3-cü kateqoriya
Elektronika
| | |
3 A
|
Sistemlər, avadanlıqlar və komponentlər:
| | |
|
Qeyd. 1. 3A001. a.3- 3A001.a.10. yarımbənd-lərində və ya 3A001.a12. yarımbəndində qeyd edilənlərdən fərqli və xüsusi hazırlanmış və ya həmin funksional xarakteristikaları olan 3A001 və ya 3A002 bəndlərində qeyd edilən avadanlıq və komponentlərin nəzarət statusu, başqa avadanlığın nəzarət statusuna görə müəyyən edilir;
2. 3A001.a.3- 3A001.a.9. və ya 3A001.a.12. yarımbəndlərində qeyd edilən, proqramlarının dəyişilməsi mümkün olmayan və ya başqa avadanlıq üçün konkret funksiyaların həll olunması üçün hazırlanmış inteqral sxemlərin nəzarət statusu həmin başqa avadanlığın nəzarət statusuna görə müəyyən edilir.
Xüsusi qeyd. İstehsalçı və ya sifarişçi başqa avadanlığın nəzarət statusunu müəyyən edə bilmədiyi hallarda, bu status
3A001.a.3-3A001.a. 9.a və 3A001.a.12. yarımbəndlərində qeyd edilən inteqral sxemlərinin nəzarət statusu ilə müəyyən edilir.
Əgər inteqral sxemi 3A001. a.3. yarımbəndində qeyd edilən «mikro EHM» silisium mikrosxemi və ya mikronəzarətçinin mikrosxemidirsə və operanda sözünün uzunluğu 8 və ya az bitdirsə, onda onun nəzarət statusu 3A001. a.3. yarımbəndinə uyğun müəyyən edilir.
| | |
3A001
|
Elektron komponentləri :
a. ümumi təyinatlı aşağıdakı inteqral mikrosxemlər:
Qeyd. 1. hazır lövhələrin(plastinlərin) və onların düzəldilməsi üçün konkret funksiyaları olan yarımfabrikatların nəzarət statusu 3A001. a. yarımbəndində qeyd edilən parametlərlə qiymətləndirilir.
2.«inteqral sxemləri» anlayışı aşağıdakı tipləri əhatə edir: «bərk cisimli interqal sxemlər»; «hibrid inteqral sxemlər»ni; «çoxkristallı inteqral sxemlər»; «təbəqəli inteqral sxemlər»; «silisium sapfirdə» tipli inteqral sxemlər; «optik inteqral sxemlər»
| | |
3A001, a, 1.
|
radiyasiyaya davamlı kimi layihələşdirilən və ya təyin edilən, aşağıdakılara davam gətirməyə qadir olan inteqral sxemlər: a. ümumi doza 5x103 rad (Si) (silisium) və ya yuxarı; və ya;b. dozanın gücü xəzil olana qədər 5x106 rad (silisium) /san. və ya yuxarı
|
854221
854229
| |
3A001, a, 2.
|
aşağıdakı hər hansı bir xarakteristikası olan «mikroprosessorlar mikrosxemləri», «mikro EHM mikrosxemləri», mikronəzarətçilərin mikrosxemləri, çoxkomponentli yarımkeçiricilərdə düzəldilən yaddaş mikro-sxemləri, analoq-rəqəmli dəyişdiricilər, «siqnalların işlənməsi» üçün hazırlanan elektro — optik və ya «optik inteqral mikrosxemləri», istifadəçi tərəfindən «çöl» tranzistorlarında
|
854221
| |
3A001, a, 2.
|
məntiq açarlarının proqramlaşdırılan matrisaları, neyron şəbəkələri üçün inteqral sxemlər, nəzarətin şamil ediləcəyi istehsalçıya məlum olmayan aparatlarda funksiyanı daşıyacaq və ya istifadə olunacaq fərdi sifarişlə hazırlanan inteqral sxemlər, tez Furye — çevirici prosessorları, elektrik proqramlaşdırılan daimi yaddaşda saxlayan qurğuların (DYSQ) inteqral sistemləri, ultrabənövşəyi silinmə ilə proqramlaşdırılan və ya statik yaddaşda saxlayan qurğular sərbəst seçmə ilə (SYSQSS) :
a.398K (+1250 C) ; b.218 K(-550 S) -dən aşağı; c.218 K(-550 C) -dan 398K(+1250 C) —ya qədər diapazonda ətraf mühit temperaturunda işləyən inteqral sxemlər.
Qeyd. 3A001.a.2 yarımbəndinə görə mülki avtomobillər və dəmir yolu lokomotivləri üçün inteqral sxemlərinə nəzarət edilnmir.
|
85422145
854221500 0
85422183
854221850 0
854260000 0
| |
3A001, a, 3, a
|
Qeyd. 3A001.a.3. bəndinə görə rəqəmli siqnalların prosessorlarına, rəqəmli matrisa prossesorları və rəqəmli sopressorları daxildir.
a. «Ümumi nəzəri məhsuldarlıq» (ÜNM) 6500 mln nəzarət əməliyyatları/saniyədə (Mlnəms) və ya daha çox və seçmə uzunluğu 32 bit və daha çox olan hesablayıcı-məntiqi qurğu
|
854221
| |
3A001, a, 3, b
|
yarımkeçirici birləşmələrindən düzəldilmiş və 40 Mhs-dən yüksək tezlikdə işləyən mikrosxemlər
|
85422145
854221500 0
85422183
854221850 0
854260000 0
| |
3A001, a, 3, c
|
150 Mbt/san-dən yüksək ötürmə sürətli mikroprosessor mikrosxemləri
|
85422145
854221500 0
85422183
854221850 0
854260000 0
| |
3A001, a, 4
|
yarımkeçirici birləşmələrindən düzəldilmiş yaddaş inteqral sxemləri
|
85422145
854221500 0
85422183
854221850 0
854260000 0
| |
3A001, a, 5
|
a.aşağıdakı xarakteristikaların hər hansı birinə malik olan analoji-rəqəmli və rəqəmli-analoji çeviricilər üçün inteqral sxemlər:
1. ayırdetmə qabliyyəti 8 bit və ya daha çox, lakin 12 bitdən az olan, 10nsan-dən az «tamçevrilmə müddəti» ilə;
2.ayırdetmə qabiliyyəti 12 bit, 200 nsan-dən daha az «tam çevrilmə müddəti» ilə;
3.ayırdetmə qabiliyyəti 12 bit-dən daha çox, 2 mksan-dən daha az «tam dəyişilmə müddəti» ilə;
b.rəqəm-analoq çevriciləri 12 bit-dən və daha çox ayırdetmə qabiliyyəti ilə və 10 nsan-dən az «təyin edilmiş» rejimə çıxmış müddəti ilə .
Texniki qeydlər. 1. n bit ayırdetmə qabiliyyəti 2n səviyyələrə qədər kvantlaşmaya uyğundur.
3."çevrilmənin tam müddəti" nümunələrin götürmə sürətinə əks kimi təyin edilir
|
854229600 0
854229900 0
854260000 0
|
Xüsusi qeyd.
həmçinin 1A101 bəndinə baxın
|
3A001, a, 6
|
aşağıda göstərilən bütün tərtibedicilərə eyni zamanda malik olan elektron-optik və optik inteqral sxemləri:
a.bir və ya daha çox daxili "lazer " dioda;
b.bir və ya daha çox işığa həssas daxili elementlərə;
c.optik dalğa ötürücülərinə (volnovodlara)
|
854221
| |
3A001, a, 7
|
aşağıdakı xarakteristikaların hər hansı birinə malik olan, istifadəçi tərəfindən proqramlaşdırılan məntiqi qurğular:
a.ventillərin ekvivalent sayı 30000-dən çox (ikigedişlilərə hesablamalarla) ;
b. əsas məntiqi elementin "ləngitmə müddəti " 0, 4 nsan-dən az; və ya
c. dəyişdirilmə tezliyi 133 Mhs-dən yuxarı
Qeyd. 3A001.a.7. yarımbəndinə daxildir:
-sadə proqramlaşdırılan məntiqi qurğular;
-mürəkkəb proqramlaşdırılan məntiqi qurğular;
- «çöl» tranzistorlarında proqramlaşdırılan məntiqi matrisalar;
-proqramlaşdırılan birləşdiricilər
Xüsusi qeyd. «çöl» tranzistorlarında proqramlaşdırılan məntiqi qurğular həmçinin «çöl» tranzistorlarında məntiq açarlarının proqramlaşdırılan matrisaları və ya «çöl» tranzitorlarında proqramlaşdırılan məntiqi matrisalari kimi də tanınır.
|
854221690 0
854221990 0
| |
3A001, a, 8.
|
istifadə olunmur
|
854210
| |
3A001, a, 9.
|
neyron şəbəkəsi üçün inteqral sxemlər
|
854221
| |
3A001, a, 10.
|
funksiyası və ya istehsalçıya həmin inteqral sxemlərin istifadə edilən qurğuların nəzarət statusu məlum olmadıqda, aşağıdakı hər hansı bir xarakteristikası olan fərdi sifarişlə hazırlanan inteqral sxemlər:
a. 208-dən çox çıxışlar; b.elementin nümunəvi "ləngimə müddəti" 0, 35 nsan-dən az; və ya c. işçi tezliyi 3 GHs —dən çox olan
|
854221690 0
854221990 0
854229
854260000 0
| |
3A001, a, 11.
|
3A001.a.3-3A001.a12 yarımbəndlərində qeyd edilənlərdən fərqli olan, hər hansı bir yarımkeçirici birləşmələri əsasında yaradılan və aşağıdakı hər hansı bir xarakteristikası olan rəqəmli inteqral sxemləri:
a.ventillərin ekvivalent sayı 3000-dən (iki addımlı hesablamaya görə) rəqəmli inteqral sxemlər;
b. dəyişdirmə tezliyi 1, 2 GHs -dən yuxarı
|
8542
| |
3A001, a, 12
|
N-nöqtəli mürəkkəb tez Furye kompleks çevrilmənin yerinə yetirilməsinin
(N log2 N) / 20, 480 msan-dən (burada N nöqtələrin sayı) az hesablama müddətinə malik olan Furye tez çevrilmə prosessorlari :
Texniki qeyd. nöqtələrin sayı N 1024-ə bərabər olduqda, 3A001.a.12. yarımbəndində göstərilən düsturla hesablanmış yerinə yetirilmə müddəti 500 mksan. təşkil edir.
|
85422145
854221500 0
854221850 0
854260000 0
| |
3A001, b, 1, a
|
mikrodalğa və ya millimetr diapazonun
komponentləri :
aşağıda göstərilən elektron vakuum lampaları və katodlar:
a.impuls və ya fasiləsiz iş rejimində qaçma dalğa lampası:
1.31GHs-dən yüksək tezlikdə işləyən;
2.katodun qızdırma elementi olan lampanın qoşulmasından hüdud radiotezlik gücünə çatana qədər müddəti 3 san-dən az olan;
|
854079000 0
| |
3A001, b, 1, a
|
3. 2, 5 kVt-dan yuxarı zirvə gücü və ya tezlik zolağının ani eni 7%-dən daha artıq qoşulmuş rezonatorlu lampalar və ya onların modifikasiyaları;
4. aşağıdakı xarakteristikalardan hər hansı birinə malik olan spirallı lampalar və ya onların modifikasiyaları:
a."tezlik zolağının ani eni " bir oktavadan çox və orta gücün (KVt -da) iş tezliyinə (GHs-də) vurulması 0, 5- dən çox;
b."tezlik zolağının ani eni " bir bir oktava və ya daha az və orta gücün (KVt-da) iş tezliyinə (GHs-də) vurulması 1-dən çox;
c."kosmosda tətbiq üçün yararlı"
|
854079000 0
| |
3A001, b, 1, b.
|
gücləndirmə əmsalı 17 dB-dən yuxarı İYT-li (ifrat yüksək tezlikli) cihazlar, gücləndiricilər
|
854071000 0
| |
3A001, b, 1, c.
|
fasiləsiz emissiya və fəaliyyətin ştat şəraitində 5A\kv.sm-dən çox cərəyan sıxlığını təmin edən elektron lampaları üçün hazırlanmış impreqləşdirilmiş katodlar
Qeyd. 3A001.b.1 yarımbəndinə görə aşağıdakı
xarakteristikaların hər hansı birini təmin edən və hər hansı bir tezlik dipazonunda işləyən elektron lampalarına nəzarət edilmir :
a.31 GHs-dən yuxarı olmayan tezliklərdə; b.Beynəlxalq Telekommunikasiya Təşkilatı
tərəfindən radiorabitə üçün ayrılmış tezliklərdə (radiolokasiya və radionaviqasiya üçün yox)
|
854099000 0
| |
3A001, b.2-b.7
|
b.2. aşağıdakı iki xarakteristikaya malik olan mikrodalğalı inteqral sxemlər və ya modullar
a.tərkibində bərkcisimli inteqral sxemlər olan;
b.3. 3 GHs-dən yüksək tezliklərdə işləyən;
Qeyd 1. 3A001.b.2. yarımbəndinə görə aşağıdakı xarakteristikaların hər hansı birinə malik olan istənilən tezlik dipazonunda işləmək üçün hazırlanmış və ya layihələşdirilmiş sxemlərə və ya avadanlıq modullarına nəzarət edilmir :
a. 31 GHs-dən yuxarı olmayan tezliklərdə;
b. Beynəlxalq Telekommunikasiya Təşkilatı tərəfindən radiorabitə üçün ayrılmış tezliklərdə (radiolokasiya və radionaviqasiya üçün yox)
Qeyd 2. 3A001.b.2. yarımbəndinə görə peyk yayımı üçün nəzərdə tutulan və ya 40, 5 - 42, 5 Ghs tezlik dipazonunda işləyən avadanlıqlara nəzarət edilmir.
b.3. 31 GHs-dən yüksək tezliklərdə işləyən mikrodalğalı tranzistorlar;
b.4. mikrodalğalı bərkcisimli gücləndirijclər, aşağıdakı hər-hansı bir xarakteristikası olan:
a.10, 5 GHz -dən yuxarı tezliklərdə işləyən və "texniki avadanlığın ani eni" yarım oktavadan çox olan ;
b. 31 GHs —dən yüksək tezliklərdə işləyən;
b.5. elektron və ya maqnit köklənməsi ilə, tərkiblərində 10 mksan. —dən az müddətdə maksimum və minimum tezliklərin 1, 5 : 1 (fmax/fmin) nisbəti ilə tezlik zolağında köklənməni təmin edən beşdən çox köklənən rezonatorları və aşağıdakı hər-hansı bir tərtibedicisi olan süzgəclər:
a. tezliyin keçirilmə zolağı rezonans tezliyinin 0, 5 faizi olan və ya zolaqlı süzgəclər;
b. tezliyin yatırma zolağı rezonans tezliyinin 0, 5 faizindən az olan çəpərləmə süzgəcləri;
b.6. 31GHs-dən yuxarı tezliklərdə işləməyə qadir olan mikrodalğalı quraşdırmalar;
b.7. 3A002.c., 3A002.e. və ya 3A002.f. yarımbəndlərində qeyd edilən qurğuların tezlik diapazonunu genişləndirmək üçün hazırlanmış qarışdırıcılar və çeviricilər
|
854229
854260000 0
854270000 0
| |
3A001, b, 8
|
tərkibində 3A001.b. yarımbəndinə görə nəzarət edilən lampalar və bütün aşağıdakı xarakteristikalara malik olan İYT-li (ifrat yüksək tezlikli) mikrodalğalı gücləndiricilər:
a.işçi tezliyi 3GHs-dən yuxarı;
b.çıxış gücünün orta sıxlığı 80 Vt/kq- dan yuxarı: c.həcmi 400 kub. sm-dən az
Qeyd .3A001.b.8 yarımbəndinə görə mülki telekommunikasiyaların standart tezliklərində işləmək üçün hazırlanmış və ya yararlı olan qurğulara nəzarət edilmir
|
854081000 0
| |
3A001, c
|
akustik dalğalı cihazlar və onlar üçün xüsusi layihələşdirilmiş komponentlər:
1.aşağıdakı hər hansı bir xarakteristikası olan səthi akustik dalğa cihazları və nazik örtükaltıda akustik dalğa cihazları (yəni, materialda elastik dalğaları istifadə edən, siqnalların işlənməsi üçün cihazlar) :
a. 2, 5 GHs- də aparıcı tezliyi olan ; və ya b.aparıcı tezliyi 1 GHs-dən çox, lakin 2, 5 GHs-dən yuxarı olmayan və əlavə olaraq aşağdakı hər hansı bir xarakteristikası olan:
1.istiqamətləndirmə diaqrammasının yan ləçəklərinin tezlik yatırılması 55 dB —dən çox;
2.maksimum ləngimə müddətinin (mks-də) tezlik zolağının eninə (Mhs-də) vurulması 100-dən çox;
3.tezlik zolağı 250 Mhs-dən çox: və ya
4.səpələnmə ləngiməsi 10mksan-dən yuxarı və ya;
c.aparıcı tezliyi 1 GHs-dən və daha az və əlavə olaraq aşağıdakı hər hansı bir xarakteristikası olan:
1.ləngimənin maksimum müddətinin (mks-də) tezlik zolağının eninə (Mhs-də) vurulması 100-dən çox;
2.səpələnmə ləngiməsi 10 mks-dən yuxarı;
3.istiqamətləndirmə diaqrammasının yan ləçəklərinin tezlik yatırılması 55 dB-dən çox və tezlik zolağının eni 50 Mhs-dən yuxarı;
3. 1GHs-dən yuxarı tezliklərdə siqnalların birbaşa işlənməsini təmin edən həcmli akustik dalğa cihazları (yəni, materiallarda elastik dalğalardan istifadə edən ''siqnalların hesablanması'' üçün cihazlar) ;
4. siqnalların və ya təsvirlərin bir başa işlənməsinə, spektrin təhlilinə, korrelyasiyasına və ya bağlanmasına imkan verən akustik
( həçmli və ya səthi) və işıq dalğalarının arasındakı qarşılıqlı təsirindən istifadə edən 'siqnalları təhlil edən'' akustik — optik çihazlar
|
854160000 0
| |
3A001, d
|
tərkibində "kritik temperaturdan" aşağı temperaturda işləmək üçün ifratkeçirici materiallardan heç olmasa biri, xüsusi layihələşdirilmiş "ifrat keçirici" materiallardan düzəldilmiş komponentləri olan və aşağıdakı hər hansı bir əlaməti olan elektron cihazları və sxemləri:
1.ventildə ləngimə müddətinin (saniyələrdə) ventildə gücün səpələnməsinə (vattlarda) vurulması 10—14 Couldan aşağı və ya keyfiyyəti 10000-dən olan yüksək rezonans konturlarının istifadəsi ilə bütün tezliklərdə tezliyi seçən «ifratkeçirici» ventillər istifadə edilən rəqəmli sxemlər üçün cərəyan çeviriciləri
|
854270000 0
| |
3A001, e, 1
|
batareyalar və fotoelektrik elementlər (həcmi 27 kub.sm və az olan batareyalara nəzarət edilmir.) :
a. 480Vt-saat/kq-ə qədər, ondan yüksək enerji sıxlığına və 243K(-300C) -dan və 343K(700C) -ya qədər aşağı və yuxarı temperatur diapazonunda işləmək üçün texniki şərtlərə görə yararlı olan birinci elementlər və batareyalar;
b. 243 K(-300c) -dan 333 K (600 C) -ya qədər aşağı və yüksək temperatur diapazonunda işləyən, boşalma cərəyanı C/5 saata (C-nominal tutum amper-saatla) bərabər olan yüklənmə boşalmasının 75 dövrəsindən sonra 150Vt-saat/kq-dan yüksək enerji sıxlığı ilə yüklənən elementlər və batareyalar;
Texniki qeyd. Enerji sıxlığı vattla ölçülən orta gücün (voltla ölçülən orta gərginliyi amperlə ölçülən orta cərəyana vurulması) açıq ucluqlarda gərginlik nominaldan 75%- ə qədər düşən, boşalma dövrünün saatlarla ölçülən müddətinə vurulması və alınmış vurulmanın elementin (və ya batareyanın) kq-la ümumi çəkisinə bölünməsi yolu ilə təyin edilir.
c.texniki şərtlərə görə kosmosda tətbiq edilməsinə yararlı, 1 kVt/kv.m işıqlıq enerjisini yaradan, 2800K (25270 C) -ya qızdırılmış volfram mənbəli 160 Vt/kv.m xüsusi çəkili gücü olan fotoelektrik elementli radiasiyaya davamlı batareyalar
|
8506
| |
3A001, e, 2
|
Böyük enerji yığıcısı olan kondensatorlar
a.10 Hs-dən artıq az təkrarlama tezliyi və (bir dəfə boşalma kondesatorları) bütün aşağıdakı xarakteristikaları olan kondesatorlar:
1. normal gərginliyi 5 kv və ya daha çox;
2. enerji sıxlığı 250 coul/kq və ya daha çox;
3. ümumi enerji 25 kilocoul və ya daha çox olan;
b.10 Hs və daha çox təkrarolunma tezliyi ilə (çoxboşalma kondesatorları) , bütün aşağıdakı xarakteristikaları olan kondesatorlar:
1.nominal gərginlik 5 kVt-dan az olmayan;
2.enerji sıxlığı 50 coul/kq-dan az olmayan;
3.ümumi enerji 100 Couldan az olmayan;
4.yüklənmə-boşalma dövrələrin sayı 10000-dən az olamayan
|
8506
8507
8532
| |
3A001, e, 3
|
1 saniyədən az müddət ərzində tam boşalma və ya yüklənmə qabiliyyətli və aşağıdakı xarakteristikalara malik olan ifrat keçirilikli elektromaqnitlər və solenoidlər:
a.boşalma zamanı ayrılan enerji birinci saniyədə 10 kcouldan yüksək olan;
b. cərəyan keçirən sarğıların daxili diametri 250 mm-dən çox olan;
c. nominal maqnit induksiyası 8 T-dən yuxarı və ya sarğida «ümumi cərəyan sıxlığı» 300 A/kv.mm-dən çox olan
Qeyd. 3A001.e.3. yarımbəndinə görə maqnitorezonanslı tibb tomoqrafiyasında istifadə edilən tibb qurğuları üçün xüsusi layihələşdirilmiş «ifratkeçirici» elektromaqnitlərə və ya solenoidlərə nəzarət edilmir
|
850450
850590100 0
|
Xüsusi qeyd. Həmçinin
3A201.b. yarımbəndinə baxın
|
3A001, f
|
aşağıdakı xarakteristikaların hər hansı birinə malik olan valın mütləq bucaq vəziyyətinin fırlanan çeviriciləri:
1.ayırdetmə tam diapazondan (18 bit) 1/26500-dən yaxşı;
2. dəqiqlik ± 2, 5 bucaq saniyəsindən yaxşı
|
903180320 0
903180340 0
| |
3A002
|
Aşağıdakı xarakteristikalara malik olan ümumi təyinatlı elektron aparatları:
| | |
3A002, a, 1
|
yazan qurğu və onun üçün xüsusi hazırlanmış ölçü maqnit lenti:
1.analoq aparatları üçün maqnit lentdə toplayıcılar və aşağdakı hər hansı bir xarakteristikası olan rəqəmli siqnalları yazmaq imkanı olan aparatlar (misal üçün, yüksək sıxlıqlı rəqəm yazısı modulundan istifadə edilən) :
a. elektron kanal və ya cıdır üzrə tezlik zolağı 4 Mhs-i ötən;
b. cıdırın sayı 42-dən çox olan zaman elektron kanal və ya cıdır üzrə tezlik zolağı 2 Mhs-dən yüksək olan;
c. Radio Sənayesi İdarələrarası Şurasının və ya Elektron Sənayesi Assosiasiyasının (EİA) müvafiq əsas materiallarının üsullarına görə(1K.10) ölçülmüş müddət şkalasının uyğunlaşdırmasızlığın (əsas) +0, 1 mks-dən az olan səhvi
Qeyd. Mulki tətbiqi üçün xüsusi hazırlanmış analoji videomaqnitofonlara yazan qurğu kimi baxılmır və nəzarət edilmir.
|
852032500 0
852032990 0
852090900 0
| |
3A002, a, 2
|
rəqəm interfeysinin maksimum keçirici qabiliyyəti 180Mbit/s-dən yuxarı olan rəqəmli videomaqnitofonlar.
Qeyd. 3A002.a.2 yarımbəndinə görə standart siqnal fomatını (siqnalın kompressiyasını daxil etmək etimalı ilə) və ya Radiorabitə Beynəlxalq Məsləhətçi Komitəsi və ya Radiorabitə üzrə Beynəlxalq Məsləhət Komitəsinin (RBMK) və ya Beynəlxalq Elektrotexnika Komissiyanın (BEK) mülki televiziya üçün tövsiyə etdiyi siqnal formatından istifadə edilən, televiziya yazısı üçün xüsusi layiləşdirilmiş rəqəmli video-maqnitofonlara nəzarət edilmir.
|
852110300 0
852110800 0
| |
3A002, a, 3
|
spiral skanlaşdirma prinsipi və ya qeyd edilmiş başlıq prinsipləri istifadə edilən, aşağdakı hər hansı xarakteristikası olan maqnit lentdə rəqəmli qurğusu üçün toplayıcılar: a. rəqəm interfeysinin maksimum keçiricilik qabiliyyəti 175 Mbit/san-dən çox olan;b."kosmosda tətbiq üçün yararlı.
Qeyd. 3A002.a.3 yarımbəndinə görə yüksək sıxlıqlı rəqəmli yazıya çevirmək üçün elektron bloklarla təchiz edilən və yalnız rəqəm məlumatının yazılması üçün təyin edilən maqnit lentdə analoji toplayıcılara nəzarət edilmir
|
852110
| |
3A002, a, 4
|
rəqəmli qurğuların məlumatlarını yazan qurğu kimi istifadə edilməsi üçün rəqəmli video-maqnitofonların yenidən düzəldilməsi məqsədi ilə layihələşdirilmiş və 175 Mbit-dən yuxarı rəqəm interfeysinin maksimum buraxma qabiliyyəti olan aparatlar
|
852190000 0
|
Xüsusi qeyd. Həmçinin 3A002 bəndinə baxın
|
3A002, a, 5
|
bütün aşağıdakı xaraktristikaları olan dalğa cəbhəsinin rəqəm formasına çevrilməsi və keçid proseslərin yazılması üçün cihazlar:
a.rəqəm formasında çevrilmə sürəti 200 milyon prob\ saniyədən az ayırdedilmə 10 və ya daha daha çox prob\ saniyədə.
b.buraxma qabiliyyəti 2 Gbit/san-dən az olmayan.
Texniki qeyd. Parallel şinada arxitektorlu cihazlar üçün buraxma qabiliyyəti sözlərin maksimum həcminin bitlərin sayına vurulması deməkdir.
Buraxma qabiliyyəti - seçmənin və analoq —rəqəm çevrilmə sürətinin saxlanmsı ilə məlumat yaddaşında saxlayan qurğuya itkisiz çatdıran aparat məlumatlarının ən yüksək ötürülmə sürəti
|
854389950 0
|
Xüsusi qeyd.
Həmçinin 3A202 bəndinə baxın
|
3A002, b
|
verilmiş tezliklərdən başqa tezliyə dəyişilmə müddəti 1 ms-dən az olan tezlik sintezatorların elektron yığmaları
|
854389950 0
| |
3A002, c
|
siqnal analizatorları:
1. 31Ghs-dən yuxarı tezlikləri təhlil etməyə qadir olan siqnal analizatorları;
2. 25, 6 khs-dən yuxarı reallaşdırma keçirmə zolağı ilə siqnalların dinamik analizatorları
Qeyd: 3A002.c.2. yarımbəndinə görə yalnız qeyd olunmuş hissələrin buraxma zolağı ilə süzgəcdən istifadə edilən siqnalların dinamik təhlilçilərinə nəzarət edilmir. (Qeyd olunmuş hissələrin keçirilmə zolağı ilə süzgəclər oktavlı və ya parça-oktavlı hissələri kimi tanılınır )
|
854389950 0
| |
3A002, d
|
d. aşağıdakı hər hansı bir xarakteristikası olan və daxili etalon tezliyin köməyi ilə və ya onun əsasında, qısa və uzunmüddətli sabit dəqiqlik parametrlərinə görə idarəetmə ilə çıxış tezliklərini formalaşdıran sintezləşdirilmiş tezliklər siqnallarının generatoru:
1.maksimum sintezləşdirilən tezlik 31 GHs-dən çox;
2.verilmiş tezliklərdən başqasına " dəyişmə müddəti " 1 msan-dən az, və ya
3.bir yan zolağın faza gurultusu dB x san/Hs vahidlərində -(126+20Log10F — 20 Log 10f) -dən yaxşı olan, burada f- lə işçi tezliyinin yerdəyişməsi Hz-lə, F-lə isə MHs-lə ifadə olunur
Qeyd. 3A002.d. yarımbəndinə görə çıxış tezliyi iki və daha çox kvars generatorlarının tezliklərinin toplanması və ya sıxılması yolu ilə, və ya toplamanın və ya çıxmanın yekunlaşdırıcı tezliyə ardıcıl vurulması yolu ilə çıxış tezliyi yaranan qurğuya nəzarət edilmir
|
854320000 0
| |
3A002, e
|
Şəbəkə analizatorları 40 GHz-dən yuxarı maksimum işçi tezliyi ilə
|
854389950 0
| |
3A002, f
|
bütün aşağıdakı xarakteristikaları olan mikrodalğalı qəbuledici —testerlər:
1. 40 Ghs- dən yuxarı maksimum iş tezliyi ilə;
2.eyni zamanda amplitudanı və fazanı ölçməyə qadir olan
|
852790980 0
| |
3A002, g
|
aşağıdakı hər hansı bir xarakteristikası olan tezliyin atom etalonu:
1.uzun müddətli sabitlik (qocalma) 1x10-11/ ay -dan az (yaxşı:) və ya
2."komosda tətbiq üçün yararlı "
Qeyd: 3A002.g.1 yarımbəndinə görə kosmosda tətbiq üçün təyin edilməyən rubidium
etalonuna nəzarət edilmir
|
854320000 0
| |
3A101
|
3A001bəndində göstərilənlərdən fərqli olan elektron avadanlığı, qurğular və komponetlər:
a.raketlərdə istifadə üçün yararlı, avadanlığın istifadə rejimini sərtləşdirmək üçün hərbi təsnifatına uyğun hazırlanmış analoq—rəqəm çevriciləri;
b. 2 MeV və ya daha çox enerjidən surətləndirilmiş elektronların tormozlanma şualanması hesabına elektromaqnit şualanma yaradan sürətləndiricilər və tərkibində belə surətləndiricələri olan sistemlər.
Qeyd. 3A101.b. yarımbəndinə görə tibbi məqsədlər üçün təyin edilmiş yuxarıda göstərilən avadanlıqlara nəzarət edilmir
| | |
3A201
|
3A001 bəndində göstərilənlərdən fərqli olan elektron komponentləri:
| | |
3A201, a
|
kondensatorlar, aşağdakı hər hansı bir xarakteristikalar yığması olan:
1. a. gərginlik 1, 4kv-dan çox;
b. enerji ehtiyatı 10 Couldan çox;
c. tutumu 0, 5 mkf-dan çox: və
d. ardıcıl induktivlik 50 mH-dən az: və ya
2. a. gərginlik 750 V-dan çox ;
b. tutumu 0, 25 mkf-dan çox; və
c. ardıcıl induktivlik 10 nH-dən az
|
853229000 0
| |
3A201, b
|
İfrat keçiricikli solenoid elektromaqnitləri, eyni zamanda aşağıdakı xarakteristikaları olan :
1. 2T (20 kHs) -dən yuxarı maqnit sahələrini yaratmağa qadir olan ;
2.uzunluğun daxili diametrə nisbəti (L/D) 2-dən çox;
3. daxili diametri 20 mm-dən çox;
4. maqnit sahəsinin bircinsliyi mərkəzə görə daxili həcminin 50% hüdudunda 1%-dən yaxşı.
Qeyd. 3A201.b. yarımbəndinə görə tibb nüvə maqnito-rezonans (NMR) təsviretmə sistemləri üçün xüsusi hazırlanmış və onların tərkib hissələri kimi olan maqnitlərə nəzarət edilmir
|
850590100 0
| |
3A201, c
|
c. aşağıdakı xarakteristikaların hər hansı birinə malik və zirvə enerjisi 500 keV olan impuls rentgen generatorları və ya impuls elektron sürətləndiriciləri:
1. a.elektron sürətləndiricilərinin zirvə enerjisi 500keV və ya daha çox, lakin 25 MeV-dən az;
b. 0, 25 və ya daha çox keyfiyyətlə: və ya
2. a. elektronların zirvə enerjisi 25 MeV və ya daha çox olan;
b. zirvə gücü 50 MeV-dən çox olan
Qeyd.3A201.c.yarımbəndinə görə elektron şüa yığımalarının alınmasından və ya rentgen şüalanmasından başqa məqsədlər üçün təyin edilən qurğuların tərkib hissələri olan surətləndiricilərə nəzarət edilmir
|
854320000 0
902219000 0
| |
|
Texniki qeyd.
1.Keyfiyyət K aşağıdakı düsturla təyin edilir:
K=1, 7x103V265Q, burada V — elektronların zirvə enerjisi meqaelektronvoltlarla, Q —sürətləndirilmiş yekun yük kulonlarla (sürətləndirici dəstənin impuls müddəti 1 mksan-yə bərabər və ya daha aşağı olduqda) . Sürətləndirici dəstənin müddəti 1 mksan-dən çoxdursa, onda bu 1 mksan. ərzində maksimum sürətləndirilmiş yükdür. Q -1 mks—dən ən az vahidi və ya dəstənin impuls müddəti (, burada i- dəstənin cərəyanı amperlə, t-vaxt saniyə ilə) ifadə i-dən t-yə qədər intervala bərabərdir.
2. Zirvə gücü voltlarla zirvə potensialının amperlə dəstənin zirvə cərəyanına vurulmasına bərabərdir.
3.İmpuls yığımının(dəstəsinin) müddəti qurğularda mikrodalğalı sürətləndirici zolaqlarda əsaslanır - bu iki kəmiyyətdən ən kiçiyidir: 1 mks və ya mikrodalğalı modulyatorun impulsunun müddəti ilə təyin edilən dəstə impulslarının qruplaşan paketinin müddəti
4. Qurğularda yığımın(dəstənin) zirvə cərəyanı — mikrodalğalı sürətləndirən zolaqlarda əsaslanan dəstə impulsunun qruplaşdırılmış paketlər müddəti ərzində cərəyanın orta miqdarıdır
| | |
3A225
|
0B001.b.13. yarımbəndində göstərilənlərdən fərqlənən, aşağıdakı bütün xarakteristikalara malik olan tezlik çeviricisi və ya generatorlar:
a.çoxfazalı 40 Vt və ya daha çox çıxış gücü ilə;
b.600-dən 2000 Hz-ə qədər tezlik intervalında işləyən;
c.ümumi qeyri- xətti təhrif 10%-dən aşağı;
d.tezliyin tənzimlənməsi 0, 1%-dən az (yaxşı) dəqiqlik ilə.
Texniki qeyd. 3A225 bəndindəki çeviricilər həmçinin invertor və ya konvertorlar kimi də tanınır
|
850239990 0
850240900 0
| |
3A226
|
Yüksək güclü sabit cərəyan mənbələri, 0B001.j.6. yarımbəndindən fərqlənən və aşağıdakı hər iki xarakteristikası olan:
a.100 V-dan çox gərginlikdə və 500 A və ya çox çıxış cərəyanında 8 saatdan çox fasiləsiz işləməyə qadir olan;
b. cərəyan və ya gərginlik sabitliyi 0, 1%-dən yaxşı
|
850440990 0
| |
3A227
|
0B001.j.5. yarımbəndindən fərqlənən və aşağıdakı iki xarakteristikası olan yüksəkvoltlu güclü sabit cərəyan mənbələri:
a. 8 saat müddətində 1 A və ya daha çox çıxış cərəyanında 20000 volt və ya daha çox gərginliyi yaratmağa qadir olan;
b. cərəyan və ya gərginlik sabitliyi 0, 1%-dən yaxşı
|
8501
| |
3A228
|
Dəyişdirici qurğular:
| | |
3A228, a
|
qazla dolub-dolmamasından asılı olmayaraq cərəyanarası qığılcım fasilə kimi işləyən və bütün aşağıdakı xarakteristikaları olan soyuq katodlu lampalar (o cümlədən qazboşaldıcıları və vakuum qığılcım relesi) :
|
854089000 0
| |
3A228.a.
|
1.tərkiblərində 3 və daha çox elektrodlar olan;
2.zirvə anod gərginliyi 2500 V və ya daha çox: və
3.zirvə anod cərəyanı 100 A və və ya daha çox: və
4.anod gecikməsi 10 mksan. və ya daha az
Qeyd. 3A228 bəndinə qazla doldurulmuş kripton lampaları və vakuumlu straytronlar daxildir
| | |
3A228, b
|
aşağıdakı iki xarakteristikası olan idarə edilən qığılcım boşaldıcıları:
1. anod gecikməsi 15 mksan —dən çox olmayan; və
2. 500 A və ya daha çox
|
853690850 0
| |
3A228, c
|
bütün aşağııdakı xarakteristikaları olan tez dəyişdirmə modulları və ya quraşdırmaları:
1.zirvə anod gərginliyi 2000 V və ya daha çox;
2. zirvə anod cərəyanı 500 A və ya daha çox;
3.qoşulma müddəti 1 mks və ya daha çox.
|
8535
| |
3A229
|
Buraxıcı qurğular və yüksək cərəyanlı ekvivalent impuls generatorları :
| |
Xüsusi qeyd. həmçinin 10-cu kateqoriyadakı hərbi təyinatlı malların siyahısına baxın
|
3A229.a
|
3A232 bəndində göstərilmiş parallel idarə edilən detonatorların buraxılması üçün hazırlanmış partlayıcı qurğular-detonatorların buraxılma qurğuları
|
854389950 0
| |
3A229.b
|
bütün aşağıdakı xarakteristikaları olan modul elektrik impuls generatorları:
1.portativ, mobil və ya sərtləşdirilmiş istifadə rejimi üçün təyin edilmiş; 2. toz keçirməyən gövdədə düzəldilən;
3. 15 mksan —dən az müddətdə ehtiyyatda olan enerjinin ayrılmasına qadir olan;
4. çıxışda 100 amperdən çox cərəyan verən;
5. yüklənmənin 40 omdan az müqavimətində impulsun çoxalma (yığılma) müddəti 10 mks- dən az;
6. heç bir ölçüsü 25, 4 sm-dən yüksək deyil;
7. çəkisi 25 kq-dan az;
8.223 K (-500c) -dan 373K (1000c) —ya qədər temperatur diapazonunda istifadə üçün uyğunlaşdırılan və ya kosmosda istifadə üçün yararlı kimi qeyd edilən
Qeyd. 3A229.b. yarımbəndinə ksenon qığılcımlı lampa drayverləri daxildir.
|
854320000 0
854389950 0
| |
3A230
|
Aşağıdakı iki xarakteristikası olan ən yüksək sürətli impuls generatorları:
a. 55 omdan az rezistiv yüklənmədə çıxışda gərginlik 6 voltdan çox;
b.artma müddəti (cəbhənin müddət uzunluğu) 500 nsan —dən az
Texniki qeyd. 3A230 bəndində "artma müddəti " gərginlik amplitudasının 10%-i və 90%-i arasındakı zaman məsafəsi kimi təyin edilir.
|
854320000 0
| |
3A231
|
aşağdakı hər iki xarakteristikası olan neytron generatorlar sistemləri ( borucuqlar daxil olmaqla) :
a.xarici vakuum sistemsiz işləmək üçün layihələşdirilmiş ;
b.tiritiyevo-deytriyeva nüvə reaksiyasının induksiyalaşdırılması üçün elektrostatik sürətləndirmənin istifadə edilməsi
|
854320000 0
| |
3A232
|
Detonatorlar və çoxnöqtəli təşəbbüsləndirən sistemlər:
| |
Xüsusi qeyd: həmçinin 10-cu kateqoriyaya baxın
|
3A232, a
|
Elektrodetonatorlar:
1.səddən partlanan(S P — EB)
2.sədd-məftillə partlanan; (SP — EBW)
3.zərbə təsiri (zərbə ilə işlənən) ;
4.partlayan folqa təşəbbüsçüləri; (PF — EFI)
|
360300
| |
3A232, b
|
b. bir siqnala görə (bütün sahəyə görə) 2, 5 mks —dən az müxtəlif vaxtlarda) 5000 kv mm-dən çox səthdə partlayıcı maddələrin təxminən eyni zamanda təşəbbüsləndirilməsi üçün təyin edilən bir və ya bir neçə detonatorlardan istifadə edən sistemlər
Qeyd: 3A232 bəndinə görə qurğuşun azidindən yalnız ilkin partlayıcı maddə (SP) kimi istifadə edilən detonatorlar ixrac nəzarətinə daxil edilmir.
Texniki qeyd. 3A232 bəndində qeyd edilən bütün detonatorlar içindən güclü elektrik impulsu keçən zamanı partlayışla buxarlanan kiçik elektrik keçiricisindən (məftili və ya folqanı partladan körpücük) istifadə edilir. Zərbəsiz növlü partlayıcıların partlayan məftili PETM (pental ritritoltetranitrat) kimi, onunla əlaqəyə girən həssaslı partlayıcı maddəsində (SP) kimyəvi detonasiyanı təşəbbüsləndirir. Zərbəli detonatorlarda məftilin partlayış buxarlanması deşikdə vurucunu və ya lövhəciyi hərəkətə gətirir və lövhəciyi SP-yə təsiri kimyəvi detonasiya başlanğıcını verir. Vurucu bəzi konstruksiyalarda maqnit sahəsi ilə surətləndirilir. "Folqa ilə partladılan detonator" termini həm partlayan keçirici ilə detonatorlara, həm də zərbə tipli detanatorlara aid ola bilər. Bundan başqa, "detonator" terminin əvəzində bəzi hallarda "təşəbbüsçü " termini yazılır.
|
854389950 0
| |
3A233
|
0B202.g. yarımbəndində göstərilənlərdən fərqlənən, 230-a bərabər və daha çox olan atomların kütlə ədədinin qiymətlərinin ölçülməsini təmin edən və 2x230-dan yüksək ayırdetmə qabiliyyəti olan və onlar üçün ion mənbələri olan mass-spektrometrlər, o cümlədən:
| | |
3A233, a—
3A233, f
|
a.mass—induktiv əlaqəli plazmalı spektrometrlər (PMS\İS) ;
b.mass-sərbəst boşalmalı spektrometrlər(MSTP)
c.termoionlaşdırılmış mass-spektrometrlər (TİMS) ;
d.elektron zərbəli, ionizasiya kameraları olan, heksafforid urana davamlı olan materiallardan hazırlanmış və ya belə materiallarla qorunmuş mass-spektrometrlər.
e.molekulyar dəstəli mass-spektometrlər:
1.ionlaşdırıcı kamerası olan, paslanmayan poladdan və ya molibdendən düzəldillmiş və ya onlarla qorunmuş və 193K(-800 C) və ya daha az soyudulmanı təmin edən soyuducu kamerası olan;
|
902730000 0
| |
|
2.ionlaşdırıcı kamerası heksa-ftorid urana davamlı materiallardan düzəldilmiş və ya belə materiallarla qorunmuş; və ya
f. mikrofluorlu ion mənbəyi ilə təchiz edilmiş aktinidlərlə və ya antinid storidlərlə istifadə üçün hazırlanmış mass-spektrometrlər
| | |
3B
|
Sınaq, nəzarət və istehsal avadanlıqları:
| | |
3B001
|
yarımkeçiricili cihazlar və ya materialların istehsalı üçün aşağıda göstərilən avadanlıqlar və xüsusi hazırlanmış komponentlər və onlar üçün ləvazimatlar:
| | |
3B001, a, 1
|
1.epitaksial yetişdirmə üçün nəzərdə tutulmuş, təbəqənin qalınlığını 75 mm və ya daha böyük məsafədə + 2, 5 % - dən çox olmayan kənara çıxmasını saxlamaq qabiliyyətinə malik olan daxil edilmiş proqramla idarə edilən qurğu;
|
847989700 0
854389650 0
854311000 0
| |
3B001, a, 2
|
2. metal-üzvi birləşmə buxarını kimyəvi çokdürmə, 3C003 və ya 3C004 bəndinə görə nəzarətdə olan materiallar arasındakı kimyəvi reaksiyanın köməyi ilə mürəkkəb yarımkeçirici kristalları yetişdirmək üçün xüsusi hazırlanmış qurğular
|
841989200 0 841989300 0
| |
3B001, a, 3
|
3. qaz mənbəyi istifadə olunan, erinteksial yetişdirmə üçün molekulyar —şüa qurğusu
|
841780100 0
| |
3B001, b
|
ion implantasiyası üçün hazırlanmış, daxil edilmiş proqramla idarə olunan və aşağıdakı xarakteristikaların hər hansı birinə malik olan qurğu:
1. sürətləndirici gərginlik 200 keV-dən yuxarı ;
2.10 keV-dən aşağı sürətləndirici gərginliklə işləmək üçün xüsusi layihələşdirilmiş və optimallaşdırılmış;
3. birbaşa yazı aparmaq qabiliyyətinə malik; və ya
4.yarımkeçirici materialdan düzəldilmiş, qızdırılmış altlığa ("podlojkaya") yüksək enerjili oksigenin implantasiyası üçün yararlı
|
845610909 0
| |
3B001, c
|
anizotrop plazma ilə quru aşılamaq üçün daxil edilmiş proqramla idarə edilən avadanlıqlar:
1. aşağıdakı xarakteristikalardan istənilənə malik olan lövhənin kassetlərlə emalı və yükləmə şlüzündən yükləmə:
a) 3 siqma məsafəsində(intervalında) 0, 3 mkm və ya +- 5% -dən az dəqiqliklə kritik ölçülərin yaradılması üçün layihələşdirilmiş və ya optimiumlaşdırılmış;
b) ölçülən hissəciklərin ölçüləri diametrdə 0, 1 mkm-dən çox olmayan 0, 04 hissəciklər/sm2 —dan az hissəciklərin generasiyası üçün layihələşdirilmiş;
2.3B001.e. yarımbəndinə görə görə nəzarətdə olan avadanlıqlar üçün xüsusi layihələşdirilmiş və aşağıdakı xarakteristikalardan istənilənə malik olan:
a) 3 siqma məsafəsində(intervalında) 0, 3 mkm və ya +- 5% -dən az dəqiqliklə kritik ölçülərin yaradılması üçün layihələşdirilmiş və ya optimiumlaşdırılmış;
b) ölçülən hissəciklərin ölçüləri diametrdə 0, 1 mkm-dən çox olmayan 0, 04 hissəciklər/sm2 —dan az hissəciklərin generasiyası üçün layihələşdirilmiş
|
845691000 0
845699800 0
| |
3B001, d
|
kimyəvi buxarfaza çökdürülməsi və plazma ilə stimullaşdırılması üçün daxil edilmiş proqramla idarə edilən avadanlıqlar:
1.lövhələrin kassetli emalı ilə və yüklənmə şlüzlardan yüklənmə ilə və aşağıdakı hər hansı bir xarakteristikası olan:
a) 3 siqma məsafəsində(intervalında) 0, 3 mkm və ya +- 5% -dən az dəqiqliklə kritik ölçülərin yaradılması üçün layihələşdirilmiş və ya optimiumlaşdırılmış;
b) ölçülən hissəciklərin ölçüləri diametrd 0, 1 mkm-dən çox olmayan 0, 04 hissəciklər/sm2 —dan az hissəciklərin generasiyası üçün layihələşdirilmiş
|
841989200 0
841989300 0
| |
3B001.d.
|
2. 3B001.e. yarımbəndinə görə nəzarət edilən xüsusi hazırlanan və aşağıdakı hər hansı bir xarakteristikası olan avadanlıq:
a) 3 siqma məsafəsində(intervalında) 0, 3 mkm və ya +- 5% -dən az dəqiqliklə kritik ölçülərin yaradılması üçün layihələşdirilmiş və ya optimiumlaşdırılmış;
b) ölçülən hissəciklərin ölçüləri diametrd 0, 1 mkm-dən çox olmayan 0, 04 hissəciklər/sm2 —dan az hissəciklərin generasiyası üçün layihələşdirilmiş
| | |
3B001, e.
|
daxil edilmiş proqramla idarə edilən mərkəzi lövhənin doydurulması ilə avtomatlaşdırılmış dolduran çoxkameralı sistemlər:
1.yarımkeçiricilərin emalı üçün ikidən çox avadanlıqlar birləşən lövhənin yüklənməsi və boşalması üçün interfeyslər;
2.vakuum mühitində lövhələrin ardıcıl çox mövqeli emal birləşdirici sistemləri üçün təyin edilmiş.
Qeyd. 3B001.e. yarımbəndinə görə vakuumda işləməyə təyin edilməyən avtomatlaşdırılmış robototexnika sistemlərinə nəzarət edilmir.
|
845610
845691000 0
845699300 0
845699800 0
| |
3B001, f, 1
|
daxil edilmiş proqramla idarə edilən litoqrafiya qurğusu:
1.aşağıdakı hər hansı bir xarakteristikaya malik olan fotooptik və ya rentgen litoqrafiya üsulu ilə lövhələrin emalı üçün dəfələrlə uyğunlaşdırma və göstərilmə qurğuları:
a. 350nm-dən az dalğa uzunluğu olan işıq mənbəyi;
b.0, 5 mkm və ya az həlledici xüsusiyyəti ilə şəkli təsvir etmək qabiliyyətinə malik olan
Texniki qeyd. Ayırdetmənin minimum ölçüsü (AMÖ) aşağdakı düsturla hesablanır.
AMD= (işıq şüalarının dalğa uzunluğun mkm-də) x (K-faktor) K (faktor) =0, 7;
AMÖ — ayırdetmənin minimum ölçüsü
|
900922000 0
| |
3B001, f, 2
|
daxil edilmiş proqramla idarə edilən litoqrafiya qurğusu:
meyl edən, fokuslaşdırılan elektron şua dəstəsinin və ya "lazer" şüasının istifadəsi ilə istehsalı şablonların və ya yarımkeçirici cihazların emalı üçün xüsusi layihələşdirilmiş aşağıdakı xarakteristikalardan hər hansı birınə malik olan qurğular:
a.ləkənin ölçüsü 0, 2 mkm-dən az
b. 1 mkm-dən az minimum icazə verilən layihə normaları ilə şəkli təsdiq etmək qabiliyyəti ; və ya
c.uyğunlaşdırılma dəqiqliyi 10, 20 mkm-dan (3 sıqmadan) yaxşı
|
845699
| |
3B001, g
|
3A001 bəndi ilə nəzarət edilən inteqral sistemlər üçün hazırlanmış şablonlar və ya aralıq fotoşablonlar
| | |
3B001, h
|
fazadəyişdirici layla çoxlaylı şablonlar
|
901090
| |
3B002
|
Daxil edilən proqramla idarə edilən hazırlanmış və ya hazırlanmanın müxtəlif dərəcələrində olan yarımkeçirici cihazların yoxlanılması üçün sınaq aparatları və onlar üçün xüsusi layihələşdirilmiş komponentlər və ləvazimatlar
| | |
3B002, a—
3B002, c
|
a. 31 GHs-dən yuxarı tezlikli tranzistor cihazlarının S-parametrlərini ölçmək üçün:
b. inteqral sxemlərinn sınağı üçün 333 Mhs-dən yuxarı sətirlərin "testləşdirmə tezliyi ilə" funksional testləşdirməni (həqiqlik cədvəlinə görə) həll etməyə qadir olan
|
903180390 0
| |
|
Qeyd. 3B002.b. yarımbəndinə görə aşağıdakı sınaqlar üçün xüsusi layihələşdirilmiş sınaq aparatlarına nəzarət edilmir:
1."elektron quraşdırmalar" və ya «elektron quraşdırmalar" sinfi məişət və ya oyun elektron qurğuları üçün;
2. nəzarət edilməyən elektron komponetlər, "elektron quraşdırmalar" və ya inteqral sxemləri;
3. yaddaşlar.
Texniki qeyd. "Testləşdirmə" tezliyin rəqəm əməliyyatlarının tezliyini bildirir, qeyri-multi-pleks rejimində testerin verdiyi məlumatların maksimum sürətinə ekvivalentdir və həmçinin testin sürəti, maksimum tezlik sürəti, maksimum rəqəm sürəti kimi də tanınır .
c. 3A001.b.2 yarımbəndində qeyd edilən mikrodalğalı inteqral sxemlərin sınağı üçün
| | |
3C
|
Materiallar:
| | |
3C001
|
Bir neçə ardıcıl epitaksiyal laylar ilə örtükaltıdan ibarət olan, aşağdakı hər hansı bir tərtibedicisi olan heteroepitaksiyal materiallar
a. silisium; b. germanium ; və ya c. silisium karbidi; d.qallium və ya indiyum əsasında III/V birləşmələr
Texniki qeyd. III/V birləşmələr — polikristallik və ya zirvə elementli və ya mürəkkəb monokristallik məhsullar, Mendeleyevin dövr sisteminin III və ya V qruplarının elementlərindən ibarət olan (standart təsnifata görə bu A3 və ya B5 qruplarıdır) (misal üçün, arsenidqallium, alimoarsenid qallium, fasfid indium və s.)
|
381800100 0
381800900 0
| |
3C002
|
Nəzarət edilən rezisterlərlə örtülən, rezisterlərın və örtükaltının materialları:
| | |
3C002, a —
3C002, d
|
a.pozitiv rezisterlər, yarımkeçirikli litoqrafiya üçün təyin edilmiş, 350 nm-dan daha az spektral həssaslığa malik istifadə üçün xüsusi uyğunlaşdırılmış;
b. 0, 01 mkl/ kv.mm və ya daha yaxşı həssaslı elektron və ya ion dəstələri ilə göstərilmə zamanı istifadə üçün təyin edilmiş bütün rezisterlər;
c. 2, 5 mCoul/kv mm və ya daha yaxşı həssaslı rentgen şüaları ilə göstərilmə zamanı istifadə üçün təyin edilmiş bütün rezisterlər;
d., silisiumlaşdirilmiş rezisterlər daxil edilməklə şəklin formalaşma texnologiyası altında optimallaşdırılan bütün resisterlər.
Texniki qeyd. Silisiumlaşdırma üsulları yaş və quru göstərilmənin keyfiyyətini qaldırmaq üçün rezisterin səthinin oksidləşdirilməsi prosesini daxil edən proseslərdir
|
854140900 0
| |
3C003
|
Üzvi-qeyri- üzvi birləşmələr:
| | |
3C003.a-b
|
a.lüminium, qallium və ya indium əsasında 99, 999% -dən yuxarı təmizlikli metal əsaslı üzvi metal birləşmələr; b.üzvi—arsonlu, üzvi—sürməli və üzvi-fosforlu birləşmələrin təmizliyi 99, 999%-dən yuxarı qeyri- üzvi element əsaslı olanlar
|
293100950 0
| |
|
Qeyd. 3C003 bəndinə görə yalnız molekulanın üzvi hissəsində metal, qismən metal və ya qeyri-metal elementli birləşmələrə karbonla bilavasitə bağlı olduğu halda nəzarət edilir
| | |
3C004
|
Hətta təsirsiz qazlarda və ya hidrogendə ərinmədən sonra 99, 999 % təmizliyi olan fosfor, arsen və ya sürmənin hidridləri
Qeyd. 3C004 bəndinə görə tərkibində 20 % və ya daha çox təsirsiz qazlar və ya hidrogen molları olan hidridlərə nəzarət edilmir.
|
28480000 0
28500200 0
| |
3D
|
Proqramm təminatı
| | |
3D001
|
3A001. b-dən 3A.002.g-yə qədər yarımbəndlərdə və ya 3B-də bəndində nəzarət edilən avadanlığın "hazırlanması" və ya "istehsalı" üçün xüsusi yaradılmış "proqram təminatı"
| | |
3D002
|
3B-yə görə nəzarət edilən, "daxil edilmiş proqramla idarə edilən" avadanlıqlarda tətbiq üçün xüsusi yaradılmış "proqram təminatı"
| | |
3D003
|
aşağıdakı tərtibedicilərin hər hansı bir olan avtomatlaşdırılmış layihələşdirmə (SAPR) elementin "proqram təminatı":
a.yarımkeçirici cihazlar və ya inteqral sistemlər üçün təyin edilmiş;
b. aşağıdıkaların hər hansı birinin yerinə yetirilməsi və istifadəsi təyinatı olan:
1.layihələşdirmə qaydalarının və ya sxemlərinin yoxlanma (verifikasiya) qaydaları;
2. sxemlərin fiziki topologiyasına görə modelləşdirilməsi; və ya 3. layihələşdirmə üçün litoqrafik proseslərin imitatorları.
| | |
|
Texniki qeyd .
litoqrafiq proseslərin imitatoru -"proqram təminatı"nın paketi, keçiricilərin, dielektriklərin və ya yarımkeçirici materialın konkret topoloji şəkillərində maskalanan şablonların təsvir edilməsi məqsədi ilə litoqrafiya, təmizlənmə və çökdürülmə əməliyyatlarının ardıcıllığını təyin etmək üçün layihələşdirmə mərhələsində istifadə olunan
Qeyd 1. 3D003 bəndinə görə prinsipal sxemlərin təsviri, məntiqi modelləşdirmə, qurulma və marşrutlaşdırma (istiqamət göstərmə) topologiyanın və ya şablonların çoxalması üçün xüsusi yaradılmış «program təminatı»na nəzarət edilmir.
Qeyd 2. Kitabxanalar, layihə atributları və ya əlaqədar məlumatlar yarımkeçirici cihazların və ya inteqral sxemlərin layihələşdirilməsi üçün «texnologiya» kimi baxılır
| | |
3D101
|
3A101.b. bəndinə görə nəzarət edilən avadanlığın istifadəsi üçün xüsusi hazırlanmış və ya modifikasiya edilmiş «proqram təminatı»
| | |
3E
|
Texnologiyalar:
| | |
3E001
|
ümumi texnoloji qeydə uyğun, 3A, 3B və ya 3C bəndlərinə görə nəzarət edilən materialların və ya avadanlığın hazırlanması və ya istehsalı üçün təyin edilən «texnologiya».
Qeyd. 3E001 bəndinə görə aşağıdakıların hazırlanması və ya istehsalı üçün «texnologiyalar»a nəzarət edilmir:
a.31 GHs-dən aşağı tezliklərdə işləyən mikrodalğalı tranzistorlara;
b. 3A001.a.3- 3A001.a.12. yarımbəndlərinə görə nəzarət edilənlər və aşağıdaki iki əlamətləri olan inteqral sxemlərə:
1. 0, 7 mkm-və ya yuxarı "texnologiyalar"ı istifadə edən;
2. çoxlaylı strukturlar tərkibində olmayan;
Texniki qeyd. 3E001 bəndinin b.2 qeydindəki "çoxlaylı strukturlar" termini tərkibində maksimum iki metal layı və iki polisilisium layı olan cihazları əhatə etmir
| | |
3E002
|
Ümumi texnoloji qeydə uyğun, 3E001 bəndində göstərilənlərdən başqa «yekun nəzəri məhsuldarlığı» saniyədə 530 milyon və daha çox nəzəri əməliyyatlar olan və 32 bit və daha çox seçilmə uzunluqlu məntiqi riyazi vahidlə «mikroprosessor mikrosxemləri»nin, «mikrokompüter mikrosxemləri»nin və «mikro-nəzarət mikrosxemləri»nin hazırlanması və ya istehsalı üçün «texnologiya»
Qeyd. 3E001 bəndinin qeyd hissəsindəki nəzarətin edilməməsi 3E002 bəndinə də aiddir.
| | |
3E003
|
Aşağıdakıların hazırlanması və ya istehsalı üçün başqa "texnologiyalar":
a. vakuum mikroelektron cihazların;
b. heterostrukturlar əsasında yarımkeçirici cihazların, elektronların yüksək hərəkətliliyi ilə tranzistorlar, heterostrukturlu biopolyar tranzistorlar, kvant çuxurlu cihazların və ya ifrat qəfəsli cihazların;
"ifrat keçiricili" elektron cihazların;
elektron komponentlər üçün almaz təbəqəli örtükaltıların;
"silisium izolyatorunda" inteqral sxemlər üçün, izolyator yerinə dioksid silisium istifadə edilən altlıqların (podlojkaların) ;
f. elektron komponentlər üçün karbit silisiumdan altlıqların (podlojkaların)
| | |
3E101
|
Ümumi qeydə uyğun, 3A001.a.1 və ya 2., 3A101 və ya 3D101 bəndlərində təyin edilən avadanlığın və ya «program təminatı»nın «istifadəsi» üçün «texnologiyalar»
| | |
3E102
|
Ümumi qeydə uyğun, 3D101 bəndinə görə nəzarət edilən «program təminatının» hazırlan- ması» üçün «texnologiyalar»
| | |
3E201
|
Ümumi qeydə uyğun, 3A001.c.2, 3A101.c.3. yarımbəndlərinə, 3A201, 3A225-3A233 bəndlərinə görə nəzarət edilən avadanlığın
istifadəsi üçün «texnologiyalar»
| | |
4-cü kateqoriya
|
Hesablayıcı texnika:
Qeyd. 1.Telekommunikasiyalarda və ya "lokal hesablama şəbəkələri"ndə istifadə edilən kompüterlər, əlaqəli avadanlıqlar və "proqramm təminatı» 5-ci kateqoriyanın 1-ci hissəsində (telekommunikasiya) qeyd edilən xarakteristikalara uyğunluğu da təhlil edilir.
2.Şin və ya kanalları , "operativ yaddaşı" və ya maqnit disklərdə toplayıcıların nəzarətçiləri birbaşa əlaqələndirən idarəetmə qurğuları 5-ci kateqoriya (telekommunikasiya) 1-ci hissəsindəki telekommunikasiya aparatları anlayışına daxil edilmir.
Xüsusi qeyd. Paketlərin kommutasiyası üçün xüsusi yaradılan "proqramm təminatı" nəzarət statusunu müəyyən etmək üçün 5D001 (telekommunikasiya) bəndindən istifadə edilir.
Qeyd. 3 kriptoqrafiyanın, kriptoanalizin, məlumatın sertifikasiya edilən çoxsəviyyəli mühafizəsini və ya istifadə edənlərin sertifikasiya edilmiş təcrid etmə funksiyalarını və ya elektromaqnit uyğunlaşmasının (EMU) məhdudlaşdırılmasını yerinə yetirən kompüterlərin, onlarla əlaqəli avadanlıqların və "proqram təminatı"nın 5-ci kateqoriyanın 2-ci hissəsində(məlumatın mühafizəsi) göstərilən xarakteristikalara uyğunluğu təhlil edilməlidir.
| | |
4A
|
Sistemlər, avadanlıqlar və komponentlər
| | |
4A001
|
Aşağıdakı EHM və onunla əlaqəli avadanlıq və həmçinin "elektron quraşdırılmalar" və onlar üçün xüsusi hazırlanmış komponentlər
| | |
4A001, a
|
aşağıdakı xarakteristikalarda xüsusi yaradılmış:
1.texniki şərtlərə görə xarici mühitin 228 K(-450 C) -dan aşağı və ya 358 K (850 C) -dan yuxarı temperaturda işləmək üçün yararlı.
Qeyd: 4A001.a.1. yarımbəndinə görə mülki avtomobillər və ya dəmiryol lokomotivləri üçün yaradılmış kompüterlərə nəzarət edilmir.
2.radiasiyaya davamlı, aşağdakı hər hansı bir tələbləri ötən:
a.udulmuş doza 5x103 rad (silisium) ; b.xəzil dozanın gücü 5x106 rad (silisium) /san.; və ya c.yüksək energetik hissələrdən xəzil 1x10-7 səhv/bit/gün
|
847110
| |
4A001, b
|
b. 5-ci kateqoriyanın (məlumatın mühafizəsi) 2-ci hissəsində qeyd edilən hədləri ötən xarakte-ristikaları və ya funksional xüsusiyyətləri olan
Qeyd: 4A001.b. yarımbəndinə görə şəxsi istifadə üçün gətirilən (aparılan) kompüterlərə və onlarla əlaqədar avadanlığa nəzarət edilmir
|
847110
| |
4A002
|
Tərkibində 4A003 bəndi ilə nəzarət edilən «rəqəmli kompüterlər» olan «hibrid kompüterlər», «elektron quraşdırmalar» və ya onlar üçün xüsusi hazırlanmış komponentlər:
|
847110
|
Xüsusi qeyd.
baxın həmçinin
4A102 bəndinə
|
4A002
|
a) tərkibində 4A003 bəndinə görə nəzarət edilən «rəqəmli kompyuterlər» olan;
b) tərkibində bütün aşağıdakı arakteristikalara malik olan analoq-rəqəm çeviriciləri:
a. 32 kanallı və ya daha çox;
b. 20000 çevrilmə və ya yuxarı sürət ilə 14 bit (plyus nişan boşalması) və ya yuxarı ayırdetmə qabiliyyətli
|
847110
| |
4A003
|
«Rəqəmli kompüterlər», «elektron quraşdırma-lar» və əlaqəli avadanlıq, həmçinin onlar üçün xüsusi hazırlanmış komponentlər:
Qeyd 1. 4A003 bəndinə daxildir: a) vektor prosessorları; b) matrisa prosessorları; c) siqnal hesablamasının rəqəmli prosessorları; d) məntiq prosessorları; e) «təsvirin keyfiyyəti»nin yaxşılaşdırması üçün avadanlıq; f) «siqnalların işlənməsi üçün avadanlıq»
2. 4A003 bəndində göstərilmiş «rəqəmli kompüterlərin» və onlarla əlaqəli avadanlığın nəzarət statusu başqa avadanlığın və ya başqa sistemlərin nəzarət statusu ilə təyin edilir, o hallarda ki, əgər:
a.«rəqəmli kompüterlər» və ya onlarla əlaqəli avadanlıq başqa avadanlığın və ya başqa sistemlərin işlənməsi üçün lazımdırsa; b. «rəqəmli kompüterlər» və ya onlarla əlaqəli avadanlıq başqa avadanlıq və ya sistemlərin əsas elementi olmadıqda;
Xüsusi qeyd.
1. Bir başqa avadanlığın funksional təyinatı ilə məhdudlaşdırılmış funksiyaları olan hər hansı bir avadanlıq üçün siqnalların işlənməsi və ya təsvirin keyfiyyətini yaxşılaşdırmaq üçün xüsusi layihələşdirilmiş avadanlığın nəzarət statusu təyinatı olduğu «əsas element» amilinə uyğun gəldiyi halda belə, funksiyaları məhdudlaşdıran birinci başqa avadanlığın nəzarət statusu ilə təyin edilir;
2.telekommunikasiya aparatları üçün «rəqəmli kompüterlərin» və ya onlarla əlaqəli avadanlığın nəzarət statusunu müəyyən etmək üçün 5-ci kateqoriyanın 1-ci hissəsinə ( telekommunikasiyalar) baxın
c.«rəqəmli kompüterlər» və onlarla əlaqəli avadanlıq üçün «texnologiya» 4E bəndinin təsiri altına düşür.
| | |
4A003.a
|
«rəddetmə sabitliyi»ni təmin etmək üçün xüsusi layihələşdirilmiş və ya modifikasiya edilmiş
Qeyd. Aşağıdakılardan hər hansı birindən istifadə edilən «rəqəmli kompüterlər» və onlarla əlaqəli avadanlıq, 4A003.a. yarımbəndinə görə «rəddetmə sabitliyi»ni təmin etməklə layihələşdirilmiş və ya modifikasiya edilmiş sayılmır:
1.operativ yaddaşda saxlanılan aşkar edilmənin alqoritmləri və səhvlərin düzəldilməsi;
2.aktiv mərkəzi prosessor imtina etdiyi halda, sistemin funksiyasını gözləyən, lakin izləyən mərkəzi prosessor sistemi tərəfindən davam etdirilə bilən iki «rəqəmli kompüterlər»in qarşılıqlı əlaqəsi;
|
8471(847110 çıxılmaqla)
| |
|
3. birinci mərkəzi prosessorun ikinci mərkəzi prosessor imtina edənə qədər digər işi yerinə yetirməyə, ikinci mərkəzi prosessor imtina etdikdə isə onun işini öz üzərinə götürmək imkanı yaradan kanal və ya ümumi yaddaş vasitəsi ilə məlumatları ötürən iki «rəqəmli kompüterlər»in qarşılıqlı əlaqəsi;
4. birinci mərkəzi prosessorun ikinci mərkəzi prosessorun işləmədiyini müəyyən edə bilməsi və imtina etmiş mərkəzi prosessorun məsələlərini bərpa etməsi üçün proqram təminatı vasitəsilə birləşdirilmiş iki mərkəzi prosessorun sinxronlaşdırılması
| | |
4A003.b
|
«ümumi nəzəri məhsuldarlığı» (ÜNM) 190000 Mnəs (milyon nəzəri əməliyyat saniyədə) -dən yuxarı olan «rəqəmli kompüterlər»
|
8471(847110
çıxılmaqla)
| |
4A003.c
|
məhsuldarlığı artırmaq üçün xüsusi layihələşdirilmiş və ya modifikasiya edilmiş hesablama elementlərinin elə birləşməsi yolu ilə birləşdirilmiş quraşdırılmaların ümumi nəzəri məhsuldarlğı 4A003.b. yarımbəndində qeyd edilən hədləri ötən «elektron quraşdırmaları»
Qeyd. 1. 4A003.c. yarımbəndi 4A003.b. yarımbəndində qeyd edilən hədləri ötməyən «elektron quraşdırmalar»a və proqramlaşdırılan qarşılıqlı əlaqələrə yalnız əlaqələnməmiş quraşdırmalar şəklində göndərildiyi zaman şamil edilir. Bu yarımbənd 4A003.d və ya 4A003.e yarımbəndlərinə görə nəzarət edilən və konstruksiyalarına görə yalnız əlaqədar avadanlıq kimi istifadə üçün yararlı olan «elektron quraşdırmalara» tətbiq edilmir
2. 4A003.c. yarımbəndinə görə maksimum konfiqurasiyası 4A003.b. yarımbəndində qeyd edilən hədləri ötməyən məhsul və ya bütün məhsul ailəsi üçün xüsusi layihələşdirilmiş «elektron quraşdırmaları»na nəzarət edilmir
|
8471(847110
çıxılmaqla)
| |
4A003.d
|
«üçölçülü vektorların hesablama sürəti» 200.000.000-dən yuxarı olan qrafik akseleratorları və ya qrafik soprosessorları
|
854390200 0
| |
4A003.e
|
e.3A001.a.5. yarımbəndində qeyd edilən hədləri ötən analoq — rəqəmli çevrilmələri həll edən avadanlıq
|
851750
| |
4A003.g
|
«rəqəmli kompüterlərin» və ya əlaqədar avadanlığın xarici birləşdirmələrini təmin etmək üçün xüsusi hazırlanmış, 125 GMbayt/san-dən yuxarı məlumatların ötürülmə sürətinə çatmağa imkan verən avadanlıq
Qeyd 4A003.g. yarımbəndinə görə daxili birləşdirmələr üçün avadanlığa (misal üçün, arxa panellər, şinalar) , birləşdirmələrin təmin edilməsi üçün passiv avadanlığa, «şəbəkə nəzarətçiləri»nə və ya «kommunikasiya kanallarının nəzarətçilərini»nə nəzarət edilmir
|
847190000 0
| |
4A004
|
Aşağıdakı EHM, xüsusi layihələşirilmiş əlaqədar avadanlıq, «elektron quraşdırmalar» və onlar üçün komponentlər:
a. «sistolik matrisa ilə EHM»; b. «neyron EHM»; c.«optik EHM»
|
8471
| |
4A101
|
4A001.a.1. yarımbəndində göstərilənlərdən başqa konstruksiyaları, 9A004 bəndinə görə nəzarət edilən kosmik qurğularda və ya 9A104 bəndinə görə nəzarət edilən raket-zondlarda istifadə üçün gücləndirilmiş və ya modifikasiya edilmiş analoq kompüterləri, «rəqəmli kompüterlər» və ya rəqəmli differensial analizatorlar
|
847110
| |
4A102
|
9A004 bəndinə görə nəzarət edilən kosmik qurğuların və ya 9A104 bəndinə görə nəzarət edilən raket-zondların modelləşdirilməsi, imitasiyası (təqlidi) və ya inteqrasiyası üçün xüsusi hazırlanmış «hibrid kompüterlər»
Qeyd. Bu nəzarət yalnız avadanıq 7D103 və ya 9D103 bəndinə görə nəzarət edilən proqram təminatı ilə təchiz olunan halda tətbiq edilir
| | |
4B
|
Sınaq, nəzarət və istehsalat avadanlığı
|
yoxdur
| |
4C
|
Materiallar
|
yoxdur
| |
4D
|
Proqram təminatı:
| | |
4D001
|
4A001- 4A004 və ya 4D bəndlərinə görə nəzarət edilən avadanlığın və ya «proqram təminatları»nın hazırlanması, istehsalı və ya istifadəsi üçün xüsusi layihələşdirilmiş və ya modifikasiya edilmiş «proqram təminatı»
| | |
4D002
|
4E bəndinə görə nəzarət edilən texnologiyanın yaradılması üçün xüsusi layihələşdirilmiş və ya modifikasiya edilmiş «proqram təminatı»
| | |
4D003
|
Xüsusi «proqramm təminatı»:
a. «çoxaxıntı məlumatın hesablanması» avadanlıqları üçün xüsusi hazırlanmış əməliyyat sistemlərinin «proqram təminatı»nın «proqramlar mətni», «proqram təminatları»nın alətləri və kompilyatorlar
b.tətbiq edilmir.
c. 5-ci kateqoriyanın 2-ci hissəsində qeyd edilən hədlərdən xarakteristikaları və ya yerinə yetirilən funksiyaları yüksək olan «proqram təminatı»
Qeyd. 4A001.b. yarımbəndinə görə işlədənin şəxsi istifadəsi məqsədi ilə keçirilən «proqram təminatları» na nəzarət tətbiq edilmir
d. «zamanın real miqyasında» işləyən avadanlıq üçün xüsusi hazırlanmış, 20 mks—dən az «tam kəsilmənin gözləmə müddəti»ni təmin edən (zəmanət verən) əməliyyat sistemləri
| | |
4E
|
Texnologiyalar
| | |
4 E001
|
Ümumi texnoloji qeydə uyğun, 4A və ya 4D bölməsi
nə görə nəzarət edilən avadanlığın və ya «proqram təminatları» nın hazırlanması, istehsalı və ya «istifadəsi üçün» üçün təyin edilmiş «texnologiyalar»
| | |
|
