kürəsinin səthinə düşən enerjisinin ümumi potensialı 2300 mlrd. ton şərti yanacaq
qədərdir və bu enerji mənbəyinin imkanlarından lazımınca istifadə edilmir. Aparılmış tətqiqatlardan
alınan nəticələr göstərdi ki, il üzrə ümumi günəş radioasiyasının miqdarı 2600-3200 saat/il olduqda
günəş elektrik stansiyaları il ərzində 8
.
10
6
kVt saat elektrik enerjisi hasil edir ki , bu da modul tipli
istilik elektrik stansiyalarında 2
.
10
6
kq şərti yanacağa qənaət etməyə imkan verir . Bu halda günəş
elektrik stansiyalarinın xüsusi sərfiyatı kifayət qədər kiçik olur , yəni 15% təşkil edir.
Naxçıvan MR bu istiqamətdə işlərin görülməsi və inkişafı üçün böyük potensiala malikdir.
Aparılan tətqiqatlar nəticəsində müəyyən olunmuşdur ki, respublikanın bir çox bölgələrində il
ərzində günəşli günlərin sayı 250 gündən çoxdur. Belə ki, burada günəşli günlərin sayı 3200 saata ,
orta dağlıq qurşaqda isə miqdarı 2800 saatdır.
Göründüyü kimi respublikanın ərazisinə düşən günəş şüalarının miqdarı digər dövlətlərlə
müqayisədə üstünlük təşkil edir ki, bu da ölkəmizdə günəş enerjisindən istifadənin təşkilinə geniş
şərait yaradır və səmərilik meyarlarından biri kimi qiymətləndirilir .
Günəşin şüalanma enerjisini birbaşa elektrik enerjisinə çevirən qurğular içərisində fotoelektrik
generatorları xüsusi əhəmiyyət kəsb edir.
Hazırda dünyada fəaliyyət göstərən günəş elektrik stansiyalarının iki növü daha geniş
yayılmışdır.
1. Qülləli: Belə stansiyalarda günəş şüaları əks etdirici müstəvi güzgülər vasitəsilə qüllədə
yerləşdirilmiş günəş qəbul edicisinə yönəldirilir.
2. Fotoelektrik günəş elektrik stansiyaları:
Fotoelektrik çeviricilərin iş prinsipi fotoelektrik hadisəsinə yəni elektromaqnit şüaların işığın təsiri ilə
maddələrdə baş verən elektrik hadisəsinə əsaslanır. Metal və qeyri-metallarda fotoelektrik hadisəsi
zamanı işığın təsiri ilə elektronun mühit daxilindən kənara çıxması xarici yarımkeçiricilərdə isə daxili və
ventil fotoelektrik hadisəsi yaradır.
Xarici fotoeffektə (fotoelektron emmissiyasına), yəni işığın təsiri ilə bərk və maye maddələrdən
elektronların çıxarılması hadisəsinə əsaslanan fotoelektrik çeviricilərinin f.i.ə. çox aşağı olduğundan
demək olarki, hazırda onlardan elektrik enerjisi hasil etmək üçün istifadə edilmir.
Elektromaqnit şüalanmanın - işığın təsiri ilə yarımkeçiricilərdə və dielektriklərdə elektronun
bağlı haldan kvazisərbəst hala keçməsi ilə əlaqədar olaraq fotoelektrik hadisəsi daxili fotoeffekt adlanır.
Daxili fotoeffekt mühitdə fotokeçiricilik və ya ventil effekti yarandıqda baş verir.
-
46 -
Hal-hazırda iki p və n tip yarimkeçiricilərdə ( p-n keçiddə ) yaranan foto e.h.q. geniş praktiki
əhəmiyyətə malikdir. Beləki, bağlı təbəqədə fotoeffektə əsaslanan fotoelementlər günəş batereyasında
tətbiq edilir.
Günəş batareyalarında günəşin şüalanma enerjisi elektrik enerjisinə çevrilir . Onun enerji
xarakteristikası yarımkeçirici materialın növü, günəş batareyasıının konstruksiyası və ondakı
elementlərin sayından asılıdır.
Fotoelektrik günəş elektrik stansiyaları modul tipli hazırlanır və günəş elementlərindən ibarət
modullar panelə yığılır. Modulların sayını artırmaqla istənilən gücü yaratmaq mümkündür.
Fotoelektrik günəş elektrik stansiyalarında gərginliyin və cərəyanın qiyməti onlardakı elementin
birləşmə üsullarından asılıdır. Belə ki, verilən cərəyana görə çıxış gərginliyini artırmaq lazım gəldikdə
günəş elementləri ardıcıl , verilən gərginliyə görə ardəcil tələb olunan cərəyan üçün isə paralel
birləşdirilir.
Hazırda fəaliyyət göstərən günəş elektrik stansiyalarını iki tipə ayırmaq olar :
1) Elektrik şəbəkəsinə qoşulanlar,
2) Avtonom fəaliyyət göstərənlər.
Fotoelektrik günəş elektrik stansiyaları bir sıra üstün cəhətləri ilə fərqlənir :
1) Elektrik enerjisi istehsalı zamanı ətraf mühit çirklənmir ;
2) Günəş şüalanma enerjisinin bierbaşa elektrik enerjisinə çevrilməsi (hərəkət edən mexaniki
hissələrinin olmaması fotoelementlərin etibarlı işini təmin edir) ;
3) Fotoelektrik çevricilərinə qulluq edilməsinin asan olması ;
4) İstər düz, istərsə də müəyyən bucaq altında düşən səpələnmiş günəş şüalarından istifadənin
mümkünlüyü və s.
Həm qülləli, həm də fotoelektrik GES-də ekeoloji baxımdan təmiz enerji hasil edilsə də,
yerləşdiyi ərazinin coğrafi enliyindən və ilin fəsillərindən asılı olaraq günəş şüalarının sıxlığının
müxtəlif olması ,sutka ərzindəki vaxtından və hava şəraitindən (axşam vaxtlarında və tutqun
havalarda)asılı olaraq işində fasiləlik,xüsusi kapital qoyuluşun (GES-in qoyuluş gücünun hər 1 Vt-na
sərf edilən kapital qoyuluşu)çox olması,hasil edilən enerjinin maya dəyərinin yüksək olması və s. GES-
lərin çatışmayan cəhətlərindəndir.
ƏDƏBİYYAT
1.Рывкин С.М.Фотозлектрические явлентя в полупроводникиках Физматгэ,1993
2.Мак-Бейг Д.Применние солнечной энергии.Под редакцией Б.В Тарниженского- Москва,1981
3. В.М.Андрев,В.А.Грилихес,В.А.Румянчев.Фото – Электрическое преобразование
кончентрированного солнечного излучения.Л.Наука 1989.
4.Термодинамические солнечнъıе электростанчии. Сборник научнъх трудов. Москва 1989.
5.в.м.андреев, в. А.грилихес,в. Д.румянцев фото- электрическое преобразование солнечного
излучения
ABSTRACT
Photovoltaic method that converts the solar energy devices
Solar radiation energy photovoltaic method to convert into electricity
РЕЗЮМЕ
Установки солнечной энергии превративший фотоэлектрическим способом
Преобразование установок солнечной энергии электрической энергии в методом
фотоэлектрическим способом.
NDU-nun Elmi Şurasının 30 may 2015-ci il tarixli qərarı ilə çapa tövsiyə
olunmuşdur (protokol № 10)
Məqaləni çapa təqdim etdi: Fizika üzrə fəlsəfə doktoru, dosent E.Ağayev
-
47 -
NAXÇIVAN DÖVLƏT UNİVERSİT ET İ. ELMİ ƏSƏRLƏR, 2015, № 9 (65)
NAKHCHIVAN ST AT E UNIVERSIT Y
.
SC IENTIFIC WO RKS, 2015, № 9 (65)
НАХЧЫВАНСКИЙ ГОСУДАРСТ ВЕННЫЙ УНИВЕРСИТ ЕТ . НАУЧНЫЕ ТРУДЫ, 2015, № 9 (65)
XANƏLİ HƏSƏNOV
Naxçıvan Dövlət Universiteti
UOT 621.315
XARİCİ ELEKTROMAQNİT SAHƏSİNDƏ QIRAQ YÜKLÜ DİSLOKASİYALI
YARIMKEÇİRİCİLƏRDƏ DEŞİKLƏRİN TEMPERATURUNUN TƏDQİQİ
Açar sözlər: deşik, yarımkeçirici, dislokasiya, rekombinasiya
Dostları ilə paylaş: |